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PD - 94076
IRG4BC20W-S
绝缘栅双极晶体管
特点
用于开关模式电源设计明确
供应和PFC （功率因数校正）
应用
行业标杆开关损耗提高
所有的电源拓扑结构的效率
减少50％的Eoff参数
低IGBT的导通损耗
最新一代IGBT的设计和施工报价
更严格的参数分布，卓越的可靠性
C
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 2.16V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 6.5A
N沟道
好处
更低的开关损耗，让更具成本效益
操作比功率MOSFET高达150kHz的
（ "hard switched"模式）
特别有利于单端转换器和
升压PFC拓扑150W及以上
低导通损耗和最小的少数载流子
重组使这些一个很好的选择
谐振模式的切换，以及（最多>>300kHz ）
D
2
PAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
600
13
6.5
52
52
± 20
200
60
24
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
0.5
–––
1.44
马克斯。
2.1
–––
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）
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1
5/24/00
IRG4BC20W-S
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ）， ECS
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
集电极 - 发射极击穿电压
600
—
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
发射极 - 集电极击穿电压
18
—
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.48 -
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
— 2.16 2.6
I
C
= 6.5A
V
GE
= 15V
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.55 —
I
C
= 13A
参照图2 ， 5
V
— 2.05 —
I
C
= 6.5A ，T
J
= 150°C
栅极阈值电压
3.0
—
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
温度COEFF 。阈值电压
—
-8.8 - 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
正向跨导
5.5
8.3
—
S
V
CE
= 100 V，I
C
= 6.5A
—
—
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
零栅极电压集电极电流
A
—
—
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
—
— 1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
门极 - 发射极漏电流
—
— ±100
nA的V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项：
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
条件
26
38
I
C
= 6.5A
3.7 5.5
nC
V
CC
= 400V
参见图8
10
15
V
GE
= 15V
22
—
14
—
T
J
= 25°C
ns
110 160
I
C
= 6.5A ，V
CC
= 480V
64
96
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
0.06 —
能量损失包括"tail"
0.08 —
毫焦耳参见图。 9，10， 14
0.14 0.2
21
—
T
J
= 150°C,
15
—
I
C
= 6.5A ，V
CC
= 480V
ns
150 —
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
150 —
能量损失包括"tail"
0.34 —
毫焦耳参见图。 10 ，11，14
7.5
—
nH
从包装测量5毫米
490 —
V
GE
= 0V
38
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
8.8
—
= 1.0MHz的
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参照图13b）的
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 10μH ，R
G
= 50,
（参见图13A ）
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
2
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IRG4BC20W-S
25
F R B 日：
牛逼RIA体中ü LA R W一个已经：
20
UTY YC乐： 50 ％
TJ = 125°C
TS墨水= 90℃
摹吃了驱动器的规格后指定
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N = 1 3 W
拉·M P武升TA克E：
8 0 ％ F RA TE
负载电流（A ）
15
S Q U A再波：
6 0 ％ F RA TE
V LTA克é
10
5
身份证电子人 IO德s
0
0.1
1
10
100
A
1000
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T = 150
°
C
J
10
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
1
10
T
J
= 25
°
C
V
CC
= 50V
5μs脉宽
5
6
7
9
10
11
1
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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3
IRG4BC20W-S
14
3.0
最大直流电集电极电流（ A）
12
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
I
C
= 13 A
8
I
C
= 6.5 A
2.0
6
I
C
=3.25 A
4
2
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
2
0.1
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4BC20W-S
1000
800
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
100
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CC
= 400V
I
C
= 6.5A
16
C，电容（pF ）
600
资本投资者入境计划
12
400
8
200
卓越中心
CRES
4
0
1
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.15
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 6.5A
10
50
R
G
=欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
0.14
1
I
C
=
13
A
I
C
=
6.5
A
0.13
0.1
I
C
=
3.25
A
0.12
0
10
20
30
40
50
0.01
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
，栅极电阻
()
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
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