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PD - 95239
IRG4PH40UD2-EP
超快IGBT高操作优化
频率高达200kHz的谐振模式
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快
超软恢复为在使用反并联二极管
谐振电路
行业标准的TO- 247AD封装，
扩展线索
LEAD -FREE
特点
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 1200V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.43V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 21A
好处
N沟道
应用
比更高的开关频率能力
有竞争力的IGBT
最高的效率提供
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
感应烹饪系统
微波炉
谐振电路
TO-247AD
参数
马克斯。
1200
41
21
82
82
10
40
±20
160
65
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅的（ 1.1N M）
绝对最大额定值
单位
V
A
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流
钳位感性负载电流
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ TC = 100℃
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
d
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
存储温度范围，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
V
W
°C
y
y
热/机械特性
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到案例 - IGBT
结到案例 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
–––
6 (0.21)
马克斯。
0.77
2.5
–––
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）。
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1
7/27/04
IRG4PH40UD2-EP
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CES
V
（ BR ）， ECS
发射极 - 集电极击穿电压
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
e
1200
18
—
—
—
—
3.0
—
16
—
—
—
—
—
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
0.43
2.43
2.97
2.47
—
-11
24
—
—
3.4
3.3
—
条件
f
—
V V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
—
V V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
—
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
I
C
= 21A
V
GE
= 15V
3.1
V
I
C
= 41A
—
参照图2 ， 5
I
C
= 21A ，T
J
= 150°C
—
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
6.0
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
s V
CE
= 100V ，我
C
= 21A
250
μA V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 150°C
5000
3.8
V I
F
= 10A见图13
I
F
= 10A ，T
J
= 150°C
3.7
±100 nA的V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
TS
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
栅极 - 集电极费（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
18
34
22
26
100
200
1950
1710
3660
21
25
220
380
6220
13
2100
99
12
50
72
4.4
5.9
130
250
210
180
150
24
50
—
—
140
300
—
—
4490
—
—
—
—
—
—
—
—
—
76
110
7.0
8.8
200
380
—
—
nC
条件
I
C
= 21A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
参见图8
ns
J
I
C
= 21A ，V
CC
= 800V
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
能量损失包括"tail"和
二极管的反向恢复。
参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
I
C
= 21A ，V
CC
= 800V
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
能量损失包括"tail"和
二极管的反向恢复。
从包装测量5毫米
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V,
见图7
F = 1.0MHz的
T
J
=25°C
T
J
=125°C
见图
14
见图
15
见图
16
见图
17
的di / dt = 200A / μs的
V
R
= 200V
I
F
= 8.0A
ns
J
nH
pF
ns
A
nC
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
A / μs的
T
J
=25°C
T
J
=125°C
2
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IRG4PH40UD2-EP
50
45
40
方波：
额定的60 ％
电压
I
负载电流（A ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
理想二极管
对于这两种：
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
作为指定的栅极驱动
功耗= 35W
100
男，频率（kHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
o
C
10
10
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C
1
1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
10
1
5
6
7
V
CC
= 50V
5μs脉宽
8
9
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4PH40UD2-EP
50
4.0
40
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
最大直流电集电极电流（ A）
I
C
= 42 A
3.0
30
I
C
= 21 A
I
C
=10.5 A
2.0
20
10
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
T
J
结温（℃
°
C)
J
,
，结温（
)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4PH40UD2-EP
4000
3500
3000
VGE ，门极 - 发射极电压（V ）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
IES = C GE + C GD ，C CE短路
RES = C GC
OES = C CE + C GC
20
VCE = 400V
IC = 21A
16
电容（pF）
2500
2000
1500
资本投资者入境计划
12
8
卓越中心
1000
500
0
1
10
4
CRES
0
0
20
40
60
80
100
120
VCE ，集电极toEmitter电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
5
4.8
VCE = 800V
VGE = 15V
TJ = 25°C
I C = 21A
100
R G = 10
VGE = 15V
VCC = 800V
4.6
4.4
4.2
4
3.8
3.6
0
总的开关损耗（兆焦耳）
总Swiching损失（兆焦耳）
I C = 42A
10
I C = 21A
I C = 10.5A
1
10
20
30
40
50
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
RG ，栅极电阻（ Ω ）
T J ，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
www.irf.com
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IRKUF82-04HLN
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ICS854054AGT
IRKH210-14
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IC61C6416-12KI
IDT71V3577SA80BGGI
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