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l

描述

先进的工艺技术

表面贴装（ IRFZ48NS ）

通孔低调（ IRFZ48NL ）

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

G

IRFZ48NSPbF

IRFZ48NLPbF

D

PD - 95125

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 0.014

I

D

= 64A

S

先进的HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师用一种极其有效和可靠的

装置，用于在各种各样的应用中使用。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通电阻

在任何现有的表面贴装封装。对D

2

Pak是

适合的，因为其低的高电流的应用

内部连接性和功耗最高2.0W

在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRFZ48NL ）可用于低

配置文件的应用程序。

D 2白

TO-262

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

64

45

210

3.8

130

0.83

± 20

32

13

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

QJC

R

qJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

1.15

40

单位

° C / W

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1

3/18/04

IRFZ48NS/LPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

E

AS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

分钟。

55

–––

2.0

24

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

14

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 32A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 32A

25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

81

I

D

= 32A

19

NC V

DS

= 44V

30

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 28V

–––

I

D

= 32A

ns

–––

R

G

= 0.85

–––

V

GS

= 10V ，参照图10

–––

nH的铅之间，

而中心的模具接触

1970 –––

V

GS

= 0V

470 –––

V

DS

= 25V

120 –––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

700 ？ 190 ？兆焦耳我

AS

= 32A ，L = 0.37mH

典型值。

–––

0.058

–––

12

78

34

50

7.5

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

64

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 210

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 32A ，V

GS

= 0V

––– 68 100

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 32A

––– 220 330

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.37mH

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是不限定于热极限的破坏力的值。

这是热的价值有限。

R

G

= 25, I

AS

= 32A 。（参见图12）

I

SD

≤

32A ， di / dt的

≤

220A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

2

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IRFZ48NS/LPbF

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

4.5V

10

4.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.5

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 64A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

100

1.5

1.0

10

0.5

1

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

4

6

8

10

12

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRFZ48NS/LPbF

3500

3000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 32A

V

DS

= 44V

V

DS

= 27V

V

DS

= 11V

16

C，电容（pF ）

2500

2000

1500

1000

500

西塞

12

8

科斯

CRSS

4

0

1

10

100

0

测试电路

见图13

0

20

40

60

80

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

100

T

J

= 175

°

C

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

10

T

J

= 25

°

C

1

10msec

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.7

1.2

1.7

2.2

0.1

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFZ48NS/LPbF

70

V

DS

60

R

D

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

50

40

30

20

10

0

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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