介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
IRG4PC40F
80
F 波次：
牛逼RIA NGU拉 WA V E：
60
ü TY CLE ： 5 0 ％
T
J
= 1 2 5 °C
T
SINK
= 9 0 °C
克忒 RIV E A S S小P权证ifie
P流ê R d为的IP一个TIO N = 3 5 W
负载电流（A ）
蛤P VO LTA克E：
8 0 ％ F RA特德
S Q U A重新W A V E：
40
60 ％ F RA TE
武LTA GE
20
IDE中的l D同时IO德s
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（方波， I = I
RMS
的根本;为三角波， I = I
PK
)
1000
1000
(A)
I
C
，集电极 - 发射极电流
T
J
= 25°C
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
T
J
= 150°C
T
J
= 15 0°C
10
10
T
J
= 25°C
1
1
V
摹ê
= 15V
20μs的PU LSE W ID TH
A
10
1
5
6
7
8
V
C C
= 50V
5μs脉宽
A
9
10
11
12
V
CE
， COLLEC器到EM伊特尔V oltage （ V）
V
摹ê
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
3
www.irf.com
IRG4PC40F
50
V
摹ê
= 15 V
2.5
V
摹ê
= 15V
为80μs脉冲宽度
I
C
= 54A
M的Axim嗯 C C ollector光凭目前 （A ）
40
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
2.0
30
20
I
C
= 27A
1.5
10
I
C
= 14A
1.0
0
25
50
75
100
125
150
A
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
千卡人响应（Z
日JC
)
D = 0 .5 0
0.2 0
0 .1
0.1 0
0 .05
单摹LE P UL SE
（T ^ h ER M A L R é SP NS E）
释：
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/ t2
P
D M
t
1
t2
0.0 2
0.0 1
0 .0 1
0 .0 0 0 0 1
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日J·C
+ T C
0 .0 0 0 1
0 .0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
10
t
1
，R ectangular脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
www.irf.com
IRG4PC40F
4000
V
GE
= 0V
F = 1 MHz的
资本投资者入境计划= Cge的+ CGC + CCE
CRES = CCE
卓越中心= CCE + CGC
3000
20
短
V
权证
= 400V
I
C
= 27A
V
摹ê
，门极 - 发射极电压（V ）
C，电容（pF ）
16
C
IES
2000
12
8
1000
C
OE s
C
水库
4
0
1
10
A
100
0
0
20
40
60
80
100
A
120
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
2.60
总Switchig损失（兆焦耳）
2.50
总的开关损耗（兆焦耳）
V
C C
= 480V
V
摹ê
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 27A
10
I
C
= 54A
I
C
= 27A
2.40
1
I
C
= 14A
2.30
2.20
2.10
0
10
20
30
40
50
A
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
R
G
= 10
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
100
120
140
A
160
R
G
，栅极电阻
()
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
www.irf.com
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
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