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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第802页 > IRG4BC10SDPBF
PD -94904
IRG4BC10SDPbF
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
C
标准速度CoPack
IGBT
V
CES
= 600V
极低的电压降1.1Vtyp 。 @ 2A
S系列：最大限度地降低功率耗散高达3
kHz的PWM频率逆变器的驱动器，最多4个
千赫在直流无刷驱动器。
非常紧的VCE（on ）分布
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复的反并联二极管的使用
桥配置
行业标准的TO- 220AB封装
无铅
第4代的IGBT提供最高效率
可用的
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
比MOSFET的导通损耗更低，并
二极管的损耗
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.10V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 2.0A
N沟道
好处
TO-220AB
绝对最大额定值
马克斯。
600
14
8.0
18
18
4.0
18
± 20
38
15
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
2.0(0.07)
马克斯。
3.3
7.0
–––
80
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
12/23/03
IRG4BC10SDPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压
600 —
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.64
集电极 - 发射极饱和电压
— 1.58
— 2.05
— 1.68
栅极阈值电压
3.0
—
温度COEFF 。阈值电压
— -9.5
正向跨导
3.65 5.48
零栅极电压集电极电流
—
—
—
—
二极管的正向压降
—
1.5
—
1.4
门极 - 发射极漏电流
—
—
MAX 。单位
条件
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
1.7
I
C
= 8.0A
V
GE
= 15V
—
V
I
C
= 14.0A
参见图。 2,5
—
I
C
= 8.0A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
S
V
CE
= 100V ，我
C
=8.0A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.8
V
I
C
=4.0A
参见图。 13
1.7
I
C
= 4.0A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
15
22
2.42 3.6
6.53 9.8
76
—
32
—
815 1200
720 1080
0.31 —
3.28 —
3.60 10.9
1.46 2.6
70
—
36
—
890
—
890
—
3.83 —
7.5
—
280 —
30
—
4.0
—
28
42
38
57
2.9 5.2
3.7 6.7
40
60
70 105
280 —
235 —
nC
条件
I
C
= 8.0A
V
CC
= 400V
参见图。 8
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 8.0A ，V
CC
= 480V
V
GE
= 15V ，R
G
= 100
能量损失包括"tail"和
二极管的反向恢复。
参见图。 9，10， 18
I
C
= 5.0A
T
J
= 150℃ ，参照图10,11 ， 18
I
C
= 8.0A ，V
CC
= 480V
V
GE
= 15V ，R
G
= 100
能量损失包括"tail"和
二极管的反向恢复。
从包装测量5毫米
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
参见图。 7
= 1.0MHz的
T
J
= 25°C见图
14
I
F
=4.0A
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C见图
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
T
J
= 25°C见图
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 25°C见图
T
J
= 125°C
17
ns
mJ
mJ
ns
mJ
nH
pF
ns
A
nC
A / μs的
值得注意的细节
通过
是最后一页
2
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IRG4BC10SDPBF
10.0
对于这两种：
8.0
负载电流（A ）
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
作为指定的栅极驱动
功耗 -
9.2
W
6.0
方波：
额定的60 ％
电压
4.0
I
2.0
理想二极管
0.0
0.1
1
10
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
T
J
= 25
°
C
10
T = 150
°
C
J
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极电流（ A）
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
V
CC
= 50V
5s
脉冲宽度
5s
脉冲宽度
6
8
10
12
1
0.5
V
GE
= 15V
为80μs脉冲宽度
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4BC10SDPbF
16
3.00
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
I
C
= 16 A
最大直流电集电极电流（ A）
12
2.50
8
2.00
I
C
=
8A
4
1.50
I
C
=
4A
0
25
50
75
100
125
150
1.00
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
www.irf.com
IRG4BC10SDPBF
500
400
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CC
= 400V
I
C
= 8A
C，电容（pF ）
资本投资者入境计划
300
15
卓越中心
200
10
100
CRES
5
0
1
10
100
0
0
5
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
3.60
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
3.55
I
C
= 8A
3.50
100
R
G
=
100
欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
I
C
=
16
A
10
3.45
I
C
=
I
C
=
1
8
A
4
A
3.40
3.35
3.30
0
20
40
60
80
100
R
G
G
栅极电阻（欧姆）
R
,
，栅极电阻（ Ω ）
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
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