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PD -90718B
IRGMC50F
绝缘栅双极晶体管
特点
电气隔离和密封式
简单的驱动要求
闩锁型
速度快,操作3千赫 - 8千赫
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
C
速度快IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE(上)最大
= 1.7V
@V
GE
= 15V ,我
C
= 30A
描述
N沟道
绝缘栅双极晶体管(IGBT ),国际整流器有
更高的可用电流密度比可比的双极型晶体管,而在
具有熟悉的功率MOSFET的简单栅极驱动要求同时进行。
他们提供了实实在在的好处到主机的高电压,大电流
应用程序。
各种IGBT的性能差别很大频率。需要注意的是,现在IR
提供了一个速度标杆设计师(F
Ic/2
或"half电流频率" ) ,
以及该设备的电流处理能力的指示。
TO-254AA
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
马克斯。
600
35*
30
210
210
± 20
150
60
-55到+ 150
300 ( 0.063英寸/ 1.6毫米从案例10秒)
9.3 (典型值)
单位
V
A
V
W
°C
g
*当前
由引脚直径的限制
热阻
参数
thJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
— 0.83
0.21 —
48
° C / W
测试条件
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
1
02/20/02
IRGMC50F
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
MIN 。 TYP 。
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压
600 –––
V
( BR ), ECS
发射极 - 集电极击穿电压
15 –––
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压--- 0.62
––– –––
V
CE (ON)的
集电极 - 发射极饱和电压
––– 2.0
––– 1.7
V
GE (日)
栅极阈值电压
3.0 –––
V
GE (日)
/T
J
温度COEFF 。阈值电压的-14 ---
g
fe
正向跨导
T
21 –––
––– –––
I
CES
零栅极电压集电极电流
––– –––
I
GES
门极 - 发射极漏电流
––– –––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安
–––
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0 A
--- V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15V
1.7
I
C
= 30A
–––
I
C
= 35A
见图5
V
–––
I
C
= 30A ,T
J
= 125°C
5.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
---毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
–––
S
V
CE
15V ,我
C
= 30A
50
V
GE
= 0V, V
CE
= 480V
A
2000
V
GE
= 0V, V
CE
= 480V ,T
J
= 125°C
±100
nA
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
ts
L
C
+L
E
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
总电感
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
140
I
C
= 30A
35
NC V
CC
= 300V
参见图。 8
70
V
GE
= 15V
48
I
C
= 30A ,V
CC
= 480V
100
V
GE
= 15V ,R
G
= 2.35
ns
540
能量损失包括"tail"
360
参见图。 9,10 & 13
–––
mJ
–––
10
–––
T
J
= 125°C
–––
I
C
= 30A ,V
CC
= 480V
ns
–––
V
GE
= 15V ,R
G
= 2.35
–––
能量损失包括"tail"
–––
毫焦耳参见图。 11,13
–––
nH的从集电极测(6毫米/
0.25英寸从包中)到发射极
铅(6毫米/ 0.25英寸从包中)
––– 3000 –––
V
GE
= 0V
––– 340 –––
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
––– 40 –––
= 1.0MHz的
典型值。
120
15
35
–––
–––
–––
–––
0.2
5.8
6.0
25
49
440
410
10
6.8
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
注:对应的香料和军刀车型都可以在网站上。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRGMC50F
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
(方波, I = I
RMS
的根本;为三角波, I = I
PK
)
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRGMC50F
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
结温
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
4
www.irf.com
IRGMC50F
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
PD -90718B
IRGMC50F
绝缘栅双极晶体管
特点
电气隔离和密封式
简单的驱动要求
闩锁型
速度快,操作3千赫 - 8千赫
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
C
速度快IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE(上)最大
= 1.7V
@V
GE
= 15V ,我
C
= 30A
描述
N沟道
绝缘栅双极晶体管(IGBT ),国际整流器有
更高的可用电流密度比可比的双极型晶体管,而在
具有熟悉的功率MOSFET的简单栅极驱动要求同时进行。
他们提供了实实在在的好处到主机的高电压,大电流
应用程序。
各种IGBT的性能差别很大频率。需要注意的是,现在IR
提供了一个速度标杆设计师(F
Ic/2
或"half电流频率" ) ,
以及该设备的电流处理能力的指示。
TO-254AA
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
马克斯。
600
35*
30
210
210
± 20
150
60
-55到+ 150
300 ( 0.063英寸/ 1.6毫米从案例10秒)
9.3 (典型值)
单位
V
A
V
W
°C
g
*当前
由引脚直径的限制
热阻
参数
thJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
— 0.83
0.21 —
48
° C / W
测试条件
对于脚注参考最后一页
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1
02/20/02
IRGMC50F
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
MIN 。 TYP 。
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压
600 –––
V
( BR ), ECS
发射极 - 集电极击穿电压
15 –––
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压--- 0.62
––– –––
V
CE (ON)的
集电极 - 发射极饱和电压
––– 2.0
––– 1.7
V
GE (日)
栅极阈值电压
3.0 –––
V
GE (日)
/T
J
温度COEFF 。阈值电压的-14 ---
g
fe
正向跨导
T
21 –––
––– –––
I
CES
零栅极电压集电极电流
––– –––
I
GES
门极 - 发射极漏电流
––– –––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安
–––
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0 A
--- V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15V
1.7
I
C
= 30A
–––
I
C
= 35A
见图5
V
–––
I
C
= 30A ,T
J
= 125°C
5.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
---毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
–––
S
V
CE
15V ,我
C
= 30A
50
V
GE
= 0V, V
CE
= 480V
A
2000
V
GE
= 0V, V
CE
= 480V ,T
J
= 125°C
±100
nA
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
ts
L
C
+L
E
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
总电感
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
140
I
C
= 30A
35
NC V
CC
= 300V
参见图。 8
70
V
GE
= 15V
48
I
C
= 30A ,V
CC
= 480V
100
V
GE
= 15V ,R
G
= 2.35
ns
540
能量损失包括"tail"
360
参见图。 9,10 & 13
–––
mJ
–––
10
–––
T
J
= 125°C
–––
I
C
= 30A ,V
CC
= 480V
ns
–––
V
GE
= 15V ,R
G
= 2.35
–––
能量损失包括"tail"
–––
毫焦耳参见图。 11,13
–––
nH的从集电极测(6毫米/
0.25英寸从包中)到发射极
铅(6毫米/ 0.25英寸从包中)
––– 3000 –––
V
GE
= 0V
––– 340 –––
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
––– 40 –––
= 1.0MHz的
典型值。
120
15
35
–––
–––
–––
–––
0.2
5.8
6.0
25
49
440
410
10
6.8
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
注:对应的香料和军刀车型都可以在网站上。
对于脚注参考最后一页
2
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IRGMC50F
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
(方波, I = I
RMS
的根本;为三角波, I = I
PK
)
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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3
IRGMC50F
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
结温
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
4
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图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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