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PD - 95639
IRG4BC20SPbF
绝缘栅双极晶体管
特点
标准：针对饱和度最低
电压和低的工作频率（ < 1kHz时）
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
行业标准的TO- 220AB封装
无铅
C
标准速度IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.4V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 10A
N沟道
好处
第4代的IGBT提供最高的效率提供
IGBT的指定应用条件优化
设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外的IGBT
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
19
10
38
38
± 20
5.0
60
24
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
0.50
2.0 (0.07)
马克斯。
2.1
80
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
7/23/04
IRG4BC20SPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ）， ECS
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
集电极 - 发射极击穿电压
600
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
发射极 - 集电极击穿电压
18
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.75 -
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
1.40 1.6
I
C
= 10A
V
GE
= 15V
集电极 - 发射极饱和电压
1.85
I
C
= 19A
参照图2 ， 5
V
1.44
I
C
= 10A ，T
J
= 150°C
栅极阈值电压
3.0
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
温度COEFF 。阈值电压
-11
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
正向跨导
2.0 5.8
S
V
CE
=
100V ，我
C
= 10A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
零栅极电压集电极电流
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
门极 - 发射极漏电流
±100
nA的V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项：
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
TYP 。 MAX 。单位
条件
27
40
I
C
= 10A
4.3 6.5
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
10
15
V
GE
= 15V
27
9.7
T
J
= 25°C
ns
540 810
I
C
= 10A ，V
CC
= 480V
430 640
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
0.12
能量损失包括"tail"
2.05
毫焦耳参见图。 9，10， 14
2.17 3.2
25
T
J
= 150°C,
13
I
C
= 10A ，V
CC
= 480V
ns
760
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
780
能量损失包括"tail"
3.46
毫焦耳参见图。 11，14
7.5
nH
从包装测量5毫米
550
V
GE
= 0V
39
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
7.1
= 1.0MHz的
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图13b）的
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 10μH ，R
G
= 50,
（参见图13A ）
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
2
www.irf.com
IRG4BC20SPbF
30
对于这两种：
25
三角波：
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
作为指定的栅极驱动
功耗= 13W
钳位电压：
80 ％的额定
负载电流（A ）
20
方波：
15
额定的60 ％
电压
10
5
理想二极管
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
10
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
o
C
10
T
J
= 25
o
C
1
1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
10
1
5
6
7
8
V
CC
= 50V
5μs脉宽
9
10
11
12
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
www.irf.com
图。 3
- 典型的传输特性
3
IRG4BC20SPbF
20
3.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
I
C
= 20 A
最大直流电集电极电流（ A）
15
10
2.0
5
I
C
= 10 A
I
C
=
5.0
A
5
A
1.0
-60 -40 -20
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
1
0.50
0.20
0.10
0.05
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
2
0.1
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4BC20SPbF
1000
800
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
100
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CC
= 400V
I
C
= 10A
16
C，电容（pF ）
资本投资者入境计划
600
12
400
8
卓越中心
200
4
CRES
0
1
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
2.20
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
2.16
I
C
= 10A
10
R
G
= 50欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
I
C
=
20
A
I
C
=
10
A
I
C
=
5.0
A
5
A
1
2.12
2.08
2.04
2.00
0
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
，栅极电阻（欧姆）
()
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
www.irf.com
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
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IRC644
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    IRG4BC20SPBF
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