【INCHANGE半导体ISC产品speci fi cationISC N沟道MOSFET晶体管IRF】,IC型号IRFZ48N,IRFZ48N PDF资料,IRFZ48N经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC N沟道MOSFET晶体管

IRFZ48N

特点

·漏

目前“我

D

= 64A @ T

C

=25℃

·漏

源电压 -

: V

DSS

= 55V （最小值）

“静态

漏源导通电阻

: R

DS （ ON）

= 0.014Ω （最大值）

·快速

开关

描述

·设计

在开关模式电源和一般用途

各种类型的应用。

绝对最大额定值（T

a

=25℃)

符号

V

DSS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压，连续

漏电流连续

漏电流单时脉

总功耗@T

C

=25℃

马克斯。工作结温

储存温度

价值

55

±20

64

210

130

175

-55~175

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

R

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

1.15

62

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC N沟道MOSFET晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

IRFZ48N

最大

单位

V

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

V

GS

= 0; I

D

= 0.25毫安

55

V

GS

（日

)

栅极阈值电压

V

DS

= V

GS

; I

D

= 0.25毫安

2

4

V

Ω

R

DS （

on

)

I

GSS

漏源导通电阻

V

GS

= 10V ;我

D

= 32A

V

GS

=

±20V;V

DS

= 0

V

DS

= 55V; V

GS

= 0

V

DS

= 55V; V

GS

= 0; T

j

= 150℃

I

S

= 32A ; V

GS

= 0

0.014

±100

25

250

1.3

门体漏电流

nA

μA

I

DSS

零栅极电压漏极电流

V

SD

在正向电压

V

·

ISC的网站： www.iscsemi.cn

PD - 91406

IRFZ48N

HEXFET

功率MOSFET

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

D

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 14m

G

S

I

D

= 64A

描述

先进的HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

的TO- 220贡献电阻和低封装成本

在整个行业中的广泛接受。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

64

45

210

130

0.83

± 20

32

13

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.15

–––

62

单位

° C / W

www.irf.com

1

1/3/01

IRFZ48N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

E

AS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

分钟。

55

–––

2.0

24

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

14

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 32A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 32A

25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

81

I

D

= 32A

19

NC V

DS

= 44V

30

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 28V

–––

I

D

= 32A

ns

–––

R

G

= 0.85

–––

V

GS

= 10V ，参照图10

铅之间，

4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

7.5 –––

而中心的模具接触

1970 –––

V

GS

= 0V

470 –––

V

DS

= 25V

120 –––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

700 ？ 190 ？兆焦耳我

AS

= 32A ，L = 0.37mH

典型值。

–––

0.058

–––

12

78

34

50

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

64

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 210

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 32A ，V

GS

= 0V

––– 68 100

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 32A

––– 220 330

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

32A ， di / dt的

≤

220A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.37mH

R

G

= 25, I

AS

= 32A 。（参见图12）

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是不限定于热极限的破坏力的值。

这是热的价值有限。

2

www.irf.com

IRFZ48N

1000

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

10

4.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.5

I

D

= 64A

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

100

1.5

1.0

10

0.5

1

4

6

8

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

10

12

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFZ48N

3500

3000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 32A

V

DS

= 44V

V

DS

= 27V

V

DS

= 11V

16

C，电容（pF ）

2500

2000

1500

西塞

12

8

1000

科斯

500

4

CRSS

0

1

10

100

0

20

40

测试电路

见图13

60

80

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

T

J

= 175

°

C

I

SD

，反向漏电流（ A）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

10msec

10

T

J

= 25

°

C

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.7

1.2

1.7

2.2

0.1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

100

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRFZ48N

70

V

DS

60

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

50

-

V

DD

40

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

30

20

10

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

概述

N沟道增强模式

标准级场效应功率

使用晶体管在一个塑料外壳

“沟”技术。该装置

具有非常低的导通电阻

并拥有完整的齐纳二极管捐赠

ESD保护高达2kV的。这是

拟用于开关模式使用

电源和通用

开关应用。

IRFZ48N

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 10 V

马克斯。

55

64

140

175

16

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

s

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

-

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

20

64

45

210

140

175

单位

V

A

W

C

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压，所有引脚

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

-

在自由空气

典型值。

-

60

马克斯。

1.1

-

单位

K / W

1999年2月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

栅源击穿

电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

I

G

=

±1

毫安;

V

GS

= 10 V ;我

D

= 25 A

T

j

= 175C

T

j

= 175C

T

j

= 175C

分钟。

55

50

2

1

-

16

-

典型值。

-

3.0

-

0.05

-

0.02

-

12

-

IRFZ48N

马克斯。

-

4.0

-

4.4

10

500

1

20

-

16

30

单位

V

A

V

m

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 25 A

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

分钟。

8

-

典型值。

39

2200

500

200

-

18

35

45

30

3.5

4.5

7.5

马克斯。

-

2900

600

270

85

19

37

26

85

60

45

-

单位

S

pF

nC

ns

nH

I

D

= 50 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 10 V

V

DD

= 30 V ;我

D

= 25 A;

V

GS

= 10 V ;

G

= 10

阻性负载

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

1999年2月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 25 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 65 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 65 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

-

典型值。

-

0.95

1.0

57

0.14

IRFZ48N

马克斯。

64

210

1.2

-

单位

A

V

ns

C

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 65 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 10 V ;

GS

= 50

;

T

mb

= 25 C

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

200

单位

mJ

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

ID％

归一化电流降额

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

5 V

1999年2月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

IRFZ48N

SOAX514

RDS （ ON） /毫欧

30

VGS / V =

6

6.5

7

20

8

15

9

10

1000

ID / A

RDS （ ON）= VDS / ID

100

TP =

1美国

10我们

100美

DC

1毫秒

25

10

10毫秒

100毫秒

1

5

1

10

VDS / V

55

100

0

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100

ID / A

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

100

ID / A

80

1E+01

第Z / （K / W）

BUKX514-55

1E+00

0.5

1E-01

0.2

0.1

0.05

0.02

1E-02

0

T

t

20

60

P

D

t

p

D=

t

p

T

40

TJ / C =

175

25

1E-03

1E-07

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

1E+01

0

1

2

3

4

5

VGS / V

6

7

8

9

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

100

ID / A

80

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

40

GFS / S

35

30

16

10

8

7.5

VGS / V =

7

6.5

60

6

40

5.5

25

20

15

10

20

5

0

4.5

4

0

2

4

VDS / V

6

8

10

5

0

20

40

60

80

100

ID / A

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

1999年2月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

IRFZ48N

2.5

a

BUK959-60

RDS（ON） normlised到25degC

4

3.5

数千名（PF ）

2

3

2.5

2

1.5

1

5

科斯

CRSS

100

西塞

1.5

1

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

0

0.01

0.1

1

VDS / V

10

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 25 A; V

GS

= 5 V

VGS （ TO ） / V

马克斯。

4

典型值。

3

分钟。

2

BUK759-60

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

12

VGS / V

10

VDS = 14V

8

VDS = 44V

5

6

4

1

2

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

0

10

20

30 QG / NC 40

50

60

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

亚阈值传导

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 50 A;参数V

DS

100

IF / A

80

1E-01

1E-02

2%

典型值

98%

60

TJ / C =

40

175

25

1E-03

1E-04

20

1E-05

0

1E-06

0

0.2

0.4

0

1

2

3

4

5

0.6

0.8

VSDS / V

1

1.2

1.4

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

1999年2月

5

启1.000

IRFZ48N

特点

·漏

目前“我

D

= 64A @ T

C

=25℃

·漏

源电压 -

: V

DSS

= 55V （最小值）

“静态

漏源导通电阻

: R

DS （ ON）

= 0.014Ω （最大值）

·快速

开关

描述

·设计

在开关模式电源和一般用途

各种类型的应用。

绝对最大额定值（T

a

=25℃)

符号

V

DSS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压，连续

漏电流连续

漏电流单时脉

总功耗@T

C

=25℃

马克斯。工作结温

储存温度

价值

55

±20

64

210

130

175

-55~175

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

R

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

1.15

62

单位

℃/W

www.kersemi.com

IRFZ48N

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

最大

单位

V

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

V

GS

= 0; I

D

= 0.25毫安

55

V

GS

（日

)

栅极阈值电压

V

DS

= V

GS

; I

D

= 0.25毫安

2

4

V

Ω

R

DS （

on

)

I

GSS

漏源导通电阻

V

GS

= 10V ;我

D

= 32A

V

GS

=

±20V;V

DS

= 0

V

DS

= 55V; V

GS

= 0

V

DS

= 55V; V

GS

= 0; T

j

= 150℃

I

S

= 32A ; V

GS

= 0

0.014

±100

25

250

1.3

门体漏电流

nA

μA

I

DSS

零栅极电压漏极电流

V

SD

在正向电压

V

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