PD - 97286
IRGP4085DPbF
PDP TRENCH IGBT
特点
l
先进的沟道IGBT技术
l
优化延和能量回收
在PDP的应用电路
TM
)
l
低V
CE （ON）的
每脉冲能量（E
脉冲
为提高板效率
l
高重复峰值电流能力
l
无铅封装
主要参数
V
CE
民
V
CE （ON）的
典型值。 @我
C
= 70A
I
RP
最大@ T
C
= 25°C
c
T
J
最大
C
330
1.69
250
150
C
V
V
A
°C
G
E
G
E
C
N沟道
G
摹吃
C
ollector
TO-247AC
E
ê米伊特尔
描述
这种IGBT是专门为等离子显示面板的应用而设计。该器件采用先进的
沟道型IGBT技术，实现了低V
CE （ON）的
和低辐射
PULSETM
每硅片面积的评价而改善面板
效率。附加功能是150 ° C的工作结温，高重复峰值电流
能力。这些特性相结合，使该IGBT高效，强大和可靠的设备，用于PDP
应用程序。
绝对最大额定值
参数
V
GE
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
RP
@ T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
门极 - 发射极电压
连续集电极电流，V
GE
@ 15V
连续集电极，V
GE
@ 15V
重复峰值电流
c
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300
10lbxin （ 1.1Nxm ）
N
马克斯。
±30
70
40
250
160
63
1.3
-40 + 150
单位
V
A
W
W / ℃，
°C
热阻
参数
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θCS
R
θJA
典型值。
–––
1.6
0.24
–––
6.0 (0.21)
马克斯。
0.80
2.4
–––
40
–––
单位
热阻结到案例 - （每个IGBT ）
d
热阻结到案例 - （每个二极管）
d
案件到水槽（平，润滑表面）
结到环境（典型的Socket山）
d
重量
° C / W
克（盎司）
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1
06/05/07
IRGP4085DPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
CES
ΒV
CES
/T
J
集电极 - 发射极击穿电压
击穿电压温度。系数
分钟。
330
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
—
—
—
—
—
—
—
—
100
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
0.34
1.18
1.36
1.69
2.26
1.93
–––
-11
2.0
5.0
100
–––
–––
50
85
31
47
37
176
99
45
38
228
183
–––
834
985
2297
141
74
5.0
13
–––
–––
1.48
1.68
2.09
2.76
–––
5.0
–––
25
–––
–––
100
-100
–––
–––
–––
—
—
—
—
—
—
—
—
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
V /°C的
条件
V
GE
= 0V时，我
CE
= 1毫安
参考至25℃ ，我
CE
= 1毫安
V
GE
= 15V ，我
CE
= 25A
V
GE
= 15V ，我
CE
= 40A
V
GE
= 15V ，我
CE
= 70A
V
GE
= 15V ，我
CE
= 120A
V
GE
= 15V ，我
CE
= 70A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
CE
= 500A
V
CE （ON）的
静态集电极 - 发射极电压
V
e
e
e
e
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
I
CES
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
集电极 - 发射极漏电流
I
GES
g
fe
Q
g
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
st
E
脉冲
门极 - 发射极正向漏
门极 - 发射极反向漏
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 集电极充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
射穿封锁时间
能源每脉冲
V
毫伏/°C的
μA V
CE
= 330V, V
GE
= 0V
V
CE
= 330V, V
GE
= 0V ，T
J
= 100°C
V
CE
= 330V, V
GE
= 0V ，T
J
= 150°C
nA的V
GE
= 30V
V
GE
= -30V
V
CE
= 25V ，我
CE
= 25A
S
NC V
CE
= 200V ，我
C
= 25A ，V
GE
= 15V
I
C
= 25A ，V
CC
= 196V
R
G
= 10Ω ，L = 200μH ，L-
S
= 200nH
T
J
= 25°C
I
C
= 25A ，V
CC
= 196V
R
G
= 10Ω ，L = 200μH ，L-
S
= 200nH
T
J
= 150°C
e
ns
ns
ns
J
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
C
L
E
输入电容
输出电容
反向传输电容
内置集电极电感
内置发射器电感
–––
–––
–––
–––
–––
nH
V
CC
= 240V, V
GE
= 15V ，R
G
= 5.1
L = 220nH ，C = 0.40μF ，V
GE
= 15V
V
CC
= 240V ，R
G
= 5.1, T
J
= 25°C
L = 220nH ，C = 0.40μF ，V
GE
= 15V
V
CC
= 240V ，R
G
= 5.1, T
J
= 100°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 30V
= 1.0MHz的，
见图13
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
二极管的特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
t
rr
平均正向电流为
T
C
=155°C
非重复峰值浪涌电流
正向电压
反向恢复时间
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
–––
1.19
0.94
35
43
67
60
210
2.8
6.3
8.0
100
1.3
1.0
60
–––
–––
–––
–––
–––
–––
A
A
V
ns
条件
T
J
= 155 ° C， PW = 6.0ms半正弦波
I
F
= 8A
I
F
= 8A ，T
J
= 150°C
I
F
= 1A ，的di / dt = -50A /微秒，V
R
=30V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 8A
T
J
= 25°C
的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 125°C
V
R
= 200V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Q
rr
I
rr
反向恢复电荷
峰值恢复电流
nC
A
注意事项：
正弦半波占空比= 0.1 ，吨= 2微秒。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
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IRGP4085DPbF
10000
25
VGE ，栅极 - 源极电压（ V）
ID = 25A
VDS = 240V
VDS = 200V
VDS = 150V
资本投资者入境计划
电容（pF）
1000
20
15
10
100
卓越中心
CRES
5
10
0
100
200
300
0
0
20
40
60
80
100
120
QG总栅极电荷（ NC）
VCE （ V）
图13.典型的电容与集电极 - 发射极电压
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
图14.典型栅极电荷与门极 - 发射极电压
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.146
0.000131
0.382
0.271
0.001707
0.014532
0.01
τ
2
CI-
τi /日
Ci
τi /日
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
1
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图15.最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（ IGBT ）
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
C
τ
τ
3
τ
4
τ
4
0.1
0.05
0.02
0.01
τ
J
τ
1
τ
2
0.01
CI-
τi /日
次I /日
RI（ ° C / W）
0.07854
0.829201
1.002895
0.490875
τι
（秒）
0.000637
0.000532
0.003412
0.055432
单脉冲
（热反应）
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.1
1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图16.最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（二极管）
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5
QQ：2880707522 复制
