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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第750页 > IRG4BC15UD-L
PD - 94083A
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
C
IRG4BC15UD-S
IRG4BC15UD-L
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
特点
超快：针对高频from10到
30 kHz的硬开关
IGBT共同封装的超软恢复
反并联二极管
行业标准的D
2
朴& TO- 262封装
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 2.02V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 7.8A
好处
用于家电和工业应用最佳价值
高噪音免疫"Positive Only"门驱动器 -
不必负偏压的栅极驱动
对于低EMI设计 - 需要很少或根本没有冷落
单封装开关桥式电路应用
适用于高电压栅极驱动器IC的
允许简单的栅极驱动
N-CH的NEL
D
2
PAK
IRG4BC15UD-S
TO-262
IRG4BC15UD-L
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲？ Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
马克斯。
600
14
7.8
42
42
4.0
16
± 20
49
19
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
U
结到环境（ PCB安装，稳态）
V
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
–––
2 (0.07)
马克斯。
2.7
7.0
–––
80
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
06/12/01
IRG4BC15UD-S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
分钟。
600
–––
–––
–––
–––
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压的---
正向跨导？吨
4.1
零栅极电压集电极电流
–––
–––
二极管的正向压降
–––
–––
门极 - 发射极漏电流
–––
典型值。
–––
0.63
2.02
2.56
2.21
–––
-10
6.2
–––
–––
1.5
1.4
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.4
I
C
= 7.8A
V
GE
= 15V
–––
V
I
C
= 14A
–––
I
C
= 7.8A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
–––
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 7.8A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
1400
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.8
V
I
C
= 4.0A
1.7
I
C
= 4.0A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
23
4.0
9.6
17
20
160
83
0.24
0.26
0.50
16
21
180
220
0.76
7.5
410
37
5.3
28
38
2.9
3.7
40
70
280
240
MAX 。单位
条件
35
I
C
= 7.8A
6.0
nC
V
CC
= 400V
14
V
GE
= 15V
–––
T
J
= 25°C
–––
ns
I
C
= 7.8A ，V
CC
= 480V
240
V
GE
= 15V ，R
G
= 75
120
能量损失包括"tail"和
–––
二极管的反向恢复。
–––
mJ
0.63
–––
T
J
= 150°C,
–––
ns
I
C
= 7.8A ，V
CC
= 480V
–––
V
GE
= 15V ，R
G
= 75
–––
能量损失包括"tail"和
–––
毫焦耳二极管的反向恢复。
–––
nH
从包装测量5毫米
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
–––
= 1.0MHz的
42
ns
T
J
= 25°C
57
T
J
= 125°C
I
F
= 4.0A
5.2
A
T
J
= 25°C
6.7
T
J
= 125°C
V
R
= 200V
60
nC
T
J
= 25°C
110
T
J
= 125°C
的di / dt 200A / μs的
--- A / μs的牛逼
J
= 25°C
–––
T
J
= 125°C
IRG4BC15UD-S/L
12.00
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃ TA = 55℃
作为指定的栅极驱动
导通损耗包括的影响
反向恢复
功耗= 11W的散热片安装
功耗= 1.8W典型
PCB插座安装
10.00
负载电流（A ）
8.00
额定的60 ％
电压
6.00
4.00
理想二极管
2.00
0.00
0.1
1
10
100
男，频率（kHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
°
C

10
10
T
J
= 150
°
C

1
1
T
J
= 25
°
C

V
= 15V

20μs的脉冲宽度
GE
1
10
T
J
= 25
°
C

0.1
0.1
0.1
5.0
V
= 50V

5μs脉宽
CC
10.0
15.0
20.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
IRG4BC15UD-S/L
14
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
4.0
VGE = 15V
为80μs脉冲宽度
最大直流电集电极电流（ A）
VCE ，集电极到发射极电压（V ）
IC = 14A
3.0
IC = 7.8A
2.0
IC = 3.9A
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
T
C
，外壳温度（
°
C)
T J ，结温（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01

单脉冲
（热反应）
0.01
0.00001

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
0.001
0.01

P
DM
t
1
t
2
1
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
IRG4BC15UD-S/L
800
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
C，电容（pF ）
600

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 7.8A
16
C
IES

400
12
C

OES
200
8
C

水库
0
1
10
100
4
0
0
5
10
15
20
25
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.48
VCC = 480V
VGE = 15V
TJ = 25°C
I C = 7.8A
0.46
10
RG = 75Ω
VGE = 15V
VCC = 480V
IC = 14A
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
1
IC = 7.8A
0.44
IC = 3.9A
0.42
0
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R G ，栅极电阻（
)
T J ，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
PD - 95781
IRG4BC15UD-SPbF
IRG4BC15UD-LPbF
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
特点
超快：针对高频from10到
30 kHz的硬开关
IGBT共同封装的超软恢复
反并联二极管
行业标准的D
2
朴& TO- 262封装
无铅
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 2.02V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 7.8A
好处
对于家电和工业应用最佳价值
高噪音免疫"Positive Only"门驱动器 -
不必负偏压的栅极驱动
对于低EMI设计 - 需要很少或根本没有冷落
单封装开关桥式电路应用
适用于高电压栅极驱动器IC的
允许简单的栅极驱动
N沟道
D
2
PAK
IRG4BC15UD-S
TO-262
IRG4BC15UD-L
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
马克斯。
600
14
7.8
42
42
4.0
16
± 20
49
19
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
结到环境（ PCB安装，稳态）
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
–––
2 (0.07)
马克斯。
2.7
7.0
–––
80
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
08/27/04
IRG4BC15UD-S/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极击穿Voltage
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
分钟。
600
–––
–––
–––
–––
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压的---
正向跨导
4.1
零栅极电压集电极电流
–––
–––
二极管的正向压降
–––
–––
门极 - 发射极漏电流
–––
典型值。
–––
0.63
2.02
2.56
2.21
–––
-10
6.2
–––
–––
1.5
1.4
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.4
I
C
= 7.8A
V
GE
= 15V
–––
V
I
C
= 14A
–––
I
C
= 7.8A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
–––
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 7.8A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
1400
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.8
V
I
C
= 4.0A
1.7
I
C
= 4.0A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
23
4.0
9.6
17
20
160
83
0.24
0.26
0.50
16
21
180
220
0.76
7.5
410
37
5.3
28
38
2.9
3.7
40
70
280
240
MAX 。单位
条件
35
I
C
= 7.8A
6.0
nC
V
CC
= 400V
14
V
GE
= 15V
–––
T
J
= 25°C
–––
ns
I
C
= 7.8A ，V
CC
= 480V
240
V
GE
= 15V ，R
G
= 75
120
能量损失包括"tail"和
–––
二极管的反向恢复。
–––
mJ
0.63
–––
T
J
= 150°C,
–––
ns
I
C
= 7.8A ，V
CC
= 480V
–––
V
GE
= 15V ，R
G
= 75
–––
能量损失包括"tail"和
–––
毫焦耳二极管的反向恢复。
–––
nH
从包装测量5毫米
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
–––
= 1.0MHz的
42
ns
T
J
= 25°C
57
T
J
= 125°C
I
F
= 4.0A
5.2
A
T
J
= 25°C
6.7
T
J
= 125°C
V
R
= 200V
60
NC牛逼
J
= 25°C
110
T
J
= 125°C
的di / dt 200A / μs的
--- A / μs的牛逼
J
= 25°C
–––
T
J
= 125°C
IRG4BC15UD-S/LPbF
12.00
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃ TA = 55℃
作为指定的栅极驱动
导通损耗包括的影响
反向恢复
功耗= 11W的散热片安装
功耗= 1.8W典型
PCB插座安装
10.00
负载电流（A ）
8.00
额定的60 ％
电压
6.00
理想二极管
4.00
2.00
0.00
0.1
1
10
100
男，频率（kHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
°
C
10
10
T
J
= 150
°
C
1
1
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
1
10
0.1
0.1
0.1
5.0
V
CC
= 50V
5μs脉宽
10.0
15.0
20.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
IRG4BC15UD-S/LPbF
14
4.0
VGE = 15V
为80μs脉冲宽度
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
VCE ，集电极到发射极电压（V ）
最大直流电集电极电流（ A）
IC = 14A
3.0
IC = 7.8A
2.0
IC = 3.9A
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
T
C
，外壳温度（
°
C)
T J ，结温（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
IRG4BC15UD-S/LPbF
800
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CC
= 400V
I
C
= 7.8A
16
C，电容（pF ）
600
资本投资者入境计划
400
12
8
卓越中心
200
4
CRES
0
0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.48
VCC = 480V
VGE = 15V
TJ = 25°C
I C = 7.8A
0.46
10
RG = 75
VGE = 15V
VCC = 480V
IC = 14A
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
1
IC = 7.8A
0.44
IC = 3.9A
0.42
0
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
RG ，栅极电阻（
)
T J ，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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