PD - 94314
IRGC5B120KB
IRGC5B120KB模具IGBT晶圆形式
特点
GEN5非穿通（ NPT ）技术
低V
CE （ON）的
为10μs短路能力
广场RBSOA
正V
CE （ON）的
温度COEF网络cient
好处
标杆效率的电机控制
坚固的瞬态性能
优良的电流共享并联运行
合格工业市场
1200 V
I
C（ NOM ）
= 5A
VCE （ ON） （典型值） 。 = 2.55V @
I
C（ NOM ）
@ 25
°
C
电机控制IGBT
额定短路
150毫米晶圆
C
G
E
电气特性（晶圆表）
参数
V
CE （上）
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
描述
保证（最小/最大）
集电极 - 发射极饱和电压
1.79V最小， 2.22V最大。
集电极 - 发射极击穿电压
1200V最小。
栅极阈值电压
4.4V最小， 6.0V最大。
零栅极电压集电极电流
5.0 μA（最大值） 。
门极 - 发射极漏电流
±
1.1 μA（最大值） 。
测试条件
I
C
= 2.5A ，T
J
= 25 ° C，V
GE
= 15V
T
J
= 25 ° C，I
CES
= 100μA ，V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, T
J
= 25 ° C，I
C
=125A
T
J
= 25 ° C，V
CE
= 1200V
T
J
= 25 ° C，V
GE
= +/- 20V
机械数据
公称Backmetal组成，厚度：
公称前端金属组成，厚度：
尺寸：
晶圆直径：
晶圆厚度：
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
墨点位置
推荐的存储环境：
推荐模具附加条件
的Al-Ti - NIV-银（ 1kA的- 1kA的- 4KA - 6KA ）
99 ％的Al， 1 ％的Si （4微米）的
0.112" X 0.150"
150毫米，性病。 < 100 >平
185 +/- 15微米
01-5430
100微米
0.25毫米直径最小
全相同晶片一致
储存于原装容器中，在dessicated
氮气，没有污染
为了获得最佳的电气结果，芯片粘接
温度不应超过300℃的
不ES ：
1.所有DIME NSIONS在MILLIME TE RS [英寸]所示。
2.继续轧制DIME NSION ： [英寸] 。
3. LE TT ER DE SIGNAT ION ：
S =源
G = GAT ê
3.810
[.150]
0.646
[.025]
EMITT ER
2.325
[.091]
SK = S环境允许KELVIN
IS = CURRENTS恩瑟
＆ LT ; 0.635牛逼OLERANCE = + / - 0.013
< [ 0.0250 ]公差= + / - [ 0.0005 ]
＆ GT ; 0.635牛逼OLERANCE = + / - 0.025
> [ 0.0250 ]公差= + / - [ 0.0010 ]
＆ LT ; 1.270牛逼OLERANCE = + / - 0.102
< [ 0.050 ] T， OLERANCE = + / - [ 0.004 ]
＆ GT ; 1.270牛逼OLERANCE = + / - 0.203
> [ 0.050 ] T， OLERANCE = + / - [ 0.008 ]
E = EMIT牛逼ER
模具大纲
2.845
[.112]
1.454
[.057]
4. DIME NSIONAL牛逼OLERANCES ：
焊盘：
WIDT
＆放大器;
LE NGT
G
总体DIE ：
WIDT
0.617
[.024]
＆放大器;
LE NGT
10/02/01
QQ：2880707522 复制
