PD - 94613A
SMPS IGBT
WARP2系列IGBT与
超快软恢复二极管
应用
电信和服务器SMPS
PFC和ZVS开关电源电路
不间断电源
消费类电子产品电源
C
IRGB20B60PD1
V
CES
= 600V
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 2.05V
@ V
GE
= 15V我
C
= 13.0A
G
E
特点
NPT技术，正温度系数
低V
CE
（SAT）
较低的寄生电容
最小的尾电流
HEXFRED超快软恢复联合包二极管
参数的分布更为紧密
更高的可靠性
N沟道
等效MOSFET
参数
R
CE （ON）的
（典型值） 。 = 158mΩ
I
D
（ FET当量） = 20A
好处
并联运行较大电流应用
更低的传导损耗和开关损耗
更高的开关频率高达150kHz的
E
C
G
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FRM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流（参考图C.T.4 ）
钳位感性负载电流
马克斯。
600
40
22
80
80
10
4
16
±20
215
86
-55到+150
单位
V
d
A
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
最大重复正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
e
V
W
°C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
热阻
参数
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θCS
R
θJA
热阻结到案例 - （每个IGBT ）
热阻结到案例 - （每个二极管）
热电阻，凯斯到水槽（平，润滑表面）
热阻，结到环境（典型的插座安装）
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
2 (0.07)
马克斯。
0.58
5.0
–––
80
–––
单位
° C / W
克（盎司）
1
www.irf.com
12/10/03
IRGB20B60PD1
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿电压
分钟。
600
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
0.32
4.3
2.05
2.50
2.65
3.30
4.0
-11
19
1.0
0.1
1.5
1.4
—
MAX 。单位
—
—
—
2.35
2.80
3.00
3.70
5.0
—
—
250
—
1.8
1.7
±100
nA
V
V
V
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 500A
1MHz时，集电极开路
I
C
= 13A ，V
GE
= 15V
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V
I
C
= 13A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 125°C
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 125°C
I
C
= 250A
Ref.Fig
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）
4, 5,6,8,9
R
G
V
CE （ON）的
内部栅极电阻
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE （日）
V
GE （日）
/ ΔTJ
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
集电极 - 发射极漏电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
3.0
—
—
—
—
—
—
—
7,8,9
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安
s V
CE
= 50V ，我
C
= 40A ， PW =为80μs
A
mA
V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 125°C
I
F
= 4.0A ，V
GE
= 0V
I
F
= 4.0A ，V
GE
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
10
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Qg
Q
gc
Q
ge
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
C
OES
EFF 。
C
OES
EFF 。 （ ER）的
RBSOA
t
rr
Q
rr
I
rr
总栅极电荷（导通）
栅极 - 集电极费（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（时间相关）
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
68
24
10
95
100
195
20
5.0
115
6.0
165
150
315
19
6.0
125
13
1560
95
20
83
61
MAX 。单位
102
36
15
140
145
285
26
7.0
135
8.0
215
195
410
25
8.0
140
17
—
—
—
—
—
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
ns
J
ns
J
nC
I
C
= 13A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
条件
Ref.Fig
17
CT1
I
C
= 13A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 10Ω ，L = 200μH
T
J
= 25°C
CT3
f
I
C
= 13A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 10Ω ，L = 200μH
T
J
= 25°C
CT3
f
f
I
C
= 13A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 10Ω ，L = 200μH
T
J
= 125°C
I
C
= 13A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 10Ω ，L = 200μH
T
J
= 125°C
CT3
11,13
WF1,WF2
CT3
12,14
WF1,WF2
f
16
g
有效的输出电容（能源相关）
反向偏置安全工作区
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
g
—
—
F = 1MHz的
V
GE
= 0V, V
CE
= 0V至480V
T
J
= 150℃，我
C
= 80A
15
3
CT2
完整的正方形
—
—
—
—
—
—
28
38
40
70
2.9
3.7
42
57
60
105
5.2
6.7
A
nC
ns
V
CC
= 480V ， VP = 600V
RG = 22Ω ，V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 4.0A ，V
R
= 200V,
的di / dt = 200A / μs的
I
F
= 4.0A ，V
R
= 200V,
的di / dt = 200A / μs的
I
F
= 4.0A ，V
R
= 200V,
的di / dt = 200A / μs的
19
21
19,20,21,22
CT5
注意事项：
R
CE （ON）的
（典型值） 。 =等效导通电阻= V
CE （ON）的
（典型值） 。 / I
C
其中V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 2.05V和我
C
= 13A.
I
D
管（FET等效）是等效的MOSFET我
D
评级@ 25℃
应用高达150kHz的。这些提供了用于比较目的（只）以等效的MOSFET的解决方案。
V
CC
= 80% (V
CES
), V
GE
= 15V ，L = 28μH ，R
G
= 22.
脉冲宽度有限的最大。结温。
能量损失包括"tail"和二极管反向恢复。与使用二极管8ETH06的数据产生。
C
OES
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OES
而V
CE
上升，从0至80 ％的V
CES
.
C
OES
EFF的。 （ER）是一种固定电容，其存储了相同的能量为C
OES
而V
CE
上升，从0至80 ％的V
CES
.
2
www.irf.com
IRGB20B60PD1
450
400
350
300
ICE （ A）
10
9
8
T J = 25°C
TJ = 125°C
VCE （ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
ICE = 20A
ICE = 13A
ICE = 8.0A
250
200
150
100
50
0
0
5
10
VGE （ V）
15
20
0
5
10
VGE （ V）
15
20
图。 7
- 典型。传输特性
V
CE
= 50V ; TP = 10微秒
10
9
8
7
VCE （ V）
100
图。 8
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
ICE = 20A
ICE = 13A
ICE = 8.0A
10
T = 150℃
J
T = 125°C
J
T =
J
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
25°C
1
15
20
0.1
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VGE （ V）
正向电压下降 - V
(V)
FM
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 125°C
350
300
Swiching时间（纳秒）
图。 10
- 典型。二极管的正向特性
TP =为80μs
1000
250
能量（ μJ ）
宙
100
tdoff
200
150
100
50
0
0
5
10
15
IC （ A）
20
25
EOFF
Tdon
10
tF
tR
1
0
5
10
15
20
25
IC （ A）
图。 11
- 典型。能量损失与我
C
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，R
G
= 10; V
GE
= 15V.
二极管钳位使用： 8ETH06 （见C.T.3 ）
图。 12
- 典型。开关时间与我
C
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，R
G
= 10; V
GE
= 15V.
二极管钳位使用： 8ETH06 （见C.T.3 ）
4
www.irf.com
IRGB20B60PD1
250
1000
宙
200
TD关闭
Swiching时间（纳秒）
100
能量（ μJ ）
150
EOFF
Tdon
10
tF
tR
100
50
0
5
10
15
20
25
30
35
1
0
10
20
30
40
RG （
)
RG （
)
图。 13
- 典型。能量损失与
G
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，我
CE
= 13A ; V
GE
= 15V
二极管钳位使用： 8ETH06 （见C.T.3 ）
12
10
图。 14
- 典型。开关时间与
G
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，我
CE
= 13A ; V
GE
= 15V
二极管钳位使用： 8ETH06 （见C.T.3 ）
10000
资本投资者入境计划
电容（pF）
8
易拉盖（ μJ ）
1000
6
4
2
0
0
100
200
300
400
500
600
700
100
卓越中心
CRES
10
0
20
40
60
80
100
VCE （ V）
VCE （ V）
图。 15
典型值。输出电容
储能与V
CE
16
14
1.6
1.5
图。 16
典型值。电容与V
CE
V
GE
= 0V ; F = 1MHz的
归一化的V CE （上） （V ）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
12
10
400V
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
0
50
100
150
200
VGE （ V）
8
6
4
2
0
Q G，总栅极电荷（ NC）
图。 17
- 典型栅极电荷与V
GE
I
CE
= 13A
图。 18
- 标准化典型V
CE （ON）的
与
结温
I
CE
= 13A ; V
GE
= 15V
T J ，结温（ ° C）
www.irf.com
5
PD - 94613A
SMPS IGBT
WARP2系列IGBT与
超快软恢复二极管
应用
电信和服务器SMPS
PFC和ZVS开关电源电路
不间断电源
消费类电子产品电源
C
IRGB20B60PD1
V
CES
= 600V
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 2.05V
@ V
GE
= 15V我
C
= 13.0A
G
E
特点
NPT技术，正温度系数
低V
CE
（SAT）
较低的寄生电容
最小的尾电流
HEXFRED超快软恢复联合包二极管
参数的分布更为紧密
更高的可靠性
N沟道
等效MOSFET
参数
R
CE （ON）的
（典型值） 。 = 158mΩ
I
D
（ FET当量） = 20A
好处
并联运行较大电流应用
更低的传导损耗和开关损耗
更高的开关频率高达150kHz的
E
C
G
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FRM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流（参考图C.T.4 ）
钳位感性负载电流
马克斯。
600
40
22
80
80
10
4
16
±20
215
86
-55到+150
单位
V
d
A
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
最大重复正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
e
V
W
°C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
热阻
参数
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θCS
R
θJA
热阻结到案例 - （每个IGBT ）
热阻结到案例 - （每个二极管）
热电阻，凯斯到水槽（平，润滑表面）
热阻，结到环境（典型的插座安装）
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
2 (0.07)
马克斯。
0.58
5.0
–––
80
–––
单位
° C / W
克（盎司）
1
www.irf.com
12/10/03
IRGB20B60PD1
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿电压
分钟。
600
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
0.32
4.3
2.05
2.50
2.65
3.30
4.0
-11
19
1.0
0.1
1.5
1.4
—
MAX 。单位
—
—
—
2.35
2.80
3.00
3.70
5.0
—
—
250
—
1.8
1.7
±100
nA
V
V
V
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 500A
1MHz时，集电极开路
I
C
= 13A ，V
GE
= 15V
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V
I
C
= 13A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 125°C
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 125°C
I
C
= 250A
Ref.Fig
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）
4, 5,6,8,9
R
G
V
CE （ON）的
内部栅极电阻
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE （日）
V
GE （日）
/ ΔTJ
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
集电极 - 发射极漏电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
3.0
—
—
—
—
—
—
—
7,8,9
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安
s V
CE
= 50V ，我
C
= 40A ， PW =为80μs
A
mA
V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 125°C
I
F
= 4.0A ，V
GE
= 0V
I
F
= 4.0A ，V
GE
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
10
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Qg
Q
gc
Q
ge
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
C
OES
EFF 。
C
OES
EFF 。 （ ER）的
RBSOA
t
rr
Q
rr
I
rr
总栅极电荷（导通）
栅极 - 集电极费（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（时间相关）
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
68
24
10
95
100
195
20
5.0
115
6.0
165
150
315
19
6.0
125
13
1560
95
20
83
61
MAX 。单位
102
36
15
140
145
285
26
7.0
135
8.0
215
195
410
25
8.0
140
17
—
—
—
—
—
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
ns
J
ns
J
nC
I
C
= 13A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
条件
Ref.Fig
17
CT1
I
C
= 13A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 10Ω ，L = 200μH
T
J
= 25°C
CT3
f
I
C
= 13A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 10Ω ，L = 200μH
T
J
= 25°C
CT3
f
f
I
C
= 13A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 10Ω ，L = 200μH
T
J
= 125°C
I
C
= 13A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 10Ω ，L = 200μH
T
J
= 125°C
CT3
11,13
WF1,WF2
CT3
12,14
WF1,WF2
f
16
g
有效的输出电容（能源相关）
反向偏置安全工作区
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
g
—
—
F = 1MHz的
V
GE
= 0V, V
CE
= 0V至480V
T
J
= 150℃，我
C
= 80A
15
3
CT2
完整的正方形
—
—
—
—
—
—
28
38
40
70
2.9
3.7
42
57
60
105
5.2
6.7
A
nC
ns
V
CC
= 480V ， VP = 600V
RG = 22Ω ，V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 4.0A ，V
R
= 200V,
的di / dt = 200A / μs的
I
F
= 4.0A ，V
R
= 200V,
的di / dt = 200A / μs的
I
F
= 4.0A ，V
R
= 200V,
的di / dt = 200A / μs的
19
21
19,20,21,22
CT5
注意事项：
R
CE （ON）的
（典型值） 。 =等效导通电阻= V
CE （ON）的
（典型值） 。 / I
C
其中V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 2.05V和我
C
= 13A.
I
D
管（FET等效）是等效的MOSFET我
D
评级@ 25℃
应用高达150kHz的。这些提供了用于比较目的（只）以等效的MOSFET的解决方案。
V
CC
= 80% (V
CES
), V
GE
= 15V ，L = 28μH ，R
G
= 22.
脉冲宽度有限的最大。结温。
能量损失包括"tail"和二极管反向恢复。与使用二极管8ETH06的数据产生。
C
OES
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OES
而V
CE
上升，从0至80 ％的V
CES
.
C
OES
EFF的。 （ER）是一种固定电容，其存储了相同的能量为C
OES
而V
CE
上升，从0至80 ％的V
CES
.
2
www.irf.com
IRGB20B60PD1
450
400
350
300
ICE （ A）
10
9
8
T J = 25°C
TJ = 125°C
VCE （ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
ICE = 20A
ICE = 13A
ICE = 8.0A
250
200
150
100
50
0
0
5
10
VGE （ V）
15
20
0
5
10
VGE （ V）
15
20
图。 7
- 典型。传输特性
V
CE
= 50V ; TP = 10微秒
10
9
8
7
VCE （ V）
100
图。 8
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
ICE = 20A
ICE = 13A
ICE = 8.0A
10
T = 150℃
J
T = 125°C
J
T =
J
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
25°C
1
15
20
0.1
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VGE （ V）
正向电压下降 - V
(V)
FM
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 125°C
350
300
Swiching时间（纳秒）
图。 10
- 典型。二极管的正向特性
TP =为80μs
1000
250
能量（ μJ ）
宙
100
tdoff
200
150
100
50
0
0
5
10
15
IC （ A）
20
25
EOFF
Tdon
10
tF
tR
1
0
5
10
15
20
25
IC （ A）
图。 11
- 典型。能量损失与我
C
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，R
G
= 10; V
GE
= 15V.
二极管钳位使用： 8ETH06 （见C.T.3 ）
图。 12
- 典型。开关时间与我
C
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，R
G
= 10; V
GE
= 15V.
二极管钳位使用： 8ETH06 （见C.T.3 ）
4
www.irf.com
IRGB20B60PD1
250
1000
宙
200
TD关闭
Swiching时间（纳秒）
100
能量（ μJ ）
150
EOFF
Tdon
10
tF
tR
100
50
0
5
10
15
20
25
30
35
1
0
10
20
30
40
RG （
)
RG （
)
图。 13
- 典型。能量损失与
G
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，我
CE
= 13A ; V
GE
= 15V
二极管钳位使用： 8ETH06 （见C.T.3 ）
12
10
图。 14
- 典型。开关时间与
G
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，我
CE
= 13A ; V
GE
= 15V
二极管钳位使用： 8ETH06 （见C.T.3 ）
10000
资本投资者入境计划
电容（pF）
8
易拉盖（ μJ ）
1000
6
4
2
0
0
100
200
300
400
500
600
700
100
卓越中心
CRES
10
0
20
40
60
80
100
VCE （ V）
VCE （ V）
图。 15
典型值。输出电容
储能与V
CE
16
14
1.6
1.5
图。 16
典型值。电容与V
CE
V
GE
= 0V ; F = 1MHz的
归一化的V CE （上） （V ）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
12
10
400V
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
0
50
100
150
200
VGE （ V）
8
6
4
2
0
Q G，总栅极电荷（ NC）
图。 17
- 典型栅极电荷与V
GE
I
CE
= 13A
图。 18
- 标准化典型V
CE （ON）的
与
结温
I
CE
= 13A ; V
GE
= 15V
T J ，结温（ ° C）
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5
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