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PD -91599A
IRG4BC20KD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
额定短路超快：优化
高工作频率>5.0 kHz和短
电路额定为10μs @ 125°C ，V
GE
= 15V
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
上一代产品
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 220AB封装
C
额定短路
超快IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.27V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 9.0A
N-CH的NEL
好处
最新的第4代的IGBT提供最高的功率密度
电机控制可能
HEXFRED
TM
二极管与IGBT的性能进行了优化。
最小化的恢复特性降低噪声， EMI和
开关损耗
??该部分取代了IRGBC20KD2和IRGBC20MD2
制品
有关提示请参阅设计技巧97003
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
16
9.0
32
32
7.0
32
10
± 20
60
24
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
2 (0.07)
马克斯。
2.1
3.5
–––
80
–––
单位
° C / W
克（盎司）
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1
4/24/2000
IRG4BC20KD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
集电极 - 发射极击穿电压600 -
—
V
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.49 - V /°C的
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.27 2.8
— 3.01 —
V
— 2.43 —
栅极阈值电压
3.0
—
6.0
温度COEFF 。阈值电压
—
-10
- 毫伏/°C的
正向跨导
T
2.9 4.3
—
S
零栅极电压集电极电流
—
—
250
A
—
— 1000
二极管的正向压降
—
1.4 1.7
V
—
1.3 1.6
门极 - 发射极漏电流
—
- ±100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 9.0A
V
GE
= 15V
参见图。 2,5
I
C
= 16A
I
C
= 9.0A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 100V ，我
C
= 9.0A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
I
C
= 8.0A
参见图。 13
I
C
= 8.0A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
条件
34
51
I
C
= 9.0A
4.9 7.4
nC
V
CC
= 400V
参见图8
14
21
V
GE
= 15V
54
—
34
—
T
J
= 25°C
ns
180 270
I
C
= 9.0A ，V
CC
= 480V
72 110
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
0.34 —
能量损失包括"tail"
0.30 —
兆焦耳和二极管反向恢复
0.64 0.96
参见图。 9,10,14
—
—
s
V
CC
= 360V ，T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ，R
G
= 50 , V
CPK
< 500V
51
—
T
J
= 150°C,
参见图。 11,14
37
—
I
C
= 9.0A ，V
CC
= 480V
ns
220
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
160
—
能量损失包括"tail"
0.85 —
兆焦耳和二极管反向恢复
7.5
—
nH
从包装测量5毫米
450
—
V
GE
= 0V
61
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
14
—
= 1.0MHz的
37
55
ns
T
J
= 25°C见图
55
90
T
J
= 125°C
14
I
F
= 8.0A
3.5 5.0
A
T
J
= 25°C见图
4.5 8.0
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
65 138
nC
T
J
= 25°C见图
124 360
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200Aμs
240
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
210
—
T
J
= 125°C
17
2
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IRG4BC20KD
10
对于这两种：
8
负载电流（A ）
UTY CY CLE ： 50 ％
TJ = 125°C
牛逼水墨= 90℃
摹吃了驱动器指定
P流ê 派息SIP通报BULLETIN =
13
W
S Q U A重新W A V E：
率的D 6 0 ％
沃尔特GE
6
4
I
2
身份证电子一升 IO （E S）
0
0.1
1
10
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
T
J
= 25
o
C

T
J
= 150
o
C

10
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
10
T
J
= 150
o
C

T
J
= 25
o
C

V
= 50V

5μs脉宽
CC
5
10
15
20
1
1
V
= 15V

20μs的脉冲宽度
GE
10
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4BC20KD
20
5.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
= 15V

80我们脉宽
GE
最大直流电集电极电流（ A）
15
4.0

I
C
= 18 A
10
3.0

I
C
=
9.0A
9A
2.0
5

I
C
= 4.5 A
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲

（热反应）
0.01
0.00001

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
0.001
0.01

P
DM
t
1
t
2
1
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4BC20KD
800
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
C，电容（pF ）
600

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 9.0A
16
资本投资者入境计划

400
12
8
200
C

OES
C

水库
4
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
0.8
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
10
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）

V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 9.0A

R
G
50
欧姆
=
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V

I
C
=
18
A
0.7
1

I
C
=
9.0A
9
A

I
C
=
4.5
A
0.6
0.5
0
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
，门
电阻（
)
R
G
，门
阻抗（欧姆）
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
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