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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第70页 > IRG4BC30UDPBF
PD-94810
IRG4BC30UDPbF
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
超快：高操作优化
频率8-40 kHz的硬开关， >200
kHz的谐振模式
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 220AB封装
无铅
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.95V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 12A
N沟道
好处
代-4 IGBT的报价最高效率
可用的
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外的IGBT
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
23
12
92
92
12
92
± 20
100
42
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
------
------
------
-----
------
典型值。
------
------
0.50
-----
2 (0.07)
马克斯。
1.2
2.5
------
80
------
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
11/3/03
IRG4BC30UDPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
分钟。
600
----
----
----
----
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压的----
正向跨导
3.1
零栅极电压集电极电流
----
----
二极管的正向压降
----
----
门极 - 发射极漏电流
----
TYP 。 MAX 。单位
---- ----
V
0.63 ---- V /°C的
1.95 2.1
2.52 ----
V
2.09 ----
---- 6.0
---- -11毫伏/°C的
8.6 ----
S
---- 250
A
---- 2500
1.4 1.7
V
1.3 1.6
---- ± 100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 12A
V
GE
= 15V
I
C
= 23A
参见图。 2,5
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 100V ，我
C
= 12A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
I
C
= 12A
参见图。 13
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
典型值。
50
8.1
18
40
21
91
80
0.38
0.16
0.54
40
22
120
180
0.89
7.5
1100
73
14
42
80
3.5
5.6
80
220
180
120
MAX 。单位
条件
75
I
C
= 12A
12
NC V
CC
= 400V
参见图。 8
27
V
GE
= 15V
----
T
J
= 25°C
----
ns
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
140
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
130
能量损失包括"tail"和
----
二极管的反向恢复。
----
mJ
参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
0.9
----
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
----
ns
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
----
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
----
能量损失包括"tail"和
----
mJ
二极管的反向恢复。
----
nH的测量5毫米从包
----
V
GE
= 0V
----
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
----
= 1.0MHz的
60
ns
T
J
= 25°C见图
120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
6.0
A
T
J
= 25°C见图
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
180
NC牛逼
J
= 25°C见图
600
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
---- A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
----
T
J
= 125°C
17
2
www.irf.com
IRG4BC30UDPbF
16
负载电流（A ）
12
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
牛逼片= 90℃
作为指定的栅极驱动
导通损耗包括
反向恢复效应
功耗= 21W
额定的60 ％
电压
8
I
4
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150°C
10
T
J
= 25°C
1
1
0.1
0.1
1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
A
10
0.1
5
6
7
8
V
CC
= 10V
5μs脉宽
A
9
10
11
12
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4BC30UDPbF
3.0
最大直流电集电极电流（A
25
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
V
GE
= 15V
为80μs脉冲宽度
I
C
= 24A
20
2.5
15
I
C
= 12A
2.0
10
5
I
C
= 6.0A
A
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
1.5
0
25
50
75
100
125
A
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
P
DM
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.占空比系数D = T / T
1 2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
4
www.irf.com
IRG4BC30UDPbF
2000
C，电容（pF ）
1600
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
A
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CE
= 400V
I
C
= 12A
16
C
IES
1200
12
800
C
OES
C
水库
8
400
4
0
1
10
0
0
10
20
30
40
A
50
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.60
10
总Switchig损失（兆焦耳）
0.58
总Switchig损失（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 12A
R
G
= 23
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
I
C
= 24A
0.56
1
I
C
= 12A
I
C
= 6.0A
0.54
0.52
0.50
0
10
20
30
40
50
A
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
A
100 120 140 160
R
G
，栅极电阻（
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
www.irf.com
5
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ICS8535AGI-31LF
IDT71T016SA12YI
IN4591
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IDT74FCT16543ETPA
IDT71V2558S100BG
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IDT72V3641L15PQF
IDT74FCT16245CTPVB
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    IRG4BC30UDPBF
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    -
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    终端采购配单精选

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