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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第880页 > IRGBC30KD2
PD - 9.1107
IRGBC30KD2
绝缘栅双极晶体管
超快软恢复二极管
特点
短路额定-10μs @ 125°C ,V
GE
= 15V
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
HEXFRED
TM
软超快二极管
优化高工作频率(超过5kHz时)
参见图。 1电流 - 频率曲线
C
额定短路
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
V
CE ( SAT )
3.8V
G
@V
GE
= 15V ,我
C
= 14A
E
N沟道
描述
共同封装的IGBT是国际整流器公司的良好的自然延伸
众所周知IGBT线。他们提供了一个IGBT和超快的便利
在一个包中恢复二极管,造成很大的好处到主机的
高电压,大电流,应用。
这些新的短路额定值器件特别适用于电机控制
和其他应用程序需要的短路耐受能力。
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒。
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
TO-220AB
马克斯。
600
23
14
46
46
12
46
10
± 20
100
42
-55到+150
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
在10磅 ( 1.1牛顿米)
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境,典型的插座安装
重量
分钟。
------
------
------
-----
------
典型值。
------
------
0.50
-----
2 (0.07)
马克斯。
1.2
2.5
------
80
------
单位
° C / W
克(盎司)
IRGBC30KD2
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压? 600
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压----
集电极 - 发射极饱和电压
----
V
CE (ON)的
----
----
V
GE (日)
栅极阈值电压
3.0
V
GE (日)
/T
J
温度COEFF 。阈值电压的----
正向跨导
3.3
g
fe
零栅极电压集电极电流
----
I
CES
----
V
FM
二极管的正向压降
----
----
门极 - 发射极漏电流
----
I
GES
典型值。
----
0.30
2.5
3.3
2.5
----
-13
6.5
----
----
1.4
1.3
----
MAX 。单位
条件
----
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
---- V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安
3.8
I
C
= 14A
V
GE
= 15V
参见图。 2,5
----
V
I
C
= 23A
----
I
C
= 14A ,T
J
= 150°C
5.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
----毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
----
S
V
CE
= 100V ,我
C
= 14A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
2500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 150°C
1.7
V
I
C
= 12A
参见图。 13
1.6
I
C
= 12A ,T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
MAX 。单位
条件
58
I
C
= 14A
Q
g
13
nC
V
CC
= 400V
Q
ge
23
参见图。 8
Q
gc
----
T
J
= 25°C
t
D(上)
t
r
----
ns
I
C
= 14A ,V
CC
= 480V
170
V
GE
= 15V ,R
G
= 23
t
D(关闭)
140
能量损失包括"tail"和
t
f
----
二极管的反向恢复。
E
on
----
毫焦耳参见图。 9 , 10 , 11 , 18
E
关闭
E
ts
2.4
----
s
V
CC
= 360V ,T
J
= 125°C
t
sc
V
GE
= 15V ,R
G
= 23, V
CPK
< 500V
导通延迟时间
----
64
----
T
J
= 150°C,
参见图。 9 , 10 , 11 , 18
t
D(上)
上升时间
---- 100 ----
ns
I
C
= 14A ,V
CC
= 480V
t
r
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
---- 190 ----
V
GE
= 15V ,R
G
= 23
下降时间
---- 180 ----
能量损失包括"tail"和
t
f
总开关损耗
---- 2.2 ----
毫焦耳二极管的反向恢复。
E
ts
内置发射器电感
---- 7.5 ----
nH的测量5毫米从包
L
E
输入电容
---- 740 ----
V
GE
= 0V
C
IES
C
OES
输出电容
----
92
----
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
反向传输电容
---- 9.4 ----
= 1.0MHz的
C
水库
二极管的反向恢复时间
----
42
60
ns
T
J
= 25°C见图
t
rr
----
80 120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
二极管的峰值反向恢复电流---- 3.5 6.0
A
T
J
= 25°C见图
I
rr
---- 5.6
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
二极管的反向恢复电荷
----
80 180
NC牛逼
J
= 25°C见图
Q
rr
---- 220 600
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A /
180
s
di
( REC )M
/恢复的秋季dtDiode峰值速率----
----
A / μs的
T
J
= 25°C见图
在t
b
----
120
注意事项:
----
T
J
= 125°C = 80 % (V
CES
), V
GE
= 20V , L = 10μH ,
脉冲宽度5.0μs ,
V
CC
17
单发射击。
R
G
= 23Ω , (参见图19)
重复评价; V
GE
= 20V ,脉冲宽度的限制
由Max 。结温。 (参见图20)
脉冲宽度
为80μs ;占空比
0.1%.
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
分钟。
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
10
典型值。
39
8.7
15
67
120
110
94
1.1
0.5
1.6
----
IRGBC30KD2
15
占空比: 50 %
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
作为指定的门博士IVE
导通损耗包括
反向恢复效应
功耗= 21W
12
负载电流(A )
9
额定的60 %
电压
6
3
0
0.1
1
10
A
100
男,频率(KHz )
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
(负载电流= I
RMS
基本)
100
100
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
中T = 25℃
J
T
J
= 150°C
10
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
T
J
= 150°C
10
T
J
= 25°C
1
0.1
0.1
1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
A
10
1
5
10
V
CC
= 100V
5μs脉宽
A
15
20
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
IRGBC30KD2
25
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
最大直流电集电极电流( A)
V
GE
= 15V
6.0
V
GE
= 15V
为80μs脉冲宽度
20
5.0
I
C
= 28A
4.0
15
3.0
10
I
C
= 14A
2.0
I
C
= 7.0A
1.0
5
0
25
50
75
100
125
A
150
0.0
-60
A
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
,外壳温度( ° C)
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
10
热响应(Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
P
DM
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
t
1
t
2
注意事项:
1.职责的事实或D = T
1
/t
2
0.01
0.00001
2.峰值TJ = PDM X Z thJC + T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗,结至外壳
IRGBC30KD2
1400
1200
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
A
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CE
= 400V
I
C
= 14A
16
C,电容(pF )
1000
C
IES
800
12
C
OES
600
8
400
4
200
C
水库
0
1
10
0
0
10
20
30
A
40
100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
1.80
总的开关损耗(兆焦耳)
1.72
总的开关损耗(兆焦耳)
1.76
V
CC
V
GE
T
C
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 14A
100
R
G
= 23
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
10
I
C
= 24A
1.68
I
C
= 14A
1
1.64
I
C
= 7.0A
1.60
1.56
0
10
20
30
40
50
A
60
R
G
,栅极电阻( Ω )
0.1
-60
A
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
季报可靠性报告
T0247 / T0220产品的制造
IRGB
IGBT / CoPack
ISSUE.3.
1997年10月
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
分页: 35 1
目录
1
介绍
2
可靠性信息
3
环境试验结果
4
环境测试条件/原理图
5
器件封装和频率列表
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 2
介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息,以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ,荷兰路, Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ,页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
部分
2
可靠性信息
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 4
FIT率/等效器件小时
传统上,结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数,时间到失败。虽然这些结果有其价值,他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如, Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然,没有设计师希望有一个内有50 %的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣,因此,是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 %或0.1 % 。例如,在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备,设计者知道时间积累的一个1 %的失败
每单元组件,则组件的不超过0.1 %,可以在5失败
年。因此,在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上,将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视,让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件,并能耐受1%
每月的系统故障。该方程为设备故障是:
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下,
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
PD - 9.1107
IRGBC30KD2
绝缘栅双极晶体管
超快软恢复二极管
特点
短路额定-10μs @ 125°C ,V
GE
= 15V
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
HEXFRED
TM
软超快二极管
优化高工作频率(超过5kHz时)
参见图。 1电流 - 频率曲线
C
额定短路
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
V
CE ( SAT )
3.8V
G
@V
GE
= 15V ,我
C
= 14A
E
N沟道
描述
共同封装的IGBT是国际整流器公司的良好的自然延伸
众所周知IGBT线。他们提供了一个IGBT和超快的便利
在一个包中恢复二极管,造成很大的好处到主机的
高电压,大电流,应用。
这些新的短路额定值器件特别适用于电机控制
和其他应用程序需要的短路耐受能力。
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒。
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
TO-220AB
马克斯。
600
23
14
46
46
12
46
10
± 20
100
42
-55到+150
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
在10磅 ( 1.1牛顿米)
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境,典型的插座安装
重量
分钟。
------
------
------
-----
------
典型值。
------
------
0.50
-----
2 (0.07)
马克斯。
1.2
2.5
------
80
------
单位
° C / W
克(盎司)
IRGBC30KD2
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压? 600
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压----
集电极 - 发射极饱和电压
----
V
CE (ON)的
----
----
V
GE (日)
栅极阈值电压
3.0
V
GE (日)
/T
J
温度COEFF 。阈值电压的----
正向跨导
3.3
g
fe
零栅极电压集电极电流
----
I
CES
----
V
FM
二极管的正向压降
----
----
门极 - 发射极漏电流
----
I
GES
典型值。
----
0.30
2.5
3.3
2.5
----
-13
6.5
----
----
1.4
1.3
----
MAX 。单位
条件
----
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
---- V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安
3.8
I
C
= 14A
V
GE
= 15V
参见图。 2,5
----
V
I
C
= 23A
----
I
C
= 14A ,T
J
= 150°C
5.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
----毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
----
S
V
CE
= 100V ,我
C
= 14A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
2500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 150°C
1.7
V
I
C
= 12A
参见图。 13
1.6
I
C
= 12A ,T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
MAX 。单位
条件
58
I
C
= 14A
Q
g
13
nC
V
CC
= 400V
Q
ge
23
参见图。 8
Q
gc
----
T
J
= 25°C
t
D(上)
t
r
----
ns
I
C
= 14A ,V
CC
= 480V
170
V
GE
= 15V ,R
G
= 23
t
D(关闭)
140
能量损失包括"tail"和
t
f
----
二极管的反向恢复。
E
on
----
毫焦耳参见图。 9 , 10 , 11 , 18
E
关闭
E
ts
2.4
----
s
V
CC
= 360V ,T
J
= 125°C
t
sc
V
GE
= 15V ,R
G
= 23, V
CPK
< 500V
导通延迟时间
----
64
----
T
J
= 150°C,
参见图。 9 , 10 , 11 , 18
t
D(上)
上升时间
---- 100 ----
ns
I
C
= 14A ,V
CC
= 480V
t
r
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
---- 190 ----
V
GE
= 15V ,R
G
= 23
下降时间
---- 180 ----
能量损失包括"tail"和
t
f
总开关损耗
---- 2.2 ----
毫焦耳二极管的反向恢复。
E
ts
内置发射器电感
---- 7.5 ----
nH的测量5毫米从包
L
E
输入电容
---- 740 ----
V
GE
= 0V
C
IES
C
OES
输出电容
----
92
----
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
反向传输电容
---- 9.4 ----
= 1.0MHz的
C
水库
二极管的反向恢复时间
----
42
60
ns
T
J
= 25°C见图
t
rr
----
80 120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
二极管的峰值反向恢复电流---- 3.5 6.0
A
T
J
= 25°C见图
I
rr
---- 5.6
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
二极管的反向恢复电荷
----
80 180
NC牛逼
J
= 25°C见图
Q
rr
---- 220 600
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A /
180
s
di
( REC )M
/恢复的秋季dtDiode峰值速率----
----
A / μs的
T
J
= 25°C见图
在t
b
----
120
注意事项:
----
T
J
= 125°C = 80 % (V
CES
), V
GE
= 20V , L = 10μH ,
脉冲宽度5.0μs ,
V
CC
17
单发射击。
R
G
= 23Ω , (参见图19)
重复评价; V
GE
= 20V ,脉冲宽度的限制
由Max 。结温。 (参见图20)
脉冲宽度
为80μs ;占空比
0.1%.
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
分钟。
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
10
典型值。
39
8.7
15
67
120
110
94
1.1
0.5
1.6
----
IRGBC30KD2
15
占空比: 50 %
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
作为指定的门博士IVE
导通损耗包括
反向恢复效应
功耗= 21W
12
负载电流(A )
9
额定的60 %
电压
6
3
0
0.1
1
10
A
100
男,频率(KHz )
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
(负载电流= I
RMS
基本)
100
100
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
中T = 25℃
J
T
J
= 150°C
10
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
T
J
= 150°C
10
T
J
= 25°C
1
0.1
0.1
1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
A
10
1
5
10
V
CC
= 100V
5μs脉宽
A
15
20
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
IRGBC30KD2
25
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
最大直流电集电极电流( A)
V
GE
= 15V
6.0
V
GE
= 15V
为80μs脉冲宽度
20
5.0
I
C
= 28A
4.0
15
3.0
10
I
C
= 14A
2.0
I
C
= 7.0A
1.0
5
0
25
50
75
100
125
A
150
0.0
-60
A
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
,外壳温度( ° C)
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
10
热响应(Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
P
DM
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
t
1
t
2
注意事项:
1.职责的事实或D = T
1
/t
2
0.01
0.00001
2.峰值TJ = PDM X Z thJC + T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗,结至外壳
IRGBC30KD2
1400
1200
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
A
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CE
= 400V
I
C
= 14A
16
C,电容(pF )
1000
C
IES
800
12
C
OES
600
8
400
4
200
C
水库
0
1
10
0
0
10
20
30
A
40
100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
1.80
总的开关损耗(兆焦耳)
1.72
总的开关损耗(兆焦耳)
1.76
V
CC
V
GE
T
C
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 14A
100
R
G
= 23
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
10
I
C
= 24A
1.68
I
C
= 14A
1
1.64
I
C
= 7.0A
1.60
1.56
0
10
20
30
40
50
A
60
R
G
,栅极电阻( Ω )
0.1
-60
A
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
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