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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第796页 > IRG4BC10UD
PD 91677B
IRG4BC10UD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.15V
特点
超快：高操作优化
高达80千赫在硬开关， >200千赫在
谐振模式
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
上一代产品
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 220AB封装
G
@V
GE
= 15V ，我
C
= 5.0A
E
正查NN报
t
f
（典型值） = 140ns
好处
第四代IGBT的报价最高效率
可用的
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
8.5
5.0
34
34
4.0
16
± 20
38
15
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
0.50
—
2 (0.07)
马克斯。
3.3
7.0
—
80
—
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
12/30/00
IRG4BC10UD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压600 -
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压 -
0.54
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.15
— 2.61
— 2.30
栅极阈值电压
3.0
—
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
温度COEFF 。阈值电压
— -8.7
g
fe
正向跨导
T
2.8 4.2
I
CES
零栅极电压集电极电流
—
—
—
—
V
FM
二极管的正向压降
—
1.5
—
1.4
I
GES
门极 - 发射极漏电流
—
—
MAX 。单位
条件
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
—
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.6
I
C
= 5.0A
V
GE
= 15V
参见图。 2,5
—
V
I
C
= 8.5A
—
I
C
= 5.0A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 5.0A
250 A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.8
V
I
C
= 4.0A
参见图。 13
1.7
I
C
= 4.0A ，T
J
= 125°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
15
2.6
5.8
40
16
87
140
0.14
0.12
0.26
38
18
95
250
0.45
7.5
270
21
3.5
28
38
2.9
3.7
40
70
280
235
MAX 。单位
条件
22
I
C
= 5.0A
4.0
NC V
CC
= 400V
参见图。 8
8.7
V
GE
= 15V
—
T
J
= 25°C
—
ns
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 480V
130
V
GE
= 15V ，R
G
= 100
210
能量损失包括"tail"和
—
二极管的反向恢复。
—
毫焦耳参见图。 9，10， 18
0.33
—
T
J
= 150℃ ，参照图11 ， 18
—
ns
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 480V
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 100
—
能量损失包括"tail"和
—
mJ
二极管的反向恢复。
—
nH的测量5毫米从包
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
42
ns
T
J
= 25°C见图
57
T
J
= 125°C
14
I
F
= 4.0A
5.2
A
T
J
= 25°C见图
6.7
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
60
NC牛逼
J
= 25°C见图
105
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
—
T
J
= 125°C
17
值得注意的细节
Q
通过
T
是最后一页
2
www.irf.com
IRG4BC10UD
7
F R B 日：
6
负载电流（A ）
5
ü TY 乐： 5 0 ％
TJ = 1 2 5℃
牛逼片= 9 0 ℃，
克忒 RIV E A S S小P权证ifie
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N =
9.2
W
4
S Q U A重新W A V E：
率的D 6 0 ％
沃尔特GE
I
3
2
身份证电子一升 IO （E S）
1
0
0.1
1
10
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 25
o
C

10
T
J
= 150
o
C

I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
10
T
J
= 150
o
C

1
T
J
= 25
o
C

V
= 50V

5μs脉宽
CC
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0.1
1
V
= 15V

20μs的脉冲宽度
GE
10
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
www.irf.com
图。 3
- 典型的传输特性
3
IRG4BC10UD
10
5.0
8
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
= 15V

80我们脉宽
GE
最大直流电集电极电流（ A）
4.0

I
C
= 10 A
6
3.0
4

I
C
=
5.0 A
5

I
C
= 2.5 A
2.0
2
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.1

单脉冲
（热反应）
0.01
0.00001

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
0.0001
0.001
0.01

P
DM
t
1
t
2
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
www.irf.com
IRG4BC10UD
500
400
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 5.0A
16
C，电容（pF ）
300
资本投资者入境计划

12
200
8
100
C

OES
C

水库
4
0
1
10
100
0
0
4
8
12
16
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.30
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）

V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 5.0A
10

100
R
G
=欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
1

I
C
=
10
A

I
C
=
5.0A
5
A

I
C
=
2.5
A
0.25
0.1
0.20
50
60
70
80
90
100
0.01
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
，栅极电阻（欧姆）
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
www.irf.com
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
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ISD1790SY
IRLF120
ISL59532
IDTQS32XR862Q1
IDT7200L35TC
IS24C02-SI
IBM11E4360BB-70
ISL6420IRZ
IDT74FCT88915TT55
IRKNF101-08GJ
IP7812G-BSS2
IRKKF152-06EM
ILD4001E6327
IR3086MTR
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单价/备注
操作
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    IRG4BC10UD
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