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PD - 95173
IRG4BC30WPbF
绝缘栅双极晶体管
特点
用于开关模式电源设计明确
供应和PFC （功率因数校正）
应用
行业标杆开关损耗提高
所有的电源拓扑结构的效率
减少50％的Eoff参数
低IGBT的导通损耗
最新一代IGBT的设计和施工报价
更严格的参数分布，卓越的可靠性
无铅
C
V
CES
= 600V
G
E
V
CE（上）最大。
=
2.70V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 12A
N沟道
好处
更低的开关损耗，让更具成本效益
操作比功率MOSFET高达150千赫
（ "hard switched"模式）
特别有利于单端转换器和
升压PFC拓扑150W及以上
低导通损耗和最小的少数载流子
重组使这些一个很好的选择
谐振模式的切换，以及（高达>>300 kHz）的
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
S
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
23
12
92
92
± 20
180
100
42
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
0.50
–––
1.44
马克斯。
1.2
–––
80
–––
单位
° C / W
g
www.irf.com
1
04/23/04
IRG4BC30WPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ）， ECS
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
I
GES
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压
600
—
发射极 - 集电极击穿电压
T
18
—
温度COEFF 。击穿电压的？ 0.34
—
2.1
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.45
— 1.95
栅极阈值电压
3.0
—
温度COEFF 。阈值电压
—
-11
正向跨导
U
11
16
—
—
零栅极电压集电极电流
—
—
—
—
门极 - 发射极漏电流
—
—
MAX 。单位
条件
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
—
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.7
I
C
= 12A
V
GE
= 15V
—
I
C
= 23A
参照图2 ， 5
V
—
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
S
V
CE
=
100 V，I
C
= 12A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
±100 nA的V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项：
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
51
7.6
18
25
16
99
67
0.13
0.13
0.26
24
17
150
150
0.55
7.5
980
71
18
MAX 。单位
条件
76
I
C
= 12A
11
nC
V
CC
= 400V
参见图8
27
V
GE
= 15V
—
—
T
J
= 25°C
ns
150
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
100
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
—
能量损失包括"tail"
—
毫焦耳参见图。 9，10 ，13，14
0.35
—
T
J
= 150°C,
—
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
ns
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
—
能量损失包括"tail"
—
毫焦耳参见图。 11,13 ， 14
—
nH
从包装测量5毫米
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
Q
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图13b）的
R
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 10μH ，R
G
= 23,
（参见图13A ）
T
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
U
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
S
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
2
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IRG4BC30WPbF
40
F R B 日：
牛逼RIA体中ü LA R W A V E：
负载电流（A ）
30
UTY 乐： 50 ％
TJ = 125°C
牛逼水墨= 90℃
摹吃了驱动器为S PEC后指定
P 2 O宽E R D所I S SI P A TIO N = 2 1 W
LA MP VO LTA克E：
8 0 ％ F RA TE
S Q U A再华已经：
20
6 0 ％ F RA TE
武升TA克é
10
身份证电子一l D同时IO德s
0
0.1
1
10
A
100
男，频率Standard （K赫兹）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（方波， I = I
RMS
的根本;为三角波， I = I
PK
)
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
°
C

10
T
J
= 150
°
C

10
T
J
= 25
°
C

T
J
= 25
°
C

1
1
V
= 15V

20μs的脉冲宽度
GE
1
10
0.1
5.0
V
= 50V

5μs脉宽
CC
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4BC30WPbF
米XIM ü米D C C 0 LLE C到R C ④此T（A
25
V
GE
= 15V
3.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
= 15V

80我们脉宽
GE
20

I
C
= 24 A
2.5
15

I
C
= 12 A
2.0
10

I
C
= 6 A
5
0
25
50
75
100
125
A
150
1.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，C A S éテ米P·E RA TU RE（ ° C）
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
结温
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01

单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
0.01
0.00001

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1

P
DM
t
1
t
2
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
www.irf.com
IRG4BC30WPbF
2000
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
1500

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 12A
16
C，电容（pF ）
资本投资者入境计划

1000
12
8
500
C

OES
C

水库
4
0
0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.5
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
0.4
I
C
= 12A

10

23
R
G
=欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V

I
C
=
24
A
1
0.3

I
C
=
12
A

I
C
=
6
A
0.2
0.1
0.1
0.0
0
10
20
30
40
50
0.01
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
R
,
，栅极电阻
（欧姆）
栅极电阻
()
G
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
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ICS95V842I
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