PD -94912
IRG4PC40KDPbF
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
额定短路超快：优化
高工作频率>5.0 kHz和短
电路额定为10μs @ 125°C ，V
GE
= 15V
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 247AC封装
无铅
C
额定短路
超快IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.1V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 25A
N沟道
好处
第4代的IGBT提供最高效率
可用的
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
设计为一个"drop - in"替代
相当于行业标准的第三代红外的IGBT
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
42
25
84
84
15
84
10
± 20
160
65
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
典型值。
0.24
6 (0.21)
马克斯。
0.77
1.7
40
单位
° C / W
克（盎司）
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1
12/29/03
IRG4PC40KDPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
集电极 - 发射极击穿电压？ 600 -
V
温度COEFF 。击穿电压的？ 0.46 ？ V /°C的
集电极 - 发射极饱和电压
2.10 2.6
2.70
V
2.14
栅极阈值电压
3.0
6.0
温度COEFF 。阈值电压
-13
- 毫伏/°C的
正向跨导
7.0
14
S
零栅极电压集电极电流
250
A
3500
二极管的正向压降
1.3 1.7
V
1.2 1.6
门极 - 发射极漏电流
- ±100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 25A
V
GE
= 15V
参见图。 2,5
I
C
= 42A
I
C
= 25A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 100V ，我
C
= 25A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
I
C
= 15A
参见图。 13
I
C
= 15A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
10
TYP 。 MAX 。单位
条件
120 180
I
C
= 25A
16
24
nC
V
CC
= 400V
参见图8
51
77
V
GE
= 15V
53
33
T
J
= 25°C
ns
110 160
I
C
= 25A ，V
CC
= 480V
100 150
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
0.95
能量损失包括"tail"
0.76
毫焦耳参见图。 9,10,14
1.71 2.3
s
V
CC
= 360V ，T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ，R
G
= 10 , V
CPK
< 500V
52
T
J
= 150°C,
37
I
C
= 25A ，V
CC
= 480V
ns
220
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
140
能量损失包括"tail"
2.67
毫焦耳参见图。 11,14
13
nH
从包装测量5毫米
1600
V
GE
= 0V
130
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
55
= 1.0MHz的
42
60
ns
T
J
= 25°C见图
74 120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 15A
4.0 6.0
A
T
J
= 25°C见图
6.5
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
80 180
nC
T
J
= 25°C
参见图。
220 600
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200Aμs
188
A / μs的牛逼
J
= 25°C
参见图。
160
T
J
= 125°C
17
2
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