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PD - 94924
IRG4PC30WPbF
绝缘栅双极晶体管
用于开关模式电源设计明确
供应和PFC （功率因数校正）
应用
行业标杆开关损耗提高
所有的电源拓扑结构的效率
减少50％的Eoff参数
低IGBT的导通损耗
最新一代IGBT的设计和施工报价
更严格的参数分布，卓越的可靠性
无铅
特点
C
V
CES
= 600V
G
E
V
CE（上）最大。
=
2.70V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 12A
N沟道
好处
更低的开关损耗，让更具成本效益
操作比功率MOSFET高达150千赫
（ "hard switched"模式）
特别有利于单端转换器和
升压PFC拓扑150W及以上
低导通损耗和最小的少数载流子
重组使这些一个很好的选择
谐振模式的切换，以及（高达>>300 kHz）的
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
TO-247AC
马克斯。
600
23
12
92
92
± 20
180
100
42
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
0.24
6 (0.21)
马克斯。
1.2
40
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
12/30/03
IRG4PC30WPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ）， ECS
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
I
GES
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压
600
发射极 - 集电极击穿电压
18
温度COEFF 。击穿电压的？ 0.34
2.1
集电极 - 发射极饱和电压
2.45
1.95
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压
-11
正向跨导
11
16
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
MAX 。单位
条件
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.7
I
C
= 12A
V
GE
= 15V
I
C
= 23A
参照图2 ， 5
V
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
S
V
CE
=
100 V，I
C
= 12A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
±100 N A V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项：
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
典型值。
51
7.6
18
25
16
99
67
0.13
0.13
0.26
24
17
150
150
0.55
13
980
71
18
MAX 。单位
条件
76
I
C
= 12A
11
nC
V
CC
= 400V
参见图8
27
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
ns
150
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
100
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
能量损失包括"tail"
毫焦耳参见图。 10，11 ，13，14
0.35
T
J
= 150°C,
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
ns
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
能量损失包括"tail"
毫焦耳参见图。 13，第14
nH
从包装测量5毫米
V
GE
= 0V
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
= 1.0MHz的
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图13b）的
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 10μH ，R
G
= 23,
（参见图13A ）
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
2
www.irf.com
IRG4PC30WPbF
40
对于这两种：
三角波：
负载电流（A ）
30
占空比： 50 ％
T J = 125°C
牛逼片= 90℃
作为指定的栅极驱动
功耗= 24W
钳位电压：
80 ％的额定
方波：
20
额定的60 ％
电压
10
理想二极管
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
（方波， I = I
RMS
的根本;为三角波， I = I
PK
)
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
°
C
10
T
J
= 150
°
C
10
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
1
1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
1
10
0.1
5.0
V
CC
= 50V
5μs脉宽
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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3
IRG4PC30WPbF
最大直流电集电极电流（A
25
V
GE
= 15V
3.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
I
C
= 24 A
20
2.5
15
I
C
= 12 A
2.0
10
I
C
=
6A
5
0
25
50
75
100
125
A
150
1.5
-60 -40 -20
0
20 40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（ ° C）
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
结温
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4PC30WPbF
2000
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CC
= 400V
I
C
= 12A
16
C，电容（pF ）
1500
资本投资者入境计划
1000
12
8
500
卓越中心
CRES
4
0
0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.5
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
0.4
I
C
= 12A
10
23
R
G
=欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
I
C
=
24
A
1
0.3
I
C
=
12
A
I
C
=
0.1
6
A
0.2
0.1
0.0
0
10
20
30
40
50
0.01
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
R
，栅极电阻（欧姆）
G
，栅极电阻
()
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
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    IRG4PC30WPBF
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