PD- 91825
IRG4CC10KB
IRG4CC10KB模具IGBT晶圆形式
C
600 V
尺寸1
G
E
速度超快
额定短路
6"晶圆
电气特性（晶圆表）
参数
V
CE （上）
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
描述
集电极 - 发射极饱和电压
Colletor - 发射极击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
保证（最小/最大）
4.5V最大。
600V民。
3.0V最小， 6.5V最大。
250μA最大。
± 1.1μA最大。
测试条件
I
C
= 1.5A ，T
J
= 25 ° C，V
GE
= 15V
T
J
= 25 ° C，I
CES
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, T
J
= 25 ° C，I
C
=250A
T
J
= 25 ° C，V
CE
= 600V
T
J
= 25 ° C，V
GE
= +/- 20V
机械数据
标称Backmetal组成，厚度：
标称正面金属组成，厚度：
尺寸：
晶圆直径：
晶圆厚度：
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
墨点位置
推荐的存储环境：
推荐模具附加条件
参考标准封装的IR部分（设计） ： IRG4BC10K
CR - NIV-银（ 1 KA- 2KA - 2.5KA ）
99 ％的Al， 1 ％的Si （4微米）的
0.080" X 0.120"
150毫米，性病。 < 100 >平
0.015" + / -.003"
01-5274
100微米
0.25毫米直径最小
全相同晶片一致
储存于原装容器中，在dessicated
氮气，没有污染
为了获得最佳的电气结果，芯片粘接
温度不应超过300℃的
模具大纲
www.irf.com
12\4\98
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IRG4CC10KB
IRG4CC10KB模具IGBT晶圆形式
C
600 V
尺寸1
G
E
速度超快
额定短路
6"晶圆
电气特性（晶圆表）
参数
V
CE （上）
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
描述
集电极 - 发射极饱和电压
Colletor - 发射极击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
保证（最小/最大）
4.5V最大。
600V民。
3.0V最小， 6.5V最大。
250μA最大。
± 1.1μA最大。
测试条件
I
C
= 1.5A ，T
J
= 25 ° C，V
GE
= 15V
T
J
= 25 ° C，I
CES
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, T
J
= 25 ° C，I
C
=250A
T
J
= 25 ° C，V
CE
= 600V
T
J
= 25 ° C，V
GE
= +/- 20V
机械数据
标称Backmetal组成，厚度：
标称正面金属组成，厚度：
尺寸：
晶圆直径：
晶圆厚度：
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
墨点位置
推荐的存储环境：
推荐模具附加条件
参考标准封装的IR部分（设计） ： IRG4BC10K
CR - NIV-银（ 1 KA- 2KA - 2.5KA ）
99 ％的Al， 1 ％的Si （4微米）的
0.080" X 0.120"
150毫米，性病。 < 100 >平
0.015" + / -.003"
01-5274
100微米
0.25毫米直径最小
全相同晶片一致
储存于原装容器中，在dessicated
氮气，没有污染
为了获得最佳的电气结果，芯片粘接
温度不应超过300℃的
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