PD 91464B
IRG4PC40FD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
快速：针对媒体工作
频率（ 1-5千赫在硬开关， >20
kHz的谐振模式）。
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 247AC封装
C
快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.50V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 27A
正查NN报
好处
代-4 IGBT的报价最高效率
可用的
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外IGBT的
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
49
27
200
200
15
200
± 20
160
65
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
------
------
------
-----
------
典型值。
------
------
0.24
-----
6 (0.21)
马克斯。
0.77
1.7
------
40
------
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
12/30/00
IRG4PC40FD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。
集电极 - 发射极击穿电压600
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压----
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
----
----
----
栅极阈值电压
3.0
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
温度COEFF 。阈值电压的----
g
fe
正向跨导
T
9.2
零栅极电压集电极电流
----
I
CES
----
V
FM
二极管的正向压降
----
----
I
GES
门极 - 发射极漏电流
----
TYP 。 MAX 。单位
----
----
V
0.70 ---- V /°C的
1.50 1.7
1.85 ----
V
1.56 ----
---- 6.0
---- -12毫伏/°C的
12
----
S
---- 250
A
---- 3500
1.3 1.7
V
1.2 1.6
---- ± 100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 27A
V
GE
= 15V
I
C
= 49A
参见图。 2,5
I
C
= 27A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 100V ，我
C
= 27A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
I
C
= 15A
参见图。 13
I
C
= 15A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
典型值。
100
15
35
63
32
230
170
0.95
2.01
2.96
63
33
350
310
4.7
13
2200
140
29
42
74
4.0
6.5
80
220
188
160
MAX 。单位
条件
150
I
C
= 27A
23
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
53
V
GE
= 15V
----
T
J
= 25°C
----
ns
I
C
= 27A ，V
CC
= 480V
350
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
250
能量损失包括"tail"和
----
二极管的反向恢复。
----
mJ
参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
4.0
----
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
----
ns
I
C
= 27A ，V
CC
= 480V
----
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
----
能量损失包括"tail"和
----
mJ
二极管的反向恢复。
----
nH
从包装测量5毫米
----
V
GE
= 0V
----
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
----
= 1.0MHz的
60
ns
T
J
= 25°C见图
120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 15A
6.0
A
T
J
= 25°C见图
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
180
nC
T
J
= 25°C见图
600
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
---- A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
----
T
J
= 125°C
17
2
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IRG4PC40FD
40
30
负载电流（A ）
值班 ycle ： 5 0 ％
T
J
= 1 25°C
T
SINK
= 90°C
吃DRIV ê作为SPE cified
开启0：N losse s包括
对转ERSE RECO非常肌力作用
P流器剐issipation = 35W
20
6 0 ％ F RA TE
V olta克é
10
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
1000
1000
(A)
I
C
，集电极 - 发射极电流
T
J
= 25°C
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
T
J
= 150°C
T
J
= 15 0°C
10
10
T
J
= 25°C
1
1
V
摹ê
= 15V
20μs的PU LSE W ID TH
A
10
1
5
6
7
8
V
C C
= 50V
5μs脉宽
A
9
10
11
12
V
CE
， COLLEC器到EM伊特尔V oltage （ V）
V
摹ê
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
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图。 3
- 典型的传输特性
3
IRG4PC40FD
50
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
摹ê
= 15 V
2.5
V
摹ê
= 15V
为80μs脉冲宽度
I
C
= 54A
M的Axim嗯 C C ollector光凭目前 （A ）
40
2.0
30
20
I
C
= 27A
1.5
10
I
C
= 14A
1.0
0
25
50
75
100
125
150
A
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120
140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
千卡人响应（Z
日JC
)
D = 0 .5 0
0.2 0
0 .1
0.1 0
0 .05
单摹LE P UL SE
（T ^ h ER M A L R é SP NS E）
释：
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/ t2
P
D M
t
1
t2
0.0 2
0.0 1
0 .0 1
0 .0 0 0 0 1
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日J·C
+ T C
0 .0 0 0 1
0 .0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
10
t
1
，R ectangular脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4PC40FD
4000
V
GE
= 0V
F = 1 MHz的
20
C，电容（pF ）
卓越中心= CCE + CGC
3000
V
摹ê
，门极 - 发射极电压（V ）
资本投资者入境计划= Cge的+ CGC + CCE
CRES = CCE
短
V
权证
= 400V
I
C
= 27A
16
C
IES
2000
12
8
1000
C
OE s
C
水库
4
0
1
10
A
100
0
0
20
40
60
80
100
A
120
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
3.3
总Switchig损失（兆焦耳）
总Switchig损失（兆焦耳）
V
C C
V
摹ê
T
J
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 27A
100
R
G
= 10
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
3.2
10
I
C
= 54A
I
C
= 27A
I
C
= 14A
3.1
1
3.0
0
10
20
30
40
50
A
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
A
160
R
G
，栅极电阻（
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
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图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
QQ：2880707522 复制
