介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
IRG4BC20U
25
F R B 日：
牛逼RIA体中ü LA R W一个已经：
I
20
UTY YC乐： 50 ％
T
J
= 125°C
T
S IN
= 90° C
摹吃了驱动器规格ifie
P 2 O宽E R d为SI P A TIO N = 1 3 W
负载电流（A ）
LA MP VO LTA克E：
8 0 ％ F RA TE
15
S Q U A重新W A已经：
6 0 ％ F RA TE
V LTA克é
10
I
5
ID EA l D同时IO德s
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（方波， I = I
RMS
的根本;为三角波， I = I
PK
)
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
I
C
，C ollecto R-到EM伊特尔光凭目前 （A ）
T
J
= 1 5 0 °C
10
T
J
= 2 5 °C
1
1
0.1
0.1
1
V
摹ê
= 15V
20μs的脉冲宽度
10
0.1
4
6
8
V
CC
= 10V
5 μ S·P ü L南东西ID牛逼
10
A
12
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
摹ê
，G一德以诚-E米itte诉 LTA克E（ V）
图。 2
- 典型的输出特性
www.irf.com
A
图。 3
- 典型的传输特性
3
IRG4BC20U
14
M aximum D C集电极电流（A ）
12
V
权证
，C llector到EM伊特尔电压（V ）
V
摹ê
= 15 V
2.6
V
GE
= 15V
8 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
I
C
= 1 3 A
10
2.2
8
1.8
6
I
C
= 6 .5 A
4
1.4
I
C
= 3 .3 A
2
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
A
100 120 140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
J
鞠N c个TIO N率T e米P·E RA TU RE（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
结温
10
千卡人响应（Z
THJ
)
1
D = 0.50
0 .2 0
0 .10
0.0 5
P
D M
0 .1
0.0 2
0 .01
t
单摹LE P ü LS ê
（T ^ h ER M AL SP 0：N SE ）
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/ t
2
1
t2
0 .0 1
0 .0 0 0 0 1
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日J·C
+ T C
0 .0 0 0 1
0 .0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
10
t
1
，R ectangular脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
www.irf.com
IRG4BC20U
1000
C，钙PAC itanc E（ P F）
800
V
摹ê
，G吃-to -E米伊特尔V olta克E（ V）
A
V
GE
=
C
即s
=
C
RE S
=
C
OES
=
0V,
F = 1MHz的
C
摹ê
+ C
克碳
, C
ce
中文 TE
C
gc
C
ce
+ C
gc
20
V
CE
= 400V
I
C
= 6 .5 A
16
C
即s
600
12
C
OES
400
8
200
C
RE S
4
0
1
10
0
0
5
10
15
20
25
A
30
100
V
权证
，C LLE CTO R-为-E米itte诉 LTA克E（ V）
Q
g
，为TA L G TE的建华一RG E（N C）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.23
牛逼otal位开关荷兰国际集团罗SS （E S） （ M·J ）
牛逼otal位开关荷兰国际集团L OS本身S（ M·J ）
V
CC
V
GE
T
J
I
C
= 480V
= 15V
= 2 5 °C
= 6 .5 A
1
I
C
= 1 3 A
I
C
= 6 .5 A
0.22
I
C
= 3 .3 A
0.1
0.21
0.20
0
10
20
30
40
50
A
60
0.01
R
G
= 50
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
A
160
R
G
，G一德电子旗下ISTA CE（
)
T
J
鞠N c个TIO N率T e米P·E RA TU RE（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
www.irf.com
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
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