PD - 97391B
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
低V
CE （上）
沟道IGBT技术
低开关损耗
广场RBSOA
各部分的100 ％测试我
LM
正V
CE （上）
温度系数
超快速软恢复合作-PAK二极管
紧张的参数分布
LEAD -FREE
IRG7PH42UDPbF
IRG7PH42UD-EP
C
V
CES
= 1200V
I
C
= 45A ，T
C
= 100°C
G
E
T
J（下最大）
= 150°C
好处
高效率在宽的应用范围
适用于范围广泛，由于开关频率
低V
CE （上）
和低开关损耗
为提高可靠性坚固的瞬态性能
卓越的均流并联运行
N沟道
C
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 1.7V
C
应用
U.P.S.
焊接
太阳能逆变器
感应加热
GC
E
TO-247AC
IRG7PH42UDPbF
E
GC
TO-247AD
IRG7PH42UD-EP
G
门
C
集热器
E
辐射源
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
公称
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流（硅有限公司）
连续集电极电流（硅有限公司）
额定电流
脉冲集电极电流，V
GE
= 15V
钳位感性负载电流，V
GE
= 20V
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
马克斯。
1200
85
45
30
90
120
85
45
120
±30
320
130
-55到+150
单位
V
g
c
A
d
连续的门极 - 发射极电压
V
W
°C
热阻
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θCS
R
θJA
f
热阻结到案例 - （每个二极管）
f
热阻结到案例 - （每个IGBT ）
热电阻，凯斯到水槽（平，润滑表面）
热阻，结到环境（典型的插座安装）
参数
分钟。
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
40
马克斯。
0.39
0.56
–––
–––
单位
° C / W
1
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10/26/09
IRG7PH42UDPbF/IRG7PH42UD-EP
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
分钟。
1200
—
—
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
0.18
1.7
2.1
—
-14
32
4.4
1200
2.0
2.2
—
MAX 。单位
—
—
2.0
—
6.0
—
—
150
—
2.4
—
±100
nA
V
V
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 100A
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿电压
e
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/ ΔTJ
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
集电极 - 发射极漏电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 2.0毫安（ 25 ° C- 150 ° C）
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 25°C
V
V
S
A
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 50V ，我
C
= 30A ， PW =为80μs
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 150°C
I
F
= 30A
I
F
= 30A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±30V
毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安（ 25 °C - 150 ° C）
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
EREC
t
rr
I
rr
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
栅极 - 集电极费（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
157
21
69
2105
1182
3287
25
32
229
63
2978
1968
4946
19
32
290
154
3338
124
75
MAX 。单位
236
32
104
2374
1424
3798
34
41
271
86
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
ns
J
ns
J
nC
I
C
= 30A
V
GE
= 15V
V
CC
= 600V
条件
I
C
= 30A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω ， L = 200μH ，T
J
= 25°C
能量损失包括尾&二极管的反向恢复
I
C
= 30A ，V
CC
= 600V, V
GE
=15V
R
G
= 10Ω ， L = 200μH ，T
J
= 150°C
e
能量损失包括尾&二极管的反向恢复
F = 1.0MHz的
T
J
= 150℃，我
C
= 120A
V
CC
= 960V ， VP = 1200V
RG = 10Ω ，V
GE
= + 20V至0V
完整的正方形
—
—
—
1475
153
34
—
—
—
J
ns
A
T
J
= 150°C
V
CC
= 600V ，我
F
= 30A
RG = 10Ω ，L = 1.0mH
注意事项：
V
CC
= 80% (V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 22μH ，R
G
= 10.
脉冲宽度有限的最大。结温。
请参阅AN -1086用于测量V指引
（ BR ） CES
安全。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
基于最大允许结温计算的连续电流。
键合线限流是78A 。请注意，从加热所产生的电流限制
该器件引脚可与一些领先的安装布置发生。
2
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IRG7PH42UDPbF/IRG7PH42UD-EP
60
50
负载电流（A ）
40
30
方波：
额定的60 ％
电压
I
对于这两种：
占空比： 50 ％
TJ = 150℃
Tsink = 90℃
作为指定的栅极驱动
功耗= 95W
20
10
0
0.1
理想二极管
1
男，频率（kHz ）
10
100
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
350
300
250
80
60
P合计（W）的
IC （ A）
200
150
100
50
40
20
0
25
50
75
100
T C （ ° C）
125
150
175
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T C （ ° C）
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
1000
图。 2
- 功耗与案例
温度
1000
100
100
IC （ A）
10
DC
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1
10
100
VCE （ V）
1000
10000
100sec
1msec
IC （ A）
10
1
10
100
VCE （ V）
1000
10000
10sec
图。 3
- 正向SOA
T
C
= 25 ° C，T
J
≤
150 ℃; V
GE
=15V
图。 4
- 反向偏置SOA
T
J
= 150 ℃; V
GE
= 20V
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3
IRG7PH42UDPbF/IRG7PH42UD-EP
120
100
80
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
120
100
80
ICE （ A）
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
ICE （ A）
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
VCE （ V）
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
VCE （ V）
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP =为80μs
120
100
80
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP =为80μs
120
100
80
-40°C
25°C
150°C
ICE （ A）
如果（ A）
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
VCE （ V）
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
VF （ V）
4.0
5.0
6.0
图。 7
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 150 ℃; TP =为80μs
12
10
8
VCE （ V）
图。 8
- 典型。二极管的正向特性
TP =为80μs
12
10
8
VCE （ V）
6
4
2
0
4
8
ICE = 15A
ICE = 30A
ICE = 60A
6
4
2
0
ICE = 15A
ICE = 30A
ICE = 60A
12
VGE （ V）
16
20
4
8
12
VGE （ V）
16
20
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= -40°C
图。 10
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
4
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IRG7PH42UDPbF/IRG7PH42UD-EP
12
ICE ，集电极 - 发射极电流（A ）
120
100
80
60
40
20
0
4
8
12
VGE （ V）
16
20
4
6
8
10
12
VGE ，门极 - 发射极电压（V ）
T J = 25°C
T J = 150℃
10
8
6
4
2
0
ICE = 15A
ICE = 30A
ICE = 60A
VCE （ V）
图。 11
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 150°C
7000
6000
5000
能量（ μJ ）
图。 12
- 典型。传输特性
V
CE
= 50V
1000
tF
Swiching时间（纳秒）
4000
宙
3000
2000
EOFF
1000
0
0
10
20
30
IC （ A）
40
50
60
tdoff
100
tR
Tdon
10
0
10
20
30
IC （ A）
40
50
60
图。 13
- 典型。能量损失与我
C
T
J
= 150 ℃; L = 200μH ; V
CE
= 600V ，R
G
= 10; V
GE
= 15V
6000
图。 14
- 典型。开关时间与我
C
T
J
= 150 ℃; L = 200μH ; V
CE
= 600V ，R
G
= 10; V
GE
= 15V
10000
5000
Swiching时间（纳秒）
能量（ μJ ）
4000
宙
EOFF
1000
TD关闭
3000
tF
100
tR
Tdon
2000
1000
0
20
40
60
80
100
RG（ Ω ）
10
0
20
40
60
80
100
RG（ Ω ）
图。 15
- 典型。能量损失与
G
T
J
= 150 ℃; L = 200μH ; V
CE
= 600V ，我
CE
= 30A ; V
GE
= 15V
图。 16
- 典型。开关时间与
G
T
J
= 150 ℃; L = 200μH ; V
CE
= 600V ，我
CE
= 30A ; V
GE
= 15V
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5
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