介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
PD - 91597A
IRG4BC20S
绝缘栅双极晶体管
特点
标准：针对饱和度最低
电压和低的工作频率（ < 1kHz时）
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
行业标准的TO- 220AB封装
C
标准速度IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.4V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 10A
N沟道
好处
第4代的IGBT提供最高的效率提供
IGBT的指定应用条件优化
设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外的IGBT
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
S
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
19
10
38
38
± 20
5.0
60
24
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
0.50
–––
2.0 (0.07)
马克斯。
2.1
–––
80
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
4/17/2000
IRG4BC20S
30
F R B 日：
25
牛逼RIA体中ü LA R W一个已经：
UTY CY CLE ： 50 ％
T J = 125°C
牛逼水墨= 90℃
栅极驱动为S pecified
P 2 O宽E R D所我SS的ip一件T IO N = 1 3 W
负载电流（A ）
20
SQ ü重新波：
15
6 0 ％ F RA TE
武LTA克é
拉·M P V 0 1 TA克E：
8 0 ％ F RA TE
10
5
身份证电子一升二德s
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
10
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
o
C
10
T
J
= 25
o
C
1
1
V
= 15V
20μs的脉冲宽度
GE
10
1
5
6
7
8
V
= 50V
5μs脉宽
CC
9
10
11
12
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
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图。 3
- 典型的传输特性
3
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