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指数
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PD - 9.802A
IRGPC50UD2
绝缘栅双极晶体管
超快软恢复
二极管
特点
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
TM
HEXFRED软超快二极管
优化高工作频率（超过5kHz时）
参见图。 1电流 - 频率曲线
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
V
CE （ SAT ）
≤
3.0V
G
@V
GE
= 15V ，我
C
= 27A
E
N沟道
描述
共同封装的IGBT是国际整流器公司的良好的自然延伸
众所周知IGBT线。他们提供了一个IGBT和超快的便利
在一个包中恢复二极管，造成很大的好处到主机的
高电压，大电流，马达控制， UPS及电源应用。
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
55
27
220
220
25
220
± 20
200
78
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
0.24
—
6 (0.21)
马克斯。
0.64
0.83
—
40
—
单位
° C / W
克（盎司）
修订版1
C-725
TO ORDER
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指数
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IRGPC50UD2
40
ü TY ycle ： 5 0 ％
T J = 1 25℃
牛逼罪K = 9 0 ℃，
克忒里沃A S SP ecified
只适用于车削-on洛杉矶SE S INC鲁日
FFE CTS华氏度转ERSE RECOV红霉素
P奥尔 issipation = 40W
30
负载电流（A ）
20
6 0 ％ F RA TE
武℃的克é
10
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
1000
1000
T
J
= 25 °C
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，收集到-E米伊特尔光凭目前 （A ）
100
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 1 50 °C
10
10
1
0 .1
1
V
摹ê
= 15 V
20 μ S·P UL南东西TH ID
10
1
5
10
V
CC
= 100V
5μs脉宽
15
20
V
权证
，C llector到-E米伊特尔V oltage （ V）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
C-727
TO ORDER
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指数
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IRGPC50UD2
60
50
V
权证
，共同构造函数LLE到-E米伊特尔V oltage （ V）
V
摹ê
= 15 V
3.0
V
摹ê
= 15 V
80微秒P UL南东西TH ID
M的Axim嗯DC ollector光凭目前 （A ）
2.5
I
C
= 5 4A
40
30
2.0
I
C
= 27 A
1.5
20
10
I
C
= 14 A
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
1
牛逼HERMA l研究ESPO NSE （Z
THJ
)
D = 0.5 0
0.2 0
0.1
0.1 0
0 .0 5
单摹LE P U被LSE
（ TH ER MA L R é SP 0：N SE ）
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/t
2
P
D M
t
1
t2
0.02
0.01
0.01
0.00001
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
THJ
+ T C
0.0 001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，R ectangular脉冲市建局化（秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
C-728
TO ORDER
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指数
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IRGPC50UD2
7000
20
6000
C，C apacitance （PF ）
5000
4000
C
IES
3000
V
摹ê
，G一德以诚-E米itte诉 LTA克E（ V）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
V
权证
= 48 0V
I
C
= 27 A
16
12
8
2000
C
OES
4
1000
C
水库
0
1
10
1 00
0
0
30
60
90
12 0
V
权证
，C ollector到-E米伊特尔V oltage （ V）
Q
g
，T TAL G A TE建华一RG E（N C）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
3.5
总的开关损耗（兆焦耳）
3.4
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
V
GE
T
C
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 27A
100
R
G
= 5
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
I
C
= 54A
I
C
= 27A
I
C
= 14A
3.3
10
3.2
3.1
1
3.0
2.9
0
10
20
30
40
50
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
A
100 120 140 160
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
W
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
C-729
TO ORDER
介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
QQ：2880707522 复制
