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PD- 95897
IRGP20B120U-EP
绝缘栅双极晶体管
特点
超快非穿通（ NPT ）
技术
10
短篇小说电路能力
广场RBSOA
正V
CE
（上）温度系数
扩展的引脚TO - 247封装
无铅
超快IGBT
C
V
CES
= 1200V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
3.05V
V
GE
= 15V ，我
C
= 20A ，25°C
好处
基准效率20kHz以上
优化了焊接，UPS和感应加热
应用
用超快的性能坚固性
低EMI
显着减少所需的缓冲
卓越的均流并联运行
为了易于安装较长的引线
N沟道
TO-247AD
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
AS
@ T
C
=25°C
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
(Fig.1)
连续集电极电流
(Fig.1)
集电极电流脉冲
（图3 ，图CT.5 ）
钳位感性负载电流
（图4 ，图CT.2 ）
门极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 25A ，V
CC
= 50V ，R
GE
= 25ohm
L = 200μH
（图CT.6 ）
最大功率耗散
(Fig.2)
最大功率耗散
(Fig.2)
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
1200
40
20
120
120
± 20
65
单位
V
A
V
mJ
W
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
300
120
-55到+ 150
300 ， （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
Z
θ
JC
结到外壳 - IGBT
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
瞬态热阻抗结到外壳
分钟。
(Fig.18)
典型值。
0.24
6 (0.21)
马克斯。
0.42
40
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
09/14/04
IRGP20B120U-EP
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CES
/
-Tj
温度COEFF 。击穿电压
分钟。
1200
典型值。
+1.2
3.05
3.37
4.23
3.89
4.31
5.0
- 1.2
15.7
集电极 - 发射极饱和
V
CE （ON）的
电压
V
GE （日）
V
GE （日）
/
-Tj
栅极阈值电压
温度COEFF 。阈值电压
正向跨导
4.0
13.6
MAX 。单位
V
V /°C的
3.45
3.80
4.85
V
4.50
5.06
6.0
V
S
条件
V
GE
= 0V时，我
c
=250 A
V
GE
= 0V时，我
c
= 1 MA（ 25 -125 ℃）
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V
I
C
= 25A ，V
GE
= 15V
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 125°C
I
C
= 25A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 125°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
o
o
图。
5, 6
7, 8
9
10
8,9,10,11
o
毫伏/ C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1 MA（ 25 -125 ℃）
g
fe
I
CES
I
GES
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
17.8
250
420 750
1482 2200
±100
V
CE
= 50V ，我
C
= 20A ， PW =为80μs
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
=125°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
=150°C
nA
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
E
on
E
关闭
E
合计
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通开关损耗*
关断开关损耗*
总的开关损耗*
导通开关损耗*
关断开关损耗*
总的开关损耗*
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
典型值。
169
24
82
850
425
MAX 。单位
条件
I
C
= 20A
254
36
nC
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
126
I
C
= 20A ，V
CC
= 600V
1050
650
J
V
GE
= 15V ， RG = 5Ω ，
L = 200μH
T
J
= 25℃ ，能量损失包括尾
和二极管的反向恢复
o
图。
17
CT 1
CT 4
WF1
WF2
12, 14
CT 4
WF 1 & 2
13, 15
CT 4
WF1
WF2
1275 1800
1350 1550
610 875
1960 2425
50
20
204
24
2200
210
85
65
30
230
35
ns
J
IC = 20A ，V
CC
= 600V
V
GE
= 15V ， RG = 5Ω ，
L = 200μH
T
J
= 125℃ ，能量损失包括尾
和二极管的反向恢复
o
IC = 20A ，V
CC
= 600V
V
GE
= 15V ， RG = 5Ω ，
L = 200μH
T
J
= 125 C
V
GE
= 0V
o
pF
V
CC
= 30V
F = 1.0 MHz的
T
J
= 150℃ ， IC = 120A
V
CC
= 1000V, V
P
= 1200V
RG = 5Ω ，V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 150 C
V
CC
= 900V, V
P
= 1200V
RG = 5Ω ，V
GE
= + 15V至0V
o
o
16
4
CT 2
反向偏置安全工作区
完整的正方形
CT 3
WF3
SCSOA
Le
短路安全工作区
10
----
13
----
s
内置发射器电感
nH
测定进行5毫米的封装。
*用于二极管HF40D120ACE
2
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IRGP20B120U-EP
图1 - 最大直流电集电极
电流与外壳温度
50
45
40
图2 - 功耗与案例
温度
320
280
240
35
P
吨吨
( W)
0
40
80
120
160
( A)
30
25
20
15
10
5
0
200
160
120
80
40
0
0
40
80
T
C
(°C)
120
160
I
C
T
C
(°C)
图3 - 正向SOA
T
C
= 25°C ; TJ < 150℃
1000
脉冲
2s
图4 - 反向偏置SOA
TJ = 150°C ，V
GE
= 15V
1000
100
10s
100
100 s
( A)
10
1ms
C
I
I
10
1
1
1
10ms
DC
0.1
1
10
100
V
CE
(V)
1000
10000
C
( A)
10
100
V
CE
(V)
1000
10000
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3
IRGP20B120U-EP
图5 - 典型的IGBT输出
特征
TJ = -40°C ; TP = 300μS
60
55
50
45
40
( A)
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
5
6
V
GE
= 18V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
图6 - 典型的IGBT输出
特征
TJ = 25 ℃; TP = 300μS
60
55
50
45
40
V
GE
= 18V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
(A)
C
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
V
CE
(V)
4
5
6
I
C
图7 - 典型的IGBT输出
特征
TJ = 125°C ; TP = 300μS
60
55
50
45
40
V
GE
= 18V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
(A)
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
I
C
V
CE
(V)
4
I
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IRGP20B120U-EP
图9 - 典型的V
CE
VS V
GE
8
TJ = -40°C
20
18
16
14
(V)
( V)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
图10 - 典型的V
CE
VS V
GE
9
TJ = 25°C
12
10
8
6
4
2
0
6
8
10
12 14
V
GE
(V)
16
18
20
I
CE
=10A
I
CE
=20A
I
CE
=40A
I
CE
=10A
I
CE
=20A
I
CE
=40A
CE
V
V
CE
6
8
10
12
14
V
GE
(V)
16
18
20
图11 - 典型的V
CE
VS V
GE
10
TJ = 125°C
20
18
16
14
( V)
12
(A)
250
225
200
175
150
图12 - 典型。传输特性
11
V
CE
= 20V ; TP = 20μ s
Tj=25°C
Tj=125°C
CE
10
8
6
4
2
0
6
8
10
12 14
V
GE
(V)
I
CE
=10A
I
CE
=20A
I
CE
=40A
125
100
75
50
25
0
Tj=125°C
Tj=25°C
V
I
C
16
18
20
0
4
8
12
V
GE
(V)
16
20
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IRKHF111-06EP
IS61LV12816-10T
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IR
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