【季报可靠性报告为T0247 / T0220产品的制造IRGBIGBT / CoPackISSUE.3】,IC型号IRGPC30M,IRGPC30M PDF资料,IRGPC30M经销商,ic,电子元器件-51电子网

季报可靠性报告

为

T0247 / T0220产品的制造

IRGB

IGBT / CoPack

ISSUE.3.

1997年10月

IGBT / CoPack

季报可靠性报告

分页： 35 1

介绍

可靠性信息

环境试验结果

环境测试条件/原理图

器件封装和频率列表

IGBT / CoPack

季报可靠性报告

第35 2

介绍

可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总

实施可靠性程序。这份报告将定期

通常更新每季。这份报告对未来出版物将

也包括适当的其他信息，以帮助用户在

解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /

CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该

本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247

TO220.

在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息

IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。

可靠性工程_____________________________________

质量经理

日期

_____________________________________

IGBT / CoPack

季报可靠性报告

第35 3

部分

可靠性信息

IGBT / CoPack

季报可靠性报告

第35 4

FIT率/等效器件小时

传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍

或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不

一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-

时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少

设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率

合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障

设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％。例如，在一个给定的

每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率

对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败

每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败

年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在

的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出

操作条件。

以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个

电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％

每月的系统故障。该方程为设备故障是：

=允许的比例系统故障

时间段

在该示例的情况下，

0.01故障

720小时

设备号

FITS

1000设备

14 FITS

或14或适合每10 14失败

设备的时间。

IGBT / CoPack

季报可靠性报告

第35 5

以前的数据表

指数

下一页数据表

PD - 9.1076

IRGPC30M

绝缘栅双极晶体管

特点

短路额定 - 为10μs @ 125°C ，V

= 15V

开关损耗额定值包括所有"tail"损失

优化中的工作频率（ 1

为10kHz ），见图。 1电流与频率的关系

曲线

额定短路

快速IGBT

CES

= 600V

CE （ SAT ）

≤

2.9V

= 15V ，我

= 16A

N沟道

描述

绝缘栅双极晶体管（IGBT ），国际整流器有

更高的可用电流密度比可比的双极型晶体管，而在

有熟悉的电源简单的栅极驱动要求的同时，

MOSFET。它们提供了大量的好处到主机的高电压，高

当前的应用程序。

这些新的短路额定值器件特别适用于电机控制

和其他应用程序需要的短路耐受能力。

TO-247AC

绝对最大额定值

参数

CES

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

ARV

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

英镑

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

钳位感性负载电流

短路承受时间

门极 - 发射极电压

反向电压雪崩能量

最大功率耗散

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒。

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

600

±20

100

-55到+150

300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

°C

热阻

参数

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境，典型的插座安装

重量

分钟。

—

典型值。

—

0.24

—

6 (0.21)

马克斯。

1.2

—

单位

° C / W

克（盎司）

修订版1

C-321

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRGPC30M

电气特性@ T = 25°C （除非另有说明）

（ BR ） CES

（ BR ）， ECS

（ BR ） CES

CE （ON）的

参数

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 集电极击穿电压

温度COEFF 。击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

GE （日）

CES

GES

栅极阈值电压

温度COEFF 。阈值电压

正向跨导

零栅极电压集电极电流

门极 - 发射极漏电流

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

600

—

= 0V时，我

= 250A

—

= 0V时，我

= 1.0A

— 0.65 —

V /°C， V

= 0V时，我

= 1.0毫安

—

1.9

2.9

= 16A

= 15V

—

2.7

—

= 26A

参见图。 2,5

—

2.2

—

= 16A ，T

= 150°C

3.0

—

5.5

= V

, I

= 250A

—

-12

- 毫伏/°C， V

= V

, I

= 250A

3.3 6.5

—

= 100V ，我

= 16A

—

250

= 0V, V

= 600V

—

— 1000

= 0V, V

= 600V ，T

= 150°C

—

- ±100 nA的

= ±20V

开关特性@ T = 25°C （除非另有说明）

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

IES

OES

水库

注意事项：

重复评价; V

= 20V，脉冲宽度

受到最大。结温。

（参见图13b）的

=80%(V

CES

), V

= 20V ， L = 10μH ，

= 23Ω ，（参见图13A ）

重复评价;脉冲宽度的限制

由最高结温。

脉冲宽度

≤

为80μs ;占空比

≤

0.1%.

脉冲宽度5.0μs ，

单发射击。

参数

总栅极电荷（导通）

门 - 发射极电荷（导通）

门 - 收集电荷（导通）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

短路承受时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总开关损耗

内置发射器电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

—

= 16A

—

7.4

= 400V

参见图。 8

—

= 15V

—

= 25°C

—

= 16A ，V

= 480V

—

280 420

= 15V ，R

= 23

—

310 470

能量损失包括"tail"

—

0.4

—

1.9

—

参见图。 9，10， 11，14

—

2.3 3.5

—

= 360V ，T

= 125°C

= 15V ，R

= 23, V

CPK

< 500V

—

= 150°C,

—

= 14A ，V

= 480V

—

530

—

= 15V ，R

= 23

—

660

—

能量损失包括"tail"

—

4.4

—

参见图。 10，14

—

从包装测量5毫米

—

750

—

= 0V

—

110

—

= 30V

参见图。 7

—

9.3

—

= 1.0MHz的

C-322

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRGPC30M

对于博日：

特里亚ngular瓦特AVE ：

负载电流（A ）

UTY YC乐： 50 ％

TJ = 125°C

牛逼水墨= 90℃

摹吃了驱动器规格ifie

P流器D是sipation = 24W

林郑月娥P电压：

80 ％的额定

S单方瓦特AV E：

额定的60 ％

电压

身份证电子一升 IO （E S）

0.1

100

男，频率（KHz ）

图。 1

- 典型负载电流与频率的关系

（方波， I = I

RMS

的根本;为三角波， I = I

)

100

，集电极 - 发射极电流（A ）

= 25°C

= 150°C

，集电极 - 发射极电流（A ）

= 150°C

= 25°C

0.1

= 15V

20μs的脉冲宽度

= 100V

5μs脉宽

，集电极 - 发射极电压（V ）

，门极 - 发射极电压（V ）

图。 2

- 典型的输出特性

图。 3

- 典型的传输特性

C-323

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以前的数据表

指数

下一页数据表

IRGPC30M

，集电极 - 发射极电压（V ）

最大直流电集电极电流（ A）

= 15V

5.0

= 15V

为80μs脉冲宽度

= 32A

4.0

3.0

= 16A

2.0

= 8.0A

1.0

100

125

150

0.0

-60

-40

-20

100 120 140 160

，外壳温度（ ° C）

图。 4

- 最大集电极电流 -

外壳温度

图。五

- 集电极 - 发射极电压 -

外壳温度

吨他RM人 SP项（Z

THJ

)

D = 0 .5 0

0 .2 0

0 .1 0

D M

0.1

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

S IN摹L E P ü L性S E

（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）

N 2 O TE S：

1 。 ü TY前言与r D =吨

0.01

0.00001

2 。 P·E A K牛逼

= P

D M

X Z

THJ

+ T C

0.0001

0.00 1

0.01

0.1

，R EC TA 顾拉; R P ü LS E D市建局作（秒）

图。 6

- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

C-324

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRGPC30M

1400

1200

，门极 - 发射极电压（V ）

= 0V,

F = 1MHz的

IES

= C

+ C

, C

短

水库

= C

OES

= C

+ C

= 400V

= 16A

C，电容（pF ）

1000

IES

800

OES

600

400

200

水库

100

，集电极 - 发射极电压（V ）

，总栅极电荷（ NC）

图。 7 -

典型的电容比。

集电极 - 发射极电压

图。 8

- 典型栅极电荷主场迎战

门极 - 发射极电压

2.60

2.55

= 480V

= 15V

= 25°C

= 16A

100

= 23

= 15V

= 480V

= 32A

= 16A

= 8.0A

总开关损耗

2.50

总开关损耗

2.45

2.40

2.35

2.30

0.1

-60

-40

-20

100 120 140 160

，栅极电阻（ Ω ）

，外壳温度（ ° C）

图。 9

- 典型的开关损耗与门

阻力

图。 10

- 典型的开关损耗与

外壳温度

C-325

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