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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第906页 > IRG4BC30KD
PD -91595A
IRG4BC30KD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
用于电机控制的高短路额定值优化，
t
sc
= 10μs的， @ 360V V
CE
（开始） ，T
J
= 125°C,
V
GE
= 15V
结合了低导通损耗高
开关速度
严格的参数分布和更高的效率比
前几代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管
C
额定短路
超快IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.21V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 16A
N-CH的NEL
好处
最新的第4代的IGBT提供最高的功率密度
电机控制可能
HEXFRED
TM
二极管与IGBT的性能进行了优化。
最小化的恢复特性降低噪声， EMI和
开关损耗
??该部分取代了IRGBC30KD2和IRGBC30MD2
制品
有关提示请参阅设计技巧97003
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
28
16
58
58
12
58
10
± 20
100
42
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
2 (0.07)
马克斯。
1.2
2.5
–––
80
–––
单位
° C / W
克（盎司）
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1
4/24/2000
IRG4BC30KD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
集电极 - 发射极击穿电压600 -
—
V
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.54 - V /°C的
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.21 2.7
— 2.88 —
V
— 2.36 —
栅极阈值电压
3.0
—
6.0
温度COEFF 。阈值电压
—
-12
- 毫伏/°C的
正向跨导
T
5.4 8.1
—
S
零栅极电压集电极电流
—
—
250
A
—
— 2500
二极管的正向压降
—
1.4 1.7
V
—
1.3 1.6
门极 - 发射极漏电流
—
- ±100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 16A
V
GE
= 15V
参见图。 2,5
I
C
= 28A
I
C
= 16A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 100V ，我
C
= 16A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
I
C
= 12A
参见图。 13
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
条件
67 100
I
C
= 16A
11
16
nC
V
CC
= 400V
参见图8
25
37
V
GE
= 15V
60
—
42
—
T
J
= 25°C
ns
160 250
I
C
= 16A ，V
CC
= 480V
80 120
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
0.60 —
能量损失包括"tail"
0.58 —
兆焦耳和二极管反向恢复
1.18 1.6
参见图。 9,10,14
—
—
s
V
CC
= 360V ，T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ，R
G
= 10 , V
CPK
< 500V
58
—
T
J
= 150°C,
参见图。 11,14
42
—
I
C
= 16A ，V
CC
= 480V
ns
210
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
160
—
能量损失包括"tail"
1.69 —
兆焦耳和二极管反向恢复
7.5
—
nH
从包装测量5毫米
920
—
V
GE
= 0V
110
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
27
—
= 1.0MHz的
42
60
ns
T
J
= 25°C见图
80 120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
3.5 6.0
A
T
J
= 25°C见图
5.6
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
80 180
nC
T
J
= 25°C见图
220 600
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200Aμs
180
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
160
—
T
J
= 125°C
17
2
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IRG4BC30KD
16
14
12
10
S Q U A重新W A V E：
对于这两种：
负载电流（A ）
UTY CY CLE ： 50 ％
TJ = 125°C
牛逼水墨= 90℃
摹吃了驱动器指定
P流ê 派息SIP通报BULLETIN =
21
W
8
6
4
率的D 6 0 ％
沃尔特GE
I
身份证电子一升 IO （E S）
2
0
0.1
1
10
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
T
J
= 150
o
C

I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 25
o
C

T
J
= 150
o
C

10
10
T
J
= 25
o
C

1
1
0.1
1
V
= 15V

20μs的脉冲宽度
GE
10
0.1
5
10
V
= 50V

5μs脉宽
CC
15
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4BC30KD
30
4.0
最大直流电集电极电流（ A）
25
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
= 15V

80我们脉宽
GE

I
C
= 32 A
20
3.0
15

I
C
= 16 A
2.0
10

I
C
=
8.0A
8A
5
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
，结温（ C）
T
T
J
结温（℃
°
)
J
,
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01

单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
0.01
0.00001

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1

P
DM
t
1
t
2
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4BC30KD
1500
1200
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 16A
16
C，电容（pF ）
900
资本投资者入境计划

12
600
8
300
C

OES
C

水库
4
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
1.50
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
1.40
I
C
= 16A

10

R
G
=欧姆
23
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V

I
C
=
32
A

I
C
=
16
A
1
1.30

I
C
=
8.0A
8
A
1.20
1.10
1.00
0
栅极电阻
)
R
G
G
,
,
栅极电阻
(
（欧姆）
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
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IDT71V67902S75BG
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IRFN250SMD
IDT70T3339S166BF
IXFV30N50P
IDT74FCT646ADB
IDT72281L15PFI
IRU3034CSPBF
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型号
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    IRG4BC30KD
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