PD -
97480
超低VF二极管绝缘栅双极晶体管
感应加热和软开关应用
IRG7PH42UD1PbF
IRG7PH42UD1-EP
V
CES
= 1200V
I
公称
= 30A
特点
低V
CE （上）
沟道IGBT技术
低开关损耗
广场RBSOA
超低V
F
二极管
1300Vpk重复瞬态能力
各部分的100 ％测试我
LM
正V
CE （上）
温度系数
紧张的参数分布
无铅封装
C
G
E
T
J（下最大）
= 150°C
N沟道
C
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 1.7V
好处
用于感应加热和软交换设备优化
应用
高效率，由于低V
CE （ON）的
低开关损耗
和超低V
F
为提高可靠性坚固的瞬态性能
卓越的均流并联运行
低EMI
C
GC
E
TO-247AC
IRG7PH42UD1PbF
E
GC
TO-247AD
IRG7PH42UD1-EP
G
门
C
集热器
E
辐射源
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
公称
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FRM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
额定电流
脉冲集电极电流，V
GE
=15V
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的重复峰值正向电流
连续的门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
马克斯。
1200
85
45
30
单位
V
g
h
d
钳位感性负载电流，V
GE
=20V
c
90
120
70
35
120
±30
313
125
-55到+150
A
V
W
°C
热阻
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θCS
R
θJA
f
热阻结到案例 - （每个二极管）
f
热阻结到案例 - （每个IGBT ）
热电阻，凯斯到水槽（平，润滑表面）
热阻，结到环境（典型的插座安装）
参数
分钟。
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
40
马克斯。
0.4
1.05
–––
–––
单位
° C / W
1
www.irf.com
3/26/10
IRG7PH42UD1PbF/IRG7PH42UD1-EP
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
V
CES （瞬态）
ΔV
（ BR ） CES
/ΔT
J
分钟。
1200
—
—
—
—
3.0
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
1.2
1.7
2.0
—
32
1.0
230
1.15
1.10
—
MAX 。单位
—
1300
—
2.0
—
6.0
—
100
—
1.30
—
±100
条件
集电极 - 发射极击穿电压
重复瞬态集电极 - 发射极电压
温度COEFF 。击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
正向跨导
集电极 - 发射极漏电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
V
CE （ON）的
V
GE （日）
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
V V
GE
= 0V时，我
C
= 100μA
V V
GE
= 0V ，T
J
= 75 ° C， PW
≤
10μs
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 2.0毫安（ 25 ° C- 150 ° C）
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 25°C
V
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 150°C
V V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安
s V
CE
= 50V ，我
C
= 30A ， PW =为80μs
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
μA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 150°C
I
F
= 30A
V
I
F
= 30A ，T
J
= 150°C
nA的V
GE
= ±30V
e
e
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
关闭
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
栅极 - 集电极费（导通）
关断开关损耗
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断开关损耗
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
180
24
70
1210
270
35
1936
300
160
3390
130
83
MAX 。单位
270
36
110
1450
290
43
—
—
—
—
—
—
nC
条件
I
C
= 30A
V
GE
= 15V
V
CC
= 600V
I
C
= 30A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω ， L = 200μH ，T
J
= 25°C
能量损失包括尾
μJ
ns
μJ
ns
I
C
= 30A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω ， L = 200μH ，T
J
= 25°C
I
C
= 30A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω ， L = 200μH ，T
J
= 150°C
能量损失包括尾
pF
完整的正方形
I
C
= 30A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω ， L = 200μH ，T
J
= 150°C
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1.0MHz的
T
J
= 150℃，我
C
= 120A
V
CC
= 960V ， VP = 1200V
RG = 10Ω ，V
GE
= + 20V至0V
注意事项：
V
CC
= 80% (V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 22μH ，R
G
= 10Ω.
脉冲宽度有限的最大。结温。
请参阅AN -1086用于测量V指引
（ BR ） CES
安全。
R
θ
测定在T
J
大约90 ℃。
基于最大允许结温计算的连续电流。键合线限流是78A 。需要注意的是电流
从设备引线加热所产生的限制，可能与某些铅的安装布置发生。
评级硬开关条件。评级是在软开关条件较高。
2
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IRG7PH42UD1PbF/IRG7PH42UD1-EP
100
不限按包
350
300
IC ，集电极电流（ A）
80
250
P合计（W）的
25
50
75
100
125
150
60
200
150
100
40
20
50
0
TC ，外壳温度（ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
TC （ ℃）
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
V GE （次） ，栅极阈值电压（标准化）
图。 2
- 功耗与案例
温度
1000
1.0
IC = 1.0毫安
0.9
100
0.8
IC （ A）
10
1
0.7
0.6
0.5
25
50
75
100
125
150
TJ ，温度（° C）
10
100
VCE （ V）
1000
10000
图。 3
- 典型栅极阈值电压
（归一化） - 结温
120
100
80
V GE = 18V
V GE = 15V
V GE = 12V
V GE = 10V
ICE （ A）
图。 4
- 反向偏置SOA
T
J
= 150 ℃; V
GE
= 20V
120
V GE = 18V
100
80
60
40
20
0
V GE = 15V
V GE = 12V
V GE = 10V
V GE = 8.0V
ICE （ A）
60
40
20
0
0
2
4
6
V GE = 8.0V
8
10
0
2
4
6
8
10
V CE （ V）
V CE （ V）
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP =为80μs
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP =为80μs
www.irf.com
3
IRG7PH42UD1PbF/IRG7PH42UD1-EP
120
100
80
VGE = 18V
VGE = 15V
140
120
100
25°C
150°C
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
如果（ A）
ICE （ A）
80
60
40
20
0
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
VF （ V）
1.5
2.0
V CE （ V）
图。 7
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 150 ℃; TP =为80μs
20
18
16
14
VCE （ V）
VCE （ V）
图。 8
- 典型。二极管的正向压降
特征
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE （ V）
ICE = 15A
ICE = 30A
ICE = 60A
12
10
8
6
4
2
0
5
10
ICE = 15A
ICE = 30A
ICE = 60A
15
20
15
VGE （ V）
20
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= -40°C
20
ICE ，集电极 - 发射极电流（A ）
120
100
80
60
40
20
0
图。 10
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
18
16
14
VCE （ V）
12
10
8
6
4
2
0
5
10
V GE （ V）
15
20
ICE = 15A
ICE = 30A
ICE = 60A
TJ = 25°C
TJ = 150℃
2
4
6
8
10
VGE ，门极 - 发射极电压（V ）
图。 11
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 150°C
图。 12
- 典型。传输特性
V
CE
= 50V ; TP = 10微秒
4
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IRG7PH42UD1PbF/IRG7PH42UD1-EP
5000
1000
4000
Swiching时间（纳秒）
EOFF
能量（ μJ ）
3000
tdoff
2000
1000
100
tF
0
0
10
20
30
40
50
60
70
I C （ A）
0
10
20
30
40
50
60
70
IC （ A）
图。 13
- 典型。能量损失与我
C
T
J
= 150 ℃; L = 200μH ; V
CE
= 600V ，R
G
= 10Ω; V
GE
= 15V
6500
图。 14
- 典型。开关时间与我
C
T
J
= 150 ℃; L = 200μH ; V
CE
= 600V ，R
G
= 10Ω; V
GE
= 15V
10000
5500
tdoff
Swiching时间（纳秒）
1000
能量（ μJ ）
4500
EOFF
3500
100
tF
2500
1500
0
25
50
75
100
125
RG（ Ω ）
10
0
20
40
60
RG（ Ω ）
80
100
120
图。 15
- 典型。能量损失与
G
T
J
= 150 ℃; L = 200μH ; V
CE
= 600V ，我
CE
= 30A ; V
GE
= 15V
10000
资本投资者入境计划
图。 16
- 典型。开关时间与
G
T
J
= 150 ℃; L = 200μH ; V
CE
= 600V ，我
CE
= 30A ; V
GE
= 15V
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V CES = 600V
V CES = 400V
电容（pF）
1000
100
卓越中心
CRES
10
0
20
40
60
80
100
VCE （ V）
VGE ，门极 - 发射极电压（V ）
0
50
100
150
200
Q G，总栅极电荷（ NC）
图。 17
- 典型。电容与V
CE
V
GE
= 0V ; F = 1MHz的
图。 18
- 典型栅极电荷与V
GE
I
CE
= 30A ; L = 680μH
www.irf.com
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