PD - 95570
IRG4PH40UD2PbF
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
超快：高操作优化
频率高达40 kHz的硬开关，
>200 kHz的谐振模式
新的IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
前几代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 247AC封装
无铅
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.72V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 20A
N沟道
好处
比更高的开关频率能力
有竞争力的IGBT
最高的效率提供
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落。
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ TC = 100℃
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流
钳位感性负载电流
马克斯。
600
40
20
160
160
10
40
±20
160
65
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅的（ 1.1N M）
单位
V
A
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
存储温度范围，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
V
W
°C
热/机械特性
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到案例 - IGBT
结到案例 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
y
y
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
–––
6 (0.21)
马克斯。
0.77
2.5
–––
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）。
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1
07/19/04
IRG4PH40UD2PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
—
0.63
1.72
2.15
1.7
—
-13
18
—
—
—
3.4
3.3
—
条件
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
600
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
—
—
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
—
—
V
GE （日）
栅极阈值电压
3.0
V
GE （日）
/T
J
阈值电压温度。系数
—
11
GFE
正向跨导
—
I
CES
零栅极电压集电极电流
—
—
V
FM
二极管的正向压降
—
—
I
GES
门极 - 发射极漏电流
—
g
—
V V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
—
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安（ 25 ° C- 150 ° C）
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 25°C
2.1
V
I
C
= 40A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 125°C
—
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 150°C
—
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
6.0
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
s V
CE
= 100V ，我
C
= 20A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
250
2.0
μA V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
2500
3.8
V I
F
= 10A ，V
GE
= 0V
I
F
= 10A ，V
GE
= 0V ，T
J
= 150°C
3.7
±100 nA的V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
TS
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
栅极 - 集电极费（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
110
18
36
23
27
100
280
1440
1410
2850
22
32
190
630
5360
13
2100
99
12
50
72
4.4
5.9
130
250
210
180
130
24
53
—
—
110
340
—
—
3740
—
—
—
—
—
—
—
—
—
76
110
7.0
8.8
200
380
—
—
nC
条件
I
C
= 20A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 20A ，V
CC
= 600V
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
J
= 25°C
能量损失inclued "tail"
I
C
= 20A ，V
CC
= 600V
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
J
= 25°C
I
C
= 20A ，V
CC
= 600V
V
GE
= 15V ，R
G
= 10Ω ，L = 1.0mH
T
J
= 150°C
能量损失inclued "tail"
测量5毫米弗鲁姆包
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1.0MHz的
T
J
= 25 ° C，V
CC
= 200V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 125°C ，V
CC
= 200V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 200A / μs的
ns
J
ns
J
nH
pF
ns
A
nC
T
J
= 25 ° C，V
CC
= 200V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 125°C ，V
CC
= 200V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 25 ° C，V
CC
= 200V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 125°C ，V
CC
= 200V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 200A / μs的
A / μs的
T
J
= 25 ° C，V
CC
= 200V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 125°C ，V
CC
= 200V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 200A / μs的
2
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IRG4PH40UD2PbF
4000
3500
3000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
IES = C GE + C GD ，C CE短路
RES = C GC
OES = C CE + C GC
14.0
IC = 20A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VCC = 400V
电容（pF）
2500
2000
1500
资本投资者入境计划
卓越中心
1000
500
0
1
10
CRES
0
20
40
60
80
100
120
VCE ，集电极toEmitter电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
3500
VCE = 600V
VGE = 15V
11000
10000
R G = 10
IC = 40A
总Swiching损失（兆焦耳）
3250
总Swiching损失（兆焦耳）
TJ = 25°C
I C = 20A
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
VGE = 15V
3000
IC = 20A
2750
IC = 10A
-55
-5
45
95
145
2500
0
10
20
30
40
50
0
RG ，栅极电阻（
)
T J ， Juntion温度（ ℃）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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