IRG4PC60F-P
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
MIN 。 TYP 。
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
600
—
发射极 - 集电极击穿电压
T
16
—
V
（ BR ）， ECS
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压 -
0.13
—
1.5
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
—
1.7
—
1.5
V
GE （日）
栅极阈值电压
3.0
—
V
GE （日）
/T
J
温度COEFF 。阈值电压
—
-11
g
fe
正向跨导
U
36
69
—
—
I
CES
零栅极电压集电极电流
—
—
—
—
I
GES
门极 - 发射极漏电流
—
—
MAX 。单位
条件
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
—
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15V
1.8
I
C
= 60A
—
I
C
= 90A
参照图2 ， 5
V
—
I
C
= 60A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
S
V
CE
=
100V ，我
C
= 60A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
±100 nA的V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
290
40
100
42
66
310
170
0.30
4.6
4.9
39
66
470
300
8.8
13
6050
360
66
MAX 。单位
条件
340
I
C
= 40A
47
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
130
V
GE
= 15V
—
—
T
J
= 25°C
ns
360
I
C
= 60A ，V
CC
= 480V
220
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
能量损失包括"tail"
—
mJ
参见图。 10，11 ，13，14
6.3
—
T
J
= 150°C,
—
I
C
= 60A ，V
CC
= 480V
ns
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
能量损失包括"tail"
—
mJ
参见图。 13，第14
—
nH
从包装测量5毫米
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
注意事项：
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图13b）的
R
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， RG = 5.0W 。
（参见图13A ）
S
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
T
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
Q
U
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
V
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10
材料）。对于推荐的足迹和焊接
技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
W
请参考应用笔记＃ 1023 ， "Surface安装的
大Devices."
2
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电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
MIN 。 TYP 。
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
600
—
发射极 - 集电极击穿电压
T
16
—
V
（ BR ）， ECS
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压 -
0.13
—
1.5
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
—
1.7
—
1.5
V
GE （日）
栅极阈值电压
3.0
—
V
GE （日）
/T
J
温度COEFF 。阈值电压
—
-11
g
fe
正向跨导
U
36
69
—
—
I
CES
零栅极电压集电极电流
—
—
—
—
I
GES
门极 - 发射极漏电流
—
—
MAX 。单位
条件
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
—
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15V
1.8
I
C
= 60A
—
I
C
= 90A
参照图2 ， 5
V
—
I
C
= 60A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
S
V
CE
=
100V ，我
C
= 60A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
±100 nA的V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
290
40
100
42
66
310
170
0.30
4.6
4.9
39
66
470
300
8.8
13
6050
360
66
MAX 。单位
条件
340
I
C
= 40A
47
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
130
V
GE
= 15V
—
—
T
J
= 25°C
ns
360
I
C
= 60A ，V
CC
= 480V
220
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
能量损失包括"tail"
—
mJ
参见图。 10，11 ，13，14
6.3
—
T
J
= 150°C,
—
I
C
= 60A ，V
CC
= 480V
ns
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
能量损失包括"tail"
—
mJ
参见图。 13，第14
—
nH
从包装测量5毫米
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
注意事项：
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图13b）的
R
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， RG = 5.0W 。
（参见图13A ）
S
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
T
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
Q
U
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
V
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10
材料）。对于推荐的足迹和焊接
技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
W
请参考应用笔记＃ 1023 ， "Surface安装的
大Devices."
2
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