【以前的数据表指数下一页数据表PD-9.1544临时IRGBC20SD2标准速度CoPackC具有绝缘】,IC型号IRGBC20SD2,IRGBC20SD2 PDF资料,IRGBC20SD2经销商,ic,电子元器件-51电子网

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指数

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PD-9.1544

临时

IRGBC20SD2

标准速度CoPack

C

具有绝缘栅双极型晶体管

超快软恢复二极管

特点

开关损耗额定值包括所有“尾部”损失

HEXFRED

TM

软超快二极管

优化了线路频率工作（至400Hz ）

V

CES

= 600V

G

E

V

CE（

SAT

)

≤

2.4V

@V

GE

= 15V ，我

C

= 10A

描述

共同封装的IGBT是一个自然延伸

国际整流器公司的知名IGBT线。他们

提供IBGT和超快的便利

在一个包中恢复二极管，产生

实质性的好处到主机的高压，高

电流，马达控制， UPS和电源

应用程序。

N - CH A N N é升

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

V

CES

I

C

@ T

C

= 25°C

I

C

@ T

C

= 100°C

I

CM

I

LM

I

F

@ T

C

= 100°C

I

FM

V

GE

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

钳位感性负载电流

二极管连续正向电流

二极管的最大正向电流

门极 - 发射极电压

最大功率耗散

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒。

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

600

19

10

76

38

7.0

32

± 20

60

24

-55到+150

300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）

在10磅（ 1.1牛顿米）

单位

V

A

V

W

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJC

R

θCS

R

θJA

Wt

结到外壳 - IGBT

结到外壳 - 二极管

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境，典型的插座安装

重量

分钟。

------

-----

------

典型值。

------

0.50

-----

2 (0.07)

马克斯。

2.1

3.5

------

80

------

单位

° C / W

克（盎司）

TO ORDER

修订版0 ： 96年9月4日

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指数

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IRGBC20SD2

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

分钟。

V

（ BR ） CES

600

V

（ BR ） CES

/T

J

----

V

CE （ON）的

----

栅极阈值电压

3.0

V

GE （日）

V

GE （日）

/T

J

温度COEFF 。阈值电压的----

正向跨导

2.0

g

fe

零栅极电压集电极电流

----

I

CES

----

二极管的正向压降

----

V

FM

----

门极 - 发射极漏电流

----

I

GES

参数

集电极 - 发射极击穿Voltage

温度COEFF 。击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

典型值。

----

0.75

1.8

2.4

1.9

----

-11

5.8

----

1.4

1.3

----

MAX 。单位

条件

----

V

GE

= 0V时，我

C

= 250A

---- V /°C， V

GE

= 0V时，我

C

= 1.0毫安

2.4

I

C

= 10A

V

GE

= 15V

----

V

I

C

= 19A

----

I

C

= 10A ，T

J

= 150°C

5.5

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

----毫伏/°C， V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

----

S

V

CE

= 100V ，我

C

= 10A

250

A

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V

1700

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V ，T

J

= 150°C

1.7

V

I

C

= 8.0A

1.6

I

C

= 8.0A ，T

J

= 150°C

±100 nA的

V

GE

= ±20V

开关特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

Q

g

QGE

Q

gc

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

ts

L

E

C

IES

C

OES

C

水库

t

rr

I

rr

Q

rr

di

（ REC ）M

/ DT

参数

总栅极电荷（导通）

门 - 发射极电荷（导通）

门 - 收集电荷（导通）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总开关损耗

内置发射器电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的反向恢复时间

二极管的峰值反向恢复电流

二极管的反向恢复电荷

回收秋季二极管峰值速率

在t

b

分钟。

----

典型值。

1.6

2.3

7.0

72

69

820

910

0.70

3.9

4.6

78

90

1100

1800

7.0

7.5

360

36

5.2

37

55

3.5

4.5

65

124

240

210

MAX 。单位

条件

2.6

I

C

= 10A

4.0

NC V

CC

= 400V

12

----

T

J

= 25°C

----

ns

I

C

= 10A ，V

CC

= 480V

----

V

GE

= 15V ，R

G

= 5.0

----

能量损失包括"tail"和

----

二极管的反向恢复。

----

mJ

----

T

J

= 150°C,

----

ns

----

V

GE

= 15V ，R

G

= 50

----

能量损失包括"tail"和

----

毫焦耳二极管的反向恢复。

----

nH的测量5毫米从包

----

V

GE

= 0V

----

pF

V

CC

= 30V

----

= 1.0MHz的

55

ns

T

J

= 25°C

I

F

= 8.0A

90

T

J

= 125°C

5.0

A

T

J

= 25°C

V

R

= 200V

8.0

T

J

= 125°C

138

nC

T

J

= 25°C

360

T

J

= 125°C

的di / dt 200A / μs的

---- A / μs的牛逼

J

= 25°C

----

T

J

= 125°C

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指数

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IRGBC20SD2

80

F或B OT H：

牛逼RIA体中ULA R W A V E：

60

ü吨乐： 5 0 ％

TJ = 1 2 5℃

牛逼片= 9 0 ℃，

G A T E RIV E A S S小P权证ifie

P 2 O宽E R D所为s IPA吨IO N = 4 0W

拉·M P V LTA克E：

8 0 ％ F RA TE

负载电流（A ）

S Q U A重新W A V E：

40

6 0 ％ F RA TE

V OLT AG电子

20

ID EA升DIOD ES

0

0.1

1

10

A

100

男，频率（KHz ）

图。 1

- 典型负载电流与频率的关系

（负载电流= I

RMS

基本）

1000

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

100

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

10

1

0.1

1

V

摹ê

= 15V

20μs的脉冲宽度

10

A

V

C C

= 10V

5μs脉宽

1

4

6

8

10

A

12

V

权证

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

摹ê

，门极 - 发射极电压（V ）

图。 2

- 典型的输出特性

图。 3

- 典型的传输特性

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指数

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IRGBC20SD2

40

2.5

V

摹ê

= 15V

V

权证

，集电极 - 发射极电压（V ）

最大直流电集电极电流（ A）

V

摹ê

= 15V

为80μs脉冲宽度

I

C

= 40A

30

2.0

20

I

C

= 20A

1.5

10

I

C

= 10A

0

25

50

75

100

125

A

150

1.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

A

100 120 140 160

T

C

，外壳温度（ ° C）

T

J

，结温（ ° C）

图。 4

- 最大集电极电流 -

外壳温度

图。五

- 集电极 - 发射极电压 -

结温

1

D = 0.50

0.20

0 .1

0.10

0.05

S ING LE PULS ê

（T HERMA L在重新SPO NS E）

OTES ：

1 。 UTY FAC器D =吨

1

/ t

2

P

D M

t

1

t2

0.02

0.01

0.0000 1

2 。 P EA TJ = P D M X Z THJ C + T C

0.0001

0.001

0.0 1

0.1

1

10

t

1

，R ê克拉的顾拉; R P ulse 市建局化（S EC）

图。 6

- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳

TO ORDER

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指数

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IRGBC20SD2

4000

20

3000

C

即s

2000

C

OE s

V

摹ê

，G一TE-为-E米伊特尔V oltage （ V）

V

摹ê

= 0 V,

F = 1M ^ h

C

即s

= C

ge

+ C

gc

, C

权证

SH RTE

C

ES

= C

gc

C

ES

= C

权证

+ C

gc

V

CE

= 40 0V

I

C

= 20A

16

C，C APAC itan CE （PF ）

12

8

1000

C

RE S

4

0

1

10

A

100

0

20

40

60

80

100

A

120

V

权证

，C ollecto R-到-E米itte诉olta GE （ V）

Q

g

在式C公顷RGE牛逼otal G（ NC）

图。 7 -

典型的电容比。

集电极 - 发射极电压

图。 8

- 典型栅极电荷主场迎战

门极 - 发射极电压

1.8

总的开关损耗（兆焦耳）

V

C C

V

GE

T

C

I

C

= 480V

= 15V

= 25°C

= 20A

10

R

G

= 10

V

摹ê

= 15V

V

C C

= 480V

I

C

= 40A

1.6

I

C

= 20A

1

1.4

I

C

= 10A

1.2

1.0

0

10

20

30

40

50

A

60

0.1

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

A

100 120 140 160

R

G

，栅极电阻（

)

T

J

，结温（ ° C）

图。 9

- 典型的开关损耗与门

阻力

图。 10

- 典型的开关损耗与

结温

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