PD- 94239A
IRGPS60B120KD
具有绝缘栅双极型晶体管
电机控制联合包IGBT
超快软恢复二极管
C
特点
低VCE （ ON）的非穿通IGBT技术。
低二极管VF 。
为10μs短路能力。
广场RBSOA 。
超软二极管的反向恢复特性。
积极的VCE（on ）温度系数。
超级-247封装。
V
CES
= 1200V
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 2.50V
G
E
@ V
GE
= 15V,
N沟道
好处
基准效率的电机控制。
坚固的瞬态性能。
低EMI。
显着减少所需的缓冲
卓越的均流并联运行。
I
CE
= 60A ， TJ = 25°C
Super-247
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
马克斯。
1200
105
60
240
240
120
60
240
± 20
595
238
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
Le
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
推荐夹力
重量
内置发射器电感（从包5毫米）
分钟。
–––
–––
–––
–––
20 (2)
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
–––
–––
6.0 (0.21)
13
马克斯。
0.20
0.41
–––
40
–––
–––
–––
单位
° C / W
N（千克力）
克（盎司）
nH
www.irf.com
1
8/18/04
IRGPS60B120KD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压1200 ---
温度COEFF 。的击穿电压--- 0.40
集电极 - 发射极饱和电压2.33 ---
––– 2.50
––– 2.79
––– 3.04
栅极阈值电压
4.0 5.0
温度COEFF 。阈值电压的-12 ---
正向跨导
––– 34.4
零栅极电压集电极电流
––– –––
––– 650
二极管的正向压降
––– 1.82
––– 1.93
––– 1.96
––– 2.13
门极 - 发射极漏电流
––– –––
Ref.Fig 。
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 500A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 125°C ）
5, 6
2.50
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
7, 9
2.75
V
I
C
= 60A
10
3.1
I
C
= 50A ，T
J
= 125°C
3.5
I
C
= 60A ，T
J
= 125°C
11
9,10
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 125°C ）
11 ,12
–––
S
V
CE
= 50V ，我
C
= 60A ， PW =为80μs
500
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
1350
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 125°C
2.10
I
C
= 50A
8
2.20
V
I
C
= 60A
2.20
I
C
= 50A ，T
J
= 125°C
2.40
I
C
= 60A ，T
J
= 125°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Qg
QGE
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏压安全Operting区
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
340 510
I
C
= 60A
40
60
NC V
CC
= 600V
165 248
V
GE
= 15V
3214 4870
J
I
C
= 60A ，V
CC
= 600V
4783 5450
V
GE
= 15V ，R
G
= 4.7Ω ，L = 200μH
8000 10320
LS = 150nH
T
J
= 25°C
5032 6890
T
J
= 125°C
7457 8385
J
能量损失包括"tail"和
12500 15275
二极管的反向恢复。
72
94
I
C
= 15A ，V
CC
= 600V
32
45
V
GE
= 15V ，R
G
= 4.7Ω L = 200μH
366 400
ns
LS = 150nH ，T
J
= 125°C
45
58
4300 –––
V
GE
= 0V
395 –––
pF
V
CC
= 30V
160 –––
F = 1.0MHz的
T
J
= 150℃，我
C
= 240A ， VP = 1200V
完整的正方形
V
CC
= 1000V, V
GE
= + 15V至0V
R
G
= 4.7
T
J
= 150 ° C， VP = 1200V
10 ––– –––
微秒V
CC
= 900V, V
GE
= + 15V为0V ，
R
G
= 4.7
––– 3346 –––
J
T
J
= 125°C
––– 180 –––
ns
V
CC
= 600V ，我
F
= 60A ，L = 200μH
––– 50 –––
A
V
GE
= 15V ，R
G
= 4.7Ω ， LS = 150nH
Ref.Fig 。
23
CT1
CT4
WF1
WF2
13,15
14, 16
CT4
WF1
WF2
22
4
CT2
CT3
WF4
17,18,19
SCSOA
EREC
t
rr
I
rr
短路安全Operting区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
20, 21
CT4,WF3
2
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具有绝缘栅双极型晶体管
电机控制联合包IGBT
超快软恢复二极管
C
特点
低VCE （ ON）的非穿通IGBT技术。
低二极管VF 。
为10μs短路能力。
广场RBSOA 。
超软二极管的反向恢复特性。
积极的VCE（on ）温度系数。
超级-247封装。
V
CES
= 1200V
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 2.50V
G
E
@ V
GE
= 15V,
N沟道
好处
基准效率的电机控制。
坚固的瞬态性能。
低EMI。
显着减少所需的缓冲
卓越的均流并联运行。
I
CE
= 60A ， TJ = 25°C
Super-247
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
马克斯。
1200
105
60
240
240
120
60
240
± 20
595
238
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
Le
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
推荐夹力
重量
内置发射器电感（从包5毫米）
分钟。
–––
–––
–––
–––
20 (2)
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
–––
–––
6.0 (0.21)
13
马克斯。
0.20
0.41
–––
40
–––
–––
–––
单位
° C / W
N（千克力）
克（盎司）
nH
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电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压1200 ---
温度COEFF 。的击穿电压--- 0.40
集电极 - 发射极饱和电压2.33 ---
––– 2.50
––– 2.79
––– 3.04
栅极阈值电压
4.0 5.0
温度COEFF 。阈值电压的-12 ---
正向跨导
––– 34.4
零栅极电压集电极电流
––– –––
––– 650
二极管的正向压降
––– 1.82
––– 1.93
––– 1.96
––– 2.13
门极 - 发射极漏电流
––– –––
Ref.Fig 。
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 500A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 125°C ）
5, 6
2.50
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
7, 9
2.75
V
I
C
= 60A
10
3.1
I
C
= 50A ，T
J
= 125°C
3.5
I
C
= 60A ，T
J
= 125°C
11
9,10
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 125°C ）
11 ,12
–––
S
V
CE
= 50V ，我
C
= 60A ， PW =为80μs
500
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
1350
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 125°C
2.10
I
C
= 50A
8
2.20
V
I
C
= 60A
2.20
I
C
= 50A ，T
J
= 125°C
2.40
I
C
= 60A ，T
J
= 125°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Qg
QGE
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏压安全Operting区
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
340 510
I
C
= 60A
40
60
NC V
CC
= 600V
165 248
V
GE
= 15V
3214 4870
J
I
C
= 60A ，V
CC
= 600V
4783 5450
V
GE
= 15V ，R
G
= 4.7Ω ，L = 200μH
8000 10320
LS = 150nH
T
J
= 25°C
5032 6890
T
J
= 125°C
7457 8385
J
能量损失包括"tail"和
12500 15275
二极管的反向恢复。
72
94
I
C
= 15A ，V
CC
= 600V
32
45
V
GE
= 15V ，R
G
= 4.7Ω L = 200μH
366 400
ns
LS = 150nH ，T
J
= 125°C
45
58
4300 –––
V
GE
= 0V
395 –––
pF
V
CC
= 30V
160 –––
F = 1.0MHz的
T
J
= 150℃，我
C
= 240A ， VP = 1200V
完整的正方形
V
CC
= 1000V, V
GE
= + 15V至0V
R
G
= 4.7
T
J
= 150 ° C， VP = 1200V
10 ––– –––
微秒V
CC
= 900V, V
GE
= + 15V为0V ，
R
G
= 4.7
––– 3346 –––
J
T
J
= 125°C
––– 180 –––
ns
V
CC
= 600V ，我
F
= 60A ，L = 200μH
––– 50 –––
A
V
GE
= 15V ，R
G
= 4.7Ω ， LS = 150nH
Ref.Fig 。
23
CT1
CT4
WF1
WF2
13,15
14, 16
CT4
WF1
WF2
22
4
CT2
CT3
WF4
17,18,19
SCSOA
EREC
t
rr
I
rr
短路安全Operting区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
20, 21
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