PD - 91729
初步
IRG4ZH71KD
表面贴装
额定短路
超快IGBT
C
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
电机高短路额定值优化
控制，T
sc
= 10μs的，V
CC
= 720V ，T
J
= 125°C,
V
GE
= 15V
IGBT共同封装与HEXFRED
超快，
超软恢复反并联二极管用于
桥配置
结合了低导通损耗高
开关速度
薄型低电感SMD -10封装
独立控制&电连接方便
并联
固有的良好的共面性
易于焊接检查和清洁
N沟道
V
CES
= 1200V
V
CE（
ON
）典型值=
2.89V
G
E（ K）
E
@V
GE
= 15V ，我
C
= 42A
好处
最高的功率密度和效率提供
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性
IGBT的具体应用条件优化
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
马克斯。
1200
78
42
156
156
42
156
10
± 20
350
140
-55到+150
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
SMD - 10外壳到散热片（典型值） ， *
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.44
6.0(0.21)
马克斯。
0.36
0.69
–––
–––
单位
° C / W
克（盎司）
*假设设备焊接3.0盎司铜对3.0毫米IMS /铝合金板，安装在平坦，润滑散热片。
www.irf.com
1
IRG4ZH71KD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
集电极 - 发射极击穿电压？ 1200 -
—
V
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.26 - V /°C的
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.89 3.9
— 3.73 —
V
— 2.55 —
栅极阈值电压
3.0
—
6.0
温度COEFF 。阈值电压
—
-11
- 毫伏/°C的
正向跨导
23
34
—
S
零栅极电压集电极电流
—
—
500
A
—
—
10
mA
二极管的正向压降
— 2.45 3.7
V
— 2.40 —
门极 - 发射极漏电流
—
- ±100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 4.0毫安
I
C
= 42A
V
GE
= 15V
I
C
= 78A
参见图。 2,5
I
C
= 42A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.5毫安
V
CE
= 50V ，我
C
= 42A
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 150°C
I
C
= 42A
参见图。 13
I
C
= 42A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
380
48
120
80
45
215
220
3.64
3.17
6.81
—
91
48
430
400
14.6
2.0
5620
400
94
107
160
10
16
680
1400
250
320
MAX 。单位
条件
570
I
C
= 42A
72
NC V
CC
= 400V
参见图8
180
V
GE
= 15V
—
—
T
J
= 25°C
ns
320
I
C
= 42A ，V
CC
= 800V
330
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
能量损失包括"tail"
—
兆焦耳和二极管反向恢复
9.8
参见图。 9,10,18
—
s
V
CC
= 720V ，T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
T
J
= 150°C,
参见图。 10,11,18
—
I
C
= 42A ，V
CC
= 800V
ns
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0,
—
能量损失包括"tail"
—
兆焦耳和二极管反向恢复
—
nH的测量5毫米从包
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
160
ns
T
J
= 25°C见图
240
T
J
= 125°C
14
I
F
= 42A
15
A
T
J
= 25°C见图
24
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
1020数控牛逼
J
= 25°C见图
2100
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
—
T
J
= 125°C
17
2
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IRG4ZH71KD
80
5.0
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
最大直流电集电极电流（ A）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
4.0
I
C
= 84 A
3.0
40
I
C
= 42 A
I
C
= 21 A
20
2.0
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
°
T
J
，结温（ C）
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
吨他在RM SE一l研究ES P （Z
日JC
)
D = 0.50
0.1
0.20
P
DM
0.10
0.05
0.02
0.01
注意事项：
1.负载因数D = T
t
1
t2
S IN克乐P ü LS ê
（前作R M一L R （E S） P 2 O北南E）
1
/ t
2
2.峰值TJ = P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.0001
A
100
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，R ê CTA体中ü拉; R P ü LS E D ü RA TIO N （ SE C）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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初步
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表面贴装
额定短路
超快IGBT
C
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
电机高短路额定值优化
控制，T
sc
= 10μs的，V
CC
= 720V ，T
J
= 125°C,
V
GE
= 15V
IGBT共同封装与HEXFRED
超快，
超软恢复反并联二极管用于
桥配置
结合了低导通损耗高
开关速度
薄型低电感SMD -10封装
独立控制&电连接方便
并联
固有的良好的共面性
易于焊接检查和清洁
N沟道
V
CES
= 1200V
V
CE（
ON
）典型值=
2.89V
G
E（ K）
E
@V
GE
= 15V ，我
C
= 42A
好处
最高的功率密度和效率提供
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性
IGBT的具体应用条件优化
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
马克斯。
1200
78
42
156
156
42
156
10
± 20
350
140
-55到+150
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
SMD - 10外壳到散热片（典型值） ， *
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.44
6.0(0.21)
马克斯。
0.36
0.69
–––
–––
单位
° C / W
克（盎司）
*假设设备焊接3.0盎司铜对3.0毫米IMS /铝合金板，安装在平坦，润滑散热片。
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电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
集电极 - 发射极击穿电压？ 1200 -
—
V
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.26 - V /°C的
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.89 3.9
— 3.73 —
V
— 2.55 —
栅极阈值电压
3.0
—
6.0
温度COEFF 。阈值电压
—
-11
- 毫伏/°C的
正向跨导
23
34
—
S
零栅极电压集电极电流
—
—
500
A
—
—
10
mA
二极管的正向压降
— 2.45 3.7
V
— 2.40 —
门极 - 发射极漏电流
—
- ±100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 4.0毫安
I
C
= 42A
V
GE
= 15V
I
C
= 78A
参见图。 2,5
I
C
= 42A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.5毫安
V
CE
= 50V ，我
C
= 42A
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 150°C
I
C
= 42A
参见图。 13
I
C
= 42A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
380
48
120
80
45
215
220
3.64
3.17
6.81
—
91
48
430
400
14.6
2.0
5620
400
94
107
160
10
16
680
1400
250
320
MAX 。单位
条件
570
I
C
= 42A
72
NC V
CC
= 400V
参见图8
180
V
GE
= 15V
—
—
T
J
= 25°C
ns
320
I
C
= 42A ，V
CC
= 800V
330
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
能量损失包括"tail"
—
兆焦耳和二极管反向恢复
9.8
参见图。 9,10,18
—
s
V
CC
= 720V ，T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
T
J
= 150°C,
参见图。 10,11,18
—
I
C
= 42A ，V
CC
= 800V
ns
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0,
—
能量损失包括"tail"
—
兆焦耳和二极管反向恢复
—
nH的测量5毫米从包
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
160
ns
T
J
= 25°C见图
240
T
J
= 125°C
14
I
F
= 42A
15
A
T
J
= 25°C见图
24
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
1020数控牛逼
J
= 25°C见图
2100
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
—
T
J
= 125°C
17
2
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80
5.0
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
最大直流电集电极电流（ A）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
4.0
I
C
= 84 A
3.0
40
I
C
= 42 A
I
C
= 21 A
20
2.0
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
°
T
J
，结温（ C）
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
吨他在RM SE一l研究ES P （Z
日JC
)
D = 0.50
0.1
0.20
P
DM
0.10
0.05
0.02
0.01
注意事项：
1.负载因数D = T
t
1
t2
S IN克乐P ü LS ê
（前作R M一L R （E S） P 2 O北南E）
1
/ t
2
2.峰值TJ = P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.0001
A
100
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，R ê CTA体中ü拉; R P ü LS E D ü RA TIO N （ SE C）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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