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PD - 94755

汽车MOSFET

IRFZ44VZ

IRFZ44VZS

IRFZ44VZL

HEXFET

功率MOSFET

D

特点

●

●

●

●

●

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

V

DSS

= 60V

R

DS （ ON）

= 12m

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

I

D

= 57A

TO-220AB

IRFZ44VZ

D

2

PAK

IRFZ44VZS

TO-262

IRFZ44VZL

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

I

DM

马克斯。

57

40

230

92

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

P

D

@T

C

= 25 °C功耗

线性降额因子

V

GS

栅极 - 源极电压

E

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

E

AS

（测试）

d

0.61

± 20

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

雪崩电流

h

73

110

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

g

i

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

y

y

典型值。

马克斯。

1.64

–––

62

40

单位

° C / W

i

i

–––

0.50

–––

–––

结到环境（印刷电路板安装）

j

www.irf.com

1

8/25/03

IRFZ44VZS_L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

60

–––

–––

2.0

25

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

0.061

9.6

–––

–––

–––

–––

–––

–––

43

11

18

14

62

35

38

4.5

7.5

1690

270

130

1870

260

510

–––

–––

12

4.0

–––

20

250

200

-200

65

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

nH

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

pF

ns

nC

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 34A

e

V

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 25V ，我

D

= 34A

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 34A

V

DS

= 48V

V

GS

= 10V

V

DD

= 30V

I

D

= 34A

R

G

= 12

V

GS

= 10V

e

e

D

G

S

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 48V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至48V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

23

17

57

A

230

1.3

35

26

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 34A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 34A ，V

DD

= 30V

的di / dt = 100A / μs的

e

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

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IRFZ44VZS_L

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

100

底部

10

10

4.5V

4.5V

1

0.1

1

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

1

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

0.1

1

10

100

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

60

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

50

40

T J = 175℃

100

T J = 175℃

T J = 25°C

30

20

10

T J = 25°C

VDS = 25V

在60μs脉冲宽度

1

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10

VDS = 15V

380μs脉宽

0

10

20

30

40

50

60

0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

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3

IRFZ44VZS_L

3000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID = 34A

VDS = 48V

VDS = 30V

VDS = 12V

2500

16

C，电容（pF ）

2000

西塞

1500

12

8

1000

4

测试电路

见图13

500

科斯

CRSS

0

1

10

100

0

0

10

20

30

40

50

60

QG总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

T J = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

10

100sec

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

0.1

0.2

0.6

1.0

1.4

1.8

VSD ，源toDrain电压（ V）

0.1

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFZ44VZS_L

60

2.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

50

ID = 34A

VGS = 10V

2.0

ID ，漏电流（ A）

40

30

1.5

20

1.0

10

0

25

50

75

100

125

150

175

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

τ

J

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

τ

C

τ

τ

2

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.960

0.00044

0.680

0.00585

τ

1

0.01

CI-

τi /日

次I /日

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

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IR

12+

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TO-263

中国唯一指定代理商√√√特价！特价！

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TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

原装正品现货

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IR

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D2-PAK

原装正品假一罚百/门市现货一只起售

深圳市芯泽盛世科技有限公司

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联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

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D2PAK

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IRFZ44VZS

IR

2443+

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一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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IR/VISHAY

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全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

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深圳市恒达亿科技有限公司

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IR

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