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指数
下一页数据表
PD - 9.1144
IRGPC20MD2
绝缘栅双极晶体管
超快软恢复
二极管
特点
短路额定-10μs @ 125°C ,V
GE
= 15V
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
TM
HEXFRED软超快二极管
优化中的工作频率( 1
为10kHz ),见图。 1电流 - 频率曲线
C
额定短路
快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
V
CE ( SAT )
2.5V
G
@V
GE
= 15V ,我
C
= 8.0A
E
N沟道
描述
共同封装的IGBT是国际整流器公司的良好的自然延伸
众所周知IGBT线。他们提供了一个IGBT和超快的便利
在一个包中恢复二极管,造成很大的好处到主机的
高电压,大电流,应用。
这些新的短路额定值器件特别适用于电机控制
和其他应用程序需要的短路耐受能力。
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒。
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
TO-247AC
马克斯。
600
13
8.0
26
26
7.0
60
10
± 20
60
24
-55到+150
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
在10磅 ( 1.1牛顿米)
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境,典型的插座安装
重量
分钟。
典型值。
0.24
6 (0.21)
马克斯。
2.1
3.5
40
单位
° C / W
克(盎司)
修订版2
C-381
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRGPC20MD2
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) CES
V
( BR ) CES
/
T
J
V
CE (ON)的
参数
集电极 - 发射极击穿电压
温度。 COEFF 。击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE (日)
V
GE (日)
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
栅极阈值电压
温度COEFF 。阈值电压
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
600
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
— 0.42 —
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安
2.0 2.5
I
C
= 8.0A
V
GE
= 15V
2.7
V
I
C
= 13A
参见图。 2,5
2.5
I
C
= 8.0A ,T
J
= 150°C
3.0
5.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
-11
- 毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
2.7
3.8
S
V
CE
= 100V ,我
C
= 8.0A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
— 1700
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 150°C
1.4 1.7
V
I
C
= 8.0A
参见图。 13
1.4 1.7
I
C
= 8.0A ,T
J
= 150°C
- ±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
Q
g
QGE
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
( REC )M
/ DT
注意事项:
重复评价; V
GE
= 20V ,脉冲宽度的限制
由Max 。结温。 (参见图20)
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
16
24
I
C
= 8.0A
3.6 5.2
nC
V
CC
= 400V
6.0 9.0
参见图。 8
66
T
J
= 25°C
40
ns
I
C
= 8.0A ,V
CC
= 480V
330 540
V
GE
= 15V ,R
G
= 50
260 480
能量损失包括"tail"和
0.5
二极管的反向恢复。
1.0
mJ
参见图。 9 , 10 , 11 , 18
1.5 2.5
10
s
V
CC
= 360V ,T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ,R
G
= 50, V
CPK
< 500V
65
T
J
= 150°C,
参见图。 9 , 10 , 11 , 18
46
ns
I
C
= 8.0A ,V
CC
= 480V
520
V
GE
= 15V ,R
G
= 50
560
能量损失包括"tail"和
2.3
mJ
二极管的反向恢复。
13
nH
从包装测量5毫米
365
V
GE
= 0V
47
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
4.8
= 1.0MHz的
37
55
ns
T
J
= 25°C见图
55
90
T
J
= 125°C
14
I
F
= 8.0A
3.5 5.0
A
T
J
= 25°C见图
4.5 8.0
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
65
138
nC
T
J
= 25°C见图
124 360
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
240
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
210
T
J
= 125°C
17
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
= 20V , L = 10μH ,
R
G
= 50Ω , (参见图19)
脉冲宽度
为80μs ;占空比
0.1%.
脉冲宽度5.0μs ,
单发射击。
C-382
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRGPC20MD2
10
ü TY周期: 5 0 %
TJ = 12 5℃
牛逼S IN K = 9 0 ℃,
克忒驾驶A S SP EC ifie
打开-o losse s包括执行程序hpso德
FFEC重新TS已经RSE再合作已经RY
宝WE R D是sipation = 1 5W
8
负载电流(A )
6
6 0 % F RA TE
V LTA克é
4
2
0
0.1
1
10
A
100
男,频率(KHz )
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
(负载电流= I
RMS
基本)
100
100
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
中T = 25℃
J
T
J
= 150°C
10
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
T
J
= 150°C
10
T
J
= 25°C
1
1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
A
10
1
5
10
V
CC
= 100V
5μs脉宽
A
15
20
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
C-383
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRGPC20MD2
14
12
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
最大直流电集电极电流( A)
V
GE
= 15V
5.0
V
GE
= 15V
为80μs脉冲宽度
I
C
= 16A
4.0
10
8
3.0
6
2.0
I
C
= 8.0A
I
C
= 4.0A
4
1.0
2
0
25
50
75
100
125
A
150
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
A
100 120 140 160
T
C
,外壳温度( ° C)
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
10
牛逼赫姆人响应(Z
THJ
)
1
D = 0.50
0 .2 0
0 .10
0.0 5
P
D M
0.1
0.0 2
0 .01
t
单摹LE P ü LS ê
( TH ER M AL SP 0:N SE )
N 2 O TE S:
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/ t
2
1
t2
0.01
0.00001
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日J·C
+ T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
中,R ectangular脉冲 uration (秒)
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗,结至外壳
C-384
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRGPC20MD2
600
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CE
= 400V
I
C
= 8.0A
16
C,电容(pF )
C
IES
400
12
C
OES
8
200
4
C
水库
0
1
10
A
100
0
0
4
8
12
16
A
20
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
1.64
1.62
总的开关损耗(兆焦耳)
总的开关损耗(兆焦耳)
V
CC
V
GE
T
C
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 8.0A
10
R
G
= 50
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
I
C
= 16A
I
C
= 8.0A
I
C
= 4.0A
1
1.60
1.58
1.56
0
10
20
30
40
50
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
A
100 120 140 160
R
G
,栅极电阻( Ω )
W
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
C-385
TO ORDER
季报可靠性报告
T0247 / T0220产品的制造
IRGB
IGBT / CoPack
ISSUE.3.
1997年10月
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
分页: 35 1
目录
1
介绍
2
可靠性信息
3
环境试验结果
4
环境测试条件/原理图
5
器件封装和频率列表
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 2
介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息,以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ,荷兰路, Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ,页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
部分
2
可靠性信息
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 4
FIT率/等效器件小时
传统上,结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数,时间到失败。虽然这些结果有其价值,他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如, Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然,没有设计师希望有一个内有50 %的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣,因此,是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 %或0.1 % 。例如,在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备,设计者知道时间积累的一个1 %的失败
每单元组件,则组件的不超过0.1 %,可以在5失败
年。因此,在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上,将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视,让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件,并能耐受1%
每月的系统故障。该方程为设备故障是:
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下,
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
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