PD 91471B
IRG4PC50UD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
超快：高操作优化
频率8-40 kHz的硬开关， >200
kHz的谐振模式
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 247AC封装
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.65V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 27A
N-CH的NEL
好处
第四代IGBT的报价最高效率
可用的
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外IGBT的
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
55
27
220
220
25
220
± 20
200
78
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
------
------
------
-----
------
典型值。
------
------
0.24
-----
6 (0.21)
马克斯。
0.64
0.83
------
40
------
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
12/30/00
IRG4PC50UD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
集电极 - 发射极击穿电压600 ---- ----
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压---- 0.60 ----
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
---- 1.65 2.0
I
C
= 27A
V
GE
= 15V
---- 2.0 ----
V
I
C
= 55A
参见图。 2,5
---- 1.6 ----
I
C
= 27A ，T
J
= 150°C
栅极阈值电压
3.0 ---- 6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
温度COEFF 。阈值电压的---- ---- -13毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
g
fe
正向跨导
T
16
24
----
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 27A
零栅极电压集电极电流
----
---- 250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
I
CES
----
---- 6500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
V
FM
二极管的正向压降
---- 1.3 1.7
V
I
C
= 25A
参见图。 13
---- 1.2 1.5
I
C
= 25A ，T
J
= 150°C
I
GES
门极 - 发射极漏电流
----
---- ± 100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
典型值。
180
25
61
46
25
140
74
0.99
0.59
1.58
44
27
240
130
2.3
13
4000
250
52
50
105
4.5
8.0
112
420
250
160
MAX 。单位
条件
270
I
C
= 27A
38
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
90
V
GE
= 15V
----
T
J
= 25°C
----
ns
I
C
= 27A ，V
CC
= 480V
230
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
110
能量损失包括"tail"和
----
二极管的反向恢复。
----
毫焦耳参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
1.9
----
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
----
ns
I
C
= 27A ，V
CC
= 480V
----
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
----
能量损失包括"tail"和
----
毫焦耳二极管的反向恢复。
----
nH
从包装测量5毫米
----
V
GE
= 0V
----
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
----
= 1.0MHz的
75
ns
T
J
= 25°C见图
160
T
J
= 125°C
14
I
F
= 25A
10
A
T
J
= 25°C见图
15
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
375
nC
T
J
= 25°C见图
1200
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
----
A / μs的牛逼
J
= 25°C
----
T
J
= 125°C
2
www.irf.com
IRG4PC50UD
40
ü TY 共青团E： 5 0 ％
T J = 1 25℃
牛逼罪K = 90℃
GA TE 里沃A S SPE cifi版
只适用于车削-on罗小规模企业包括执行程序hpso德
肌力华氏度亮采RSE重新COV红霉素
P 2 O宽E R D所issipa化= 4 0胜
30
罗亚维C urre NT （A ）
20
6 0 ％华氏度流量d
V LTA克é
10
0
0.1
1
10
A
100
男，频率UEN CY （馀Z）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
I
C
，C LLE构造函数对-E米伊特尔铜④此T（A ）
1000
1000
100
I
C
，C ollec到R-到EM itte R C RRE NT （ A）
100
10
T
J
= 1 5 0 °C
T
J
= 1 5 0°C
T
J
= 2 5 °C
1
10
T
J
= 2 5 °C
0.1
0
1
V
GE
= 15V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
A
10
1
4
6
8
V
C C
= 1 0 V
5 μ S·P ü LS东西TH ID
A
10
12
V
权证
，C LLE C到R-为-E米itte诉 LTA克E（ V）
V
摹ê
，G一德以诚-E米itte诉 LTA克E（ V）
图。 2
- 典型的输出特性
www.irf.com
图。 3
- 典型的传输特性
3
IRG4PC50UD
60
50
V
CE
，C欧莱构造函数对-E米itte诉oltage （ V）
V
摹ê
= 15 V
2.5
M aximum D C集电极电流（A ）
V
摹ê
= 1 5V
8 0微秒P ü L南东西TH ID
I
C
= 5 4 A
40
2.0
30
I
C
= 2 7 A
1.5
20
I
C
= 14 A
10
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120
A
140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
J
鞠N c个TIO Nテ米P·E RA TU RE（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
温度
例
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
牛逼 马币一l研究（E S） P 0：N SE （Z
THJ
)
D = 0 .5 0
0 .2 0
0 .1
0 .1 0
0 .0 5
S IN摹L E P ü L性S E
（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）
OTE S：
1 。 ü TY F交流吨或D = T
1
/t
2
P
D M
t
1
t
2
0 .0 2
0 .0 1
0 .0 1
0 .0 0 0 0 1
2 。 P·E A K TJ = P D M X Z第j个C + T C
0 .0 0 0 1
0 .0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
10
t
1
，R EC TA NGU拉; R P ü LS E D市建局作（秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
4
www.irf.com
IRG4PC50UD
8000
20
V
摹ê
，门极 - 发射极电压（V ）
V
GE
C
即s
C
RE S
C
OES
=
=
=
=
0V ,
F = 100万赫兹
C
ge
+ C
gc
, C
ce
SH TED
C
gc
C
ce
+ C
gc
V
权证
= 400V
I
C
= 27A
16
C，电容（pF ）
6000
C
即s
12
4000
C
OES
2000
8
C
水库
4
0
1
10
A
100
0
0
40
80
120
160
A
200
V
权证
，C LLE C到R-为-E米itte诉 LTA克E（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
3.0
总的开关损耗（兆焦耳）
牛逼OTA升S瓦特瘙痒损失ES （ M·J ）
V
CC
V
GE
T
J
I
C
= 480V
= 15V
= 2 5 °C
= 27A
10
I
C
= 54A
2.5
I
C
= 27A
1
2.0
I
C
= 14A
1.5
1.0
0
10
20
30
40
50
A
60
0.1
R
G
= 5.0
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
A
160
R
G
，G一德 （E S）是TA N c个E（
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
www.irf.com
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
QQ：2881677436 复制
