PD - 94060
点火IGBT
死在晶圆表
IGBT具有片上栅极 - 射极和门极 - 集电极夹
特点
最坚固的工业
逻辑电平栅极驱动
> 6KV ESD防护门
低饱和电压
高自钳位感性开关能量
合格的合格汽车[ Q101 ] 。
描述
先进的IGBT工艺系列包括MOS门控，
N沟道逻辑电平装置，该装置主要适用于线圈上的插头
汽车点火的应用程序和小型发动机点火
电路。独特的功能包括片上有源电压
极 - 发射极和门极 - 集电极之间夹其中
提供过电压保护功能的点火电路。
IRGC14C40LB
IRGC14C40LC
IRGC14C40LD
注：1）产品编号IRGC14C40LB都死在晶圆形式
探测和完整无缺的; IRGC14C40LC是芯片上的薄膜，并探讨
切块;和IRGC14C40LD在wafle包探测芯片。 2 ）为参考
ENCE封装器件IRGS14C40L ， IRGSL14C40L和
IRGB14C40L.
端子图
C 0 LL欧共体于r
包装特点：
克忒
R
1
R
2
BV
CES =
370V分钟， 430V最大
I
C
@ T
C
= 110 ° C = 14A
V
CE （ON）的
（典型值） = 1.2V @ 7A @ 25°C
I
L（ MIN）的
= 11.5A @ 25 ° C，L = 4.7mH
ê米其德
电气特性（晶圆表）
参数
V
CE （上）
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
T
J
T
英镑
描述
集电极 - 发射极饱和电压
Colletor - 发射极击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
工作结存储
温度范围
保证（ MIN，MAX ）
2.65V最大
370V分钟， 430V最大
1.2V最小，最大值为2.4V
最大10μA
± 0.32毫安分钟， ±漏电流小于1mA
测试条件@ T
J
= 25°C
I
C
= 10A ，V
GE
= 4.5V
R
G
= 1K欧姆，我
CES
= 25毫安，V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
R
G
= 1K欧姆，V
CE
= 300V
V
GE
= +/-10V
-40 ° C至175℃
机械数据
标称Backmetal组成， （厚度）
标称正面金属成分， （厚度）
尺寸
晶圆直径
晶圆厚度，公差
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
墨点位置
推荐的存储环境
推荐模具附加条件
铬 - 镍/ V - 银（ 0.1微米 - 0.2微米 - 0.25微米）
99 ％的Al / 1 ％的Si ， （ 4微米）
0.141" X 0.164"
150毫米，性病。 < 100 >平
0.015" +/- 0.003"
01-5467
100m
0.25毫米直径最小
全相同晶片一致
储存于原装容器中，在dessicated
氮气，没有污染
为了获得最佳的电气结果，芯片粘接
温度不应超过300℃
不ES ：
模具大纲
3.581
[.141]
0.943
[.037]
E
1.所有梦诗离子为S HOWN在MILLIMET ERS [英寸] 。
2.控制梦诗ION： [英寸] 。
3.让TER DES伊格纳特ION ：
0.932
[.037]
S = S环境允许
G = GAT ê
S K = S环境允许KELVIN
IS =电流S ENS ê
E = EMIT牛逼ER
4.梦诗有理牛逼OLERANCES ：
焊盘：
WIDT
＆放大器;
LENGT
＆ LT ; 0.635牛逼OLERANCE = + / - 0.013
＆ LT ; [ 0.0250 ] T， OLERANCE = + / - [ 0.0005 ]
＆ GT ; 0.635牛逼OLERANCE = + / - 0.025
＆ GT ; [ 0.0250 ] T， OLERANCE = + / - [ 0.0010 ]
＆ LT ; 1.270牛逼OLERANCE = + / - 0.102
< [ 0.050 ] T， OLERANCE = + / - [ 0.004 ]
＆ GT ; 1.270牛逼OLERANCE = + / - 0.203
> [ 0.050 ] T， OLERANCE = + / - [ 0.008 ]
4.166
[.164]
G
总体DIE ：
WIDT
＆放大器;
LENGT
0.562
[.022]
0.762
[.030]
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12/19/00
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