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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第372页 > IRG4BC20FD
PD 91601A
IRG4BC20FD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
快速：针对媒体工作
频率（ 1-5千赫在硬开关， >20
kHz的谐振模式）。
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 220AB封装
C
快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.66V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 9.0A
正查NN报
好处
??代-4的IGBT提供最高效率
可用的
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外的IGBT
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
16
9.0
64
64
7.0
32
± 20
60
24
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
2 (0.07)
马克斯。
2.1
3.5
–––
80
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
7/11/2000
IRG4BC20FD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
MIN 。 TYP 。
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压600
—
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压 -
0.72
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
— 1.66
— 2.06
— 1.76
V
GE （日）
栅极阈值电压
3.0
—
V
GE （日）
/T
J
温度COEFF 。阈值电压
—
-11
g
fe
正向跨导
T
2.9 5.1
I
CES
零栅极电压集电极电流
—
—
—
—
V
FM
二极管的正向压降
—
1.4
—
1.3
I
GES
门极 - 发射极漏电流
—
—
MAX 。单位
条件
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
—
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.0
I
C
= 9.0A
V
GE
= 15V
—
V
I
C
= 16A
参见图。 2,5
—
I
C
= 9.0A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 9.0A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
1700
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.7
V
I
C
= 8.0A
参见图。 13
1.6
I
C
= 8.0A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
27
4.2
9.9
43
20
240
150
0.25
0.64
0.89
41
22
320
290
1.35
7.5
540
37
7.0
37
55
3.5
4.5
65
124
240
210
MAX 。单位
条件
40
I
C
= 9.0A
6.2
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
15
V
GE
= 15V
—
T
J
= 25°C
—
ns
I
C
= 9.0A ，V
CC
= 480V
360
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
220
能量损失包括"tail"和
—
二极管的反向恢复。
—
mJ
参见图。 9，10， 18
1.3
—
T
J
= 150℃ ，参照图11 ， 18
—
ns
I
C
= 9.0A ，V
CC
= 480V
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
—
能量损失包括"tail"和
—
mJ
二极管的反向恢复。
—
nH
从包装测量5毫米
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
55
ns
T
J
= 25°C见图
90
T
J
= 125°C
14
I
F
= 8.0A
5.0
A
T
J
= 25°C见图
8.0
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
138
nC
T
J
= 25°C见图
360
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
—
T
J
= 125°C
17
2
www.irf.com
IRG4BC20FD
14
对于这两种：
12
负载电流（A ）
10
UTY CY CLE ： 50 ％
TJ = 125°C
牛逼水墨= 90℃
摹吃了驱动器指定
P流ê 派息SIP通报BULLETIN =
13
W
S Q U A重新W A V E：
率的D 6 0 ％
沃尔特GE
I
8
6
4
身份证电子一升 IO （E S）
2
0
0.1
1
10
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
T
J
= 25
o
C

T
J
= 150
o
C

10
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
o
C

10
T
J
= 25
o
C

1
1
V
= 15V

20μs的脉冲宽度
GE
10
1
5
6
7
8
9
V
= 50V

5μs脉宽
CC
10
11
12
13
14
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
www.irf.com
图。 3
- 典型的传输特性
3
IRG4BC20FD
16
3.0
12
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
= 15V

80我们脉宽
GE

I
C
= 18 A
最大直流电集电极电流（ A）
8
2.0

I
C
=
9.0
A
9
A
4

I
C
= 4.5 A
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
1
0.50
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01

单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
0.01
0.00001

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1

P
DM
t
1
t
2
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
www.irf.com
IRG4BC20FD
1000
800
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 9.0A
16
C，电容（pF ）
600
资本投资者入境计划

12
400
8
200
C

OES
C

水库
4
0
1
10
100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.90
总的开关损耗（兆焦耳）
0.86
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
0.88
I
C
= 9.0A

10

R
G
= 50欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V

I
C
=
18
A

I
C
=
9.0
A
9
1
0.84

I
C
=
4.5
A
0.82
0.80
0.78
0
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
，栅极电阻（欧姆）
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
www.irf.com
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
季报可靠性报告
为
T0247 / T0220产品的制造
IRGB
IGBT / CoPack
ISSUE.3.
1997年10月
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
分页： 35 1
目录
1
介绍
2
可靠性信息
3
环境试验结果
4
环境测试条件/原理图
5
器件封装和频率列表
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 2
介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
部分
2
可靠性信息
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 4
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
查看更多IRG4BC20FDPDF信息
推荐型号
IRKN71/14A
ICL7621BCJE
IDT7205L65TD
IRKKF111-06CK
IXDN404SIA-16
IRF7700GPBF
IFS0505
IL252
IRFH5301TR2PBF
IRKTF81-02CK
IDT54FCT844BDB
IDT72835LB15PF
IDT54FCT245TP
IDT7207L35TPGI
IS63LV1024L-8TI
IS27LV512-12PLI
IDT71V016SA12PHG
IDT71682S70C
IA2008-MB10A
IRKHF82-04GK
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型号
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    IRG4BC20FD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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