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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第64页 > IRG4BC20MDS
PD -94116
IRG4BC20MD-S
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
坚固： 10微秒短路能够在V
GS
=15V
低V
CE （ON）的
4 10kHz的应用
IGBT共同封装的超软恢复
反并联二极管
行业标准的D
2
PAK封装
C
额定短路
快速IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 1.85V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 11A
好处
提供最高的效率和短路
中间应用能力
为中档频率最高的效率
（ 4至10kHz ）
优化了家电电机驱动器，工业（短
短路保护）驱动器和中频
范围驱动器
高噪音免疫"Positive Only"门驱动器 -
不必负偏压的栅极驱动
对于低EMI设计 - 需要很少或根本没有冷落
单封装开关桥式电路应用
适用于高电压栅极驱动器IC的
允许简单的栅极驱动
正查NN报
D
2
PAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
t
sc
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
短路承受时间
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
18
11
36
36
7.0
10
36
± 20
60
24
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
s
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
------
------
------
-----
------
典型值。
------
------
0.50
-----
2 (0.07)
马克斯。
2.1
2.5
------
80
------
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
3/6/01
IRG4BC20MD-S
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。
集电极 - 发射极击穿电压600
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压----
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压----
----
----
栅极阈值电压
4.0
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
温度COEFF 。阈值电压的----
g
fe
正向跨导
T
3.0
零栅极电压集电极电流
----
I
CES
----
V
FM
二极管的正向压降
----
----
I
GES
门极 - 发射极漏电流
----
典型值。
----
0.67
1.85
2.46
2.07
----
-11
3.6
----
----
1.4
1.3
----
MAX 。单位
条件
----
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
---- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.1
I
C
= 11A
V
GE
= 15V
----
V
I
C
= 18A
参见图。 2,5
----
I
C
= 11A ，T
J
= 150°C
6.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
----毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
----
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 11A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
2500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.7
V
I
C
= 8.0A
参见图。 13
1.6
I
C
= 8.0A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
分钟。
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
----
二极管的峰值反向恢复电流----
----
二极管的反向恢复电荷
----
----
回收秋季二极管峰值速率
----
在t
b
----
典型值。
39
5.3
20
21
37
463
340
0.41
2.03
2.44
19
41
590
600
3.49
7.5
460
54
14
37
55
3.5
4.5
65
124
240
210
MAX 。单位
条件
59
I
C
= 11A
8.0
NC V
CC
= 400V
参见图。 8
30
V
GE
= 15V
----
T
J
= 25°C
----
ns
I
C
= 11A ，V
CC
= 480V
690
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
510
能量损失包括"tail"和
----
二极管的反向恢复。
----
毫焦耳参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
3.7
----
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
----
ns
I
C
= 6.5A ，V
CC
= 480V
----
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
----
能量损失包括"tail"和
----
毫焦耳二极管的反向恢复。
----
nH的测量5毫米从包
----
V
GE
= 0V
----
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
----
= 1.0MHz的
55
ns
T
J
= 25°C见图
90
T
J
= 125°C
14
I
F
= 8.0A
5.0
A
T
J
= 25°C见图
8.0
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
138
NC牛逼
J
= 25°C见图
360
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
---- A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
----
T
J
= 125°C
17
2
www.irf.com
IRG4BC20MD-S
1.5
负载电流（A ）
1.0
额定的60 ％
电压
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
作为指定的栅极驱动
导通损耗包括的影响
反向恢复
功耗= 13W
0.5
理想二极管
0.0
0.1
1
10
100
男，频率（kHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
IC ，集电极到发射极电流（ A）
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
10
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
1
T J = 150℃
T J = 25°C
VGE = 15V
20μs的脉冲宽度
0.1
1.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（V ）
0.1
10.0
0.1
6
8
10
V
CC
= 50V
5μs脉宽
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4BC20MD-S
20
4.0
VGE = 15V
为80μs脉冲宽度
VCE ，集电极到发射极电压（V ）
最大直流电集电极电流（ A）
IC = 22A
15
3.0
10
IC = 11A
2.0
5
IC = 5.5A
1.0
0
25
50
75
100
125
150
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
T
C
，外壳温度（
°
C)
TJ ，结温（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.01
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值T = P
DM
X Z
thJC
+ T
C
J
0.0001
0.001
0.01
0.1

P
DM
t
1
t
2
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4BC20MD-S
800
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
600

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CC
= 400V
I
C
= 11A
16
C，电容（pF ）
资本投资者入境计划
400
12
8
200
卓越中心
CRES
4
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
2.5
VCC = 480V
VGE = 15V
TJ = 25°C
I C = 11A
100
RG = 50Ω
VGE = 15V
VCC = 480V
10
IC = 22A
IC = 11A
IC = 5.5A
1
总的开关损耗（兆焦耳）
2.4
2.3
0
10
20
30
40
50
总的开关损耗（兆焦耳）
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R G ，栅极电阻（
)
T J ，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
www.irf.com
5
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IDT542240TD
IDT7206S15P
IDT74FCT162240TPV
IDT70V07S55J
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ICS843256AGT
IRKKF132-02FM
IC41LV8513-60T
ICS843AM-106T
IRG4BC20MD-S
IH6116MDI
IRKUF82-04CL
IDT74FCT573CTD
IDT54FCT157T
IRKT57-12S90
IDT54FCT16501ATE
IE0515SH
IRKT136-16
ISL6323IRZ
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