PD - 97208
IRGP4065PbF
PDP TRENCH IGBT
特点
l
先进的沟道IGBT技术
l
优化延和能量回收
在PDP的应用电路
TM
)
l
低V
CE （ON）的
每脉冲能量（E
脉冲
为提高板效率
l
高重复峰值电流能力
l
无铅封装
主要参数
V
CE
民
V
CE （ON）的
典型值。 @我
C
= 70A
I
RP
最大@ T
C
= 25°C
c
T
J
最大
C
300
1.75
205
150
C
E
C
G
V
V
A
°C
G
E
N沟道
G
门
C
集热器
TO-247AC
E
辐射源
描述
这种IGBT是专门为等离子显示面板的应用而设计。该器件采用先进的
沟道型IGBT技术，实现了低V
CE （ON）的
和低辐射
PULSETM
每硅片面积的评价而改善面板
效率。附加功能是150 ° C的工作结温，高重复峰值电流
能力。这些特性相结合，使该IGBT高效，强大和可靠的设备，用于PDP
应用程序。
绝对最大额定值
参数
V
GE
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
RP
@ T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
门极 - 发射极电压
连续集电极电流，V
GE
@ 15V
连续集电极，V
GE
@ 15V
重复峰值电流
c
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300
10lbxin （ 1.1Nxm ）
N
马克斯。
±30
70
40
205
178
71
1.4
-40 + 150
单位
V
A
W
W / ℃，
°C
热阻
参数
R
θCS
R
θJA
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.80
–––
40
单位
° C / W
R
θJC
结到外壳
d
案件到水槽（平，润滑表面）
结到环境（典型的Socket山）
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1
05/10/06
IRGP4065PbF
80
70
IC ，集电极电流（ A）
220
200
重复峰值电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
吨= 1μs的时间
占空比= 0.25
半正弦波
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
图7.最大集电极电流与外壳温度
1000
V CC = 240V
900
每个脉冲的能量（ μJ ）
T C ，外壳温度（ ° C）
外壳温度（ ° C）
图8.典型的重复峰值电流与外壳温度
1000
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
L = 220nH
C =变量
900
每个脉冲的能量（ μJ ）
100°C
800
700
600
500
400
300
200
800
700
600
500
400
160
170
180
190
200
210
220
230
25°C
25°C
150 160 170 180 190 200 210 220 230 240
VCE ，集电极 - 发射极电压（V ）
IC ，峰值集电极电流（A ）
图9.典型ê
脉冲
与集电极电流
1400
V CC = 240V
1200
每个脉冲的能量（ μJ ）
图10.典型ê
脉冲
与集电极 - 发射极电压
1000
在这一领域
LIMITED BY V CE （上）
L = 220nH
T = 1μs的正弦半波
C = 0.4μF
1000
800
600
C = 0.2μF
400
200
25
50
75
100
125
150
TJ ，温度（° C）
100
IC （ A）
C = 0.3μF
10sec
100sec
10
1msec
1
1
10
VCE （ V）
100
1000
图11. ê
脉冲
与温度的关系
图12. Forrward偏置安全工作区
4
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IRGP4065PbF
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
IES = C GE + C GD ，C CE短路
CRES = C GC
卓越中心= CCE + CGC
25
IC = 25A
VGE ，门极 - 发射极电压（V ）
10000
电容（pF）
20
VCE = 240V
VCE = 200V
VCE = 150V
资本投资者入境计划
1000
15
10
100
卓越中心
CRES
5
10
0
50
100
150
200
250
300
VCE ，集电极toEmitter电压（ V）
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q G，总栅极电荷（ NC）
图13.典型的电容与集电极 - 发射极电压
图14.典型栅极电荷与门极 - 发射极电压
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
τ
C
0.000131
τ
0.146
0.382
0.271
0.001707
0.014532
0.01
τ
2
τ
3
CI-
τi /日
Ci
τi /日
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
1
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图15.最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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