PD 91573A
IRG4PH50UD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
超快：高操作优化
频率高达40 kHz的硬开关，
>200 kHz的谐振模式
新的IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
前几代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 247AC封装
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 1200V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.78V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 24A
正查NN报
好处
比更高的开关频率能力
有竞争力的IGBT
最高的效率提供
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
1200
45
24
180
180
16
180
± 20
200
78
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
–––
6 (0.21)
马克斯。
0.64
0.83
–––
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）
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1
7/7/2000
IRG4PH50UD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
集电极 - 发射极击穿电压1200 -
—
V
温度COEFF 。的击穿电压 - 1.20 - V /°C的
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.56 3.5
— 2.78 3.7
— 3.20 —
V
— 2.54 —
栅极阈值电压
3.0
—
6.0
温度COEFF 。阈值电压
—
-13
- 毫伏/°C的
正向跨导
T
23
35
—
S
零栅极电压集电极电流
—
—
250
A
—
— 6500
二极管的正向压降
—
2.5 3.5
V
—
2.1 3.0
门极 - 发射极漏电流
—
- ±100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 20A
V
GE
= 15V
I
C
= 24A
参见图。 2,5
I
C
= 45A
I
C
= 24A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 100V ，我
C
= 24A
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 150°C
I
C
= 16A
参见图。 13
I
C
= 16A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
160
27
53
47
24
110
180
2.10
1.50
3.60
46
27
240
330
6.38
13
3600
160
31
90
164
5.8
8.3
260
680
120
76
MAX 。单位
条件
250
I
C
= 24A
40
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
80
V
GE
= 15V
—
T
J
= 25°C
—
ns
I
C
= 24A ，V
CC
= 800V
170
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
260
能量损失包括"tail"和
—
二极管的反向恢复。
—
毫焦耳参见图。 9，10， 18
4.6
—
T
J
= 150℃ ，参照图11 ， 18
—
ns
I
C
= 24A ，V
CC
= 800V
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
能量损失包括"tail"和
—
毫焦耳二极管的反向恢复。
—
nH
从包装测量5毫米
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
135
ns
T
J
= 25°C见图
14
I
F
= 16A
245
T
J
= 125°C
10
A
T
J
= 25°C见图
15
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
675
nC
T
J
= 25°C见图
1838
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
—
T
J
= 125°C
17
2
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介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
QQ：2880707522 复制
