PD- 94077
IRG4BC20UD-S
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
超快：优化高工作频率
8-40 kHz的硬开关， >200kHz共振
模式
第四代IGBT设计提供了更严格的对位
仪表分布和更高的效率比
第3代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的D
2
PAK封装
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 1.85V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 6.5A
N沟道
好处
第4代的IGBT提供最高效率
可用的
优化特定应用条件
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
设计为一个"drop - in"替代
相当于行业标准的第三代红外的IGBT
D
2
PAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
马克斯。
600
13
6.5
52
52
7.0
52
± 20
60
24
-55到+150
°C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
0.5
–––
1.44
马克斯。
2.1
–––
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）
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1
1/12/01
IRG4BC20UD-S
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
参数
分钟。
集电极 - 发射极击穿电压？ 600
温度COEFF 。击穿电压---
集电极 - 发射极饱和电压---
–––
–––
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压的---
正向跨导
1.4
零栅极电压集电极电流
–––
–––
二极管的正向压降
–––
–––
门极 - 发射极漏电流
–––
TYP 。 MAX 。单位
––– –––
V
0.69 --- V /°C的
1.85 2.1
2.27 –––
V
1.87 –––
––– 6.0
-11 ---毫伏/°C的
4.3 –––
S
––– 250
A
––– 1700
1.4 1.7
V
1.3 1.6
--- ± 100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 6.5A
V
GE
= 15V
I
C
= 13A
参见图。 2,5
I
C
= 6.5A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 100V ，我
C
= 6.5A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
I
C
= 8.0A
参见图。 13
I
C
= 8.0A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
27
4.5
10
39
15
93
110
0.16
0.13
0.29
38
17
100
220
0.49
7.5
530
39
7.4
37
55
3.5
4.5
65
124
240
210
MAX 。单位
条件
41
I
C
= 6.5A
6.8
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
16
V
GE
= 15V
–––
T
J
= 25°C
–––
ns
I
C
= 6.5A ，V
CC
= 480V
140
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
170
能量损失包括"tail"和
–––
二极管的反向恢复。
–––
毫焦耳参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
0.3
–––
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
–––
ns
I
C
= 6.5A ，V
CC
= 480V
–––
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
–––
能量损失包括"tail"和
–––
毫焦耳二极管的反向恢复。
–––
nH
从包装测量5毫米
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
–––
= 1.0MHz的
55
ns
T
J
= 25°C见图
90
T
J
= 125°C
14
I
F
= 8.0A
5.0
A
T
J
= 25°C见图
8.0
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
138
nC
T
J
= 25°C见图
360
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
--- A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
–––
T
J
= 125°C
17
2
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IRG4BC20UD-S
12
ü TY 乐： 5 0 ％
T J = 1 2 5℃
牛逼S IN K = 9 0 ℃，
克忒 RIV E A S S小P权证ifie
ü RN -o 洛杉矶发E S IN 鲁D E
FFE TS华氏度重; V。E RS电子权证0伏ê RY
P流器迪斯IP ATION = 13W
10
L OA维C ④此T（A ）
8
6
6 0 ％ F RA TE
V oltag ê
4
2
0
0.1
1
10
A
100
F，F重新Q ü简 （K ^ h Z）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
I
C
，C ollec器到-E米itte R C RRE NT （ A）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
10
T
J
= 1 5 0°C
T
J
= 25 °C
1
1
0.1
0.1
1
V
摹ê
= 15V
20μs的脉冲宽度
10
0.1
4
6
8
V
C C
= 10 V
5微秒P ü L南东西ID
10
A
12
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
摹ê
，尕德-to -EM伊特尔沃尔特GE （ V）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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A
3
IRG4BC20UD-S
14
M aximum D C集电极电流（A ）
12
V
权证
，C ollector到-E米伊特尔V oltag E（ V）
V
摹ê
= 15 V
2.6
V
摹ê
= 1 5V
8 0微秒P ü L南东西TH ID
I
C
= 1 3A
2.2
10
8
1.8
I
C
= 6 .5A
6
4
1.4
I
C
= 3.3 A
2
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120
A
140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
J
，J加利 TIO Nテ米P·E RA TU RE（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
千卡人响应（Z
THJ
)
1
D = 0.50
0 .2 0
0 .10
0.0 5
P
D M
0 .1
0.0 2
0 .01
t
单摹LE P ü LS ê
（T ^ h ER M AL SP 0：N SE ）
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/ t
2
1
t2
0 .0 1
0 .0 0 0 0 1
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日J·C
+ T C
0 .0 0 0 1
0 .0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
10
t
1
，R ectangular脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4BC20UD-S
1000
V
摹ê
，G一德以诚-E米itte诉 LTA克E（ V）
A
C，钙PAC itanc E（ P F）
800
V
GE
=
C
即s
=
C
RE S
=
C
OES
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
摹ê
+ C
克碳
, C
ce
中文 TE
C
gc
C
ce
+ C
克碳
20
V
CE
= 400V
I
C
= 6 .5 A
16
C
即s
600
12
C
OES
400
8
200
C
RE S
4
0
1
10
0
0
5
10
15
20
25
A
30
100
V
权证
，C LLE C到R-为-E米itte诉 LTA克E（ V）
Q
g
，T TA L G TE的建华一RG E（N C）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.32
总的开关损耗（ M·J ）
0.31
全S魔力洛杉矶SE S（ M·J ）
V
CC
V
GE
T
J
I
C
= 480V
= 15V
= 25 °C
= 6 .5A
10
R
G
= 50
V
GE
= 15V
V
CC
= 4 8 0 V
I
C
= 1 3 A
1
I
C
= 6 .5 A
0.30
I
C
= 3 .3 A
0.29
0
10
20
30
40
50
A
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
A
160
R
G
，G一德 SISTA N c个E（
)
T
J
，J加利多人回放率T e米P·E RA TU RE（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
QQ：2880707522 复制
