【IRFZ44N功率MOSFETVDSS -55V ，RDS （ ON）= 17.5毫欧，我D= 49】,IC型号IRFZ44N,IRFZ44N PDF资料,IRFZ44N经销商,ic,电子元器件-51电子网

IRFZ44N

功率MOSFET

V

DSS -

55V ，R

DS （ ON）

= 17.5毫欧，我

D

= 49 A

漏

D

G

N沟道

门

漏

来源

TJ = 25℃最高。除非另有说明，否则

符号

在电气及特征

符号

S

参数

漏源击穿电压

漏极至源极漏电流

门源漏电流

栅极阈值电压

测试条件

V

DS

= 55V

DC

, V

GS

= 0V

DC

V

DS

= 44V

DC

, V

GS

= 0V

DC

V

GS

= +20V

DC

V

GS

= -20V

DC

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

TJ = 150℃

价值

民

55

典型值

最大

单位

伏特

A

nA

伏特

V

（ BR ） DSS

V

GS

= 0 V

DC ，

I

D

= 250A

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

-

2.0

-

1470

360

88

12

44

60

45

-

25

250

100

-100

4.0

0.07

63

14

23

静态漏极至源极导通 - 阻抗R

DS （ ON）

V

GS

= 10V

DC

, I

D

= 10A

栅极电荷

门源费

栅漏电荷

输入电容

输出电容

传输电容

打开延迟时间

关闭延迟时间

上升时间

下降时间

连续源电流

脉冲源电流

正向电压（二极管）

单脉冲雪崩能量

宋衍涛雪崩能量

雪崩电流

Q

G

Q

GS

Q

GD

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

td

（上）

td

（关闭）

tr

tf

I

S

I

SM

V

SD

E

AS

E

AR

I

AR

V

GS

= 0V

DC

, I

S

= 25A ， TP = 300μS

V

DD

= 28V

DC

, I

D

= 25A ，R

G

= 12

V

DS

= 25V

DC

, V

GS

= 0V

DC

中，f = 1.0MHz的

I

D

= 25A

V

DS

= 44V

DC

,

V

GS

= 10V

DC

-

nC

pF

nS

A

V

mj

A

-

49

160

1.3

148

9.4

25

-

最大额定值

参数

栅极至源极电压

漏极至源极

电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功率Dissapation

热阻

（结到环境）

（ TJ = 25℃除非另有说明）

符号条件

V

GS

V

DSS

I

D

I

DM

P

D

R

号（j -a）的

(T

A

= 25 C)

价值

+/- 20V

55

49

160

94

62

单位

伏特

AMP

W

C / W

最大工作温度范围（ TJ ） -55至+175

最大存储温度范围（ TSTG ） -55至+175

机械尺寸

箱体TO -220 - AB胶

暗淡

a

b

c

d

e

f

g

h

j

k

m

n

p

尺寸

单位为毫米

英寸

民

最大

民

最大

10.29

2.62

6.10

3.54

14.84

13.47

1.15

3.550

4.20

1.22

2.64

0.48

0.69

10.54

2.87

6.47

3.78

15.24

14.09

1.400

2.54

4.06

4.69

1.32

2.92

0.55

0.93

0.405

0.103

0.240

0.139

0.584

0.530

0.045

0.140

0.165

0.048

0.104

0.018

0.027

0.415

0.113

0.255

0.149

0.600

0.555

0.055

0.100

0.160

0.185

0.052

0.115

0.022

0.037

d

c

b

a

m

n

4

e

k

h

f

r

j

p

q

1 2 3

g

1 - GATE

2 & 4 - 漏

3 - 来源

q

r

PD - 94053

IRFZ44N

HEXFET

功率MOSFET

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

D

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 17.5m

G

S

I

D

= 49A

描述

先进的HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

的TO- 220贡献电阻和低封装成本

在整个行业中的广泛接受。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

49

35

160

94

0.63

± 20

25

9.4

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.5

–––

62

单位

° C / W

www.irf.com

1

01/03/01

IRFZ44N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

E

AS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

55

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- --- 0.058 V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

--- --- 17.5毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 25A

2.0

––– 4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

19

––– –––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 25A

––– ––– 25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

––– ––– 250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

––– ––– 100

V

GS

= 20V

nA

––– ––– -100

V

GS

= -20V

––– ––– 63

I

D

= 25A

––– ––– 14

NC V

DS

= 44V

––– ––– 23

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

12 –––

V

DD

= 28V

–––

60 –––

I

D

= 25A

ns

–––

44 –––

R

G

= 12

–––

45 –––

V

GS

= 10V ，参照图10

铅之间，

4.5 –––

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

7.5 –––

而中心的模具接触

––– 1470 –––

V

GS

= 0V

––– 360 –––

V

DS

= 25V

–––

88 –––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

--- 530 ？ 150 ？兆焦耳我

AS

= 25A ，L = 0.47mH

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

49

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 160

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 25A ，V

GS

= 0V

––– 63

95

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 25A

––– 170 260

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

25A ， di / dt的

≤

230A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.48mH

R

G

= 25, I

AS

= 25A 。（参见图12）

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是在破坏设备的典型值，代表

操作之外的额定范围。

这是限定至T的计算值

J

= 175°C .

2

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IRFZ44N

1000

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

10

4.5V

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.5

I

D

= 49A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

2.0

100

1.5

1.0

10

0.5

1

4

5

6

7

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

11

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRFZ44N

2500

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

2000

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

=

25A

V

DS

= 44V

V

DS

= 27V

V

DS

= 11V

16

C，电容（pF ）

1500

西塞

12

1000

8

500

科斯

CRSS

4

0

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

70

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

100

T

J

= 175

°

C

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

100sec

1msec

1

T

J

= 25

°

C

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

10msec

0.1

0.0

V

GS

= 0 V

0.6

1.2

1.8

2.4

0.1

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFZ44N

50

V

DS

40

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

-

V

DD

30

V

GS

20

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

10

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.05

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

概述

N沟道增强模式

标准级场效应功率

使用晶体管在一个塑料外壳

“沟”技术。该装置

具有非常低的导通电阻

并拥有完整的齐纳二极管捐赠

ESD保护高达2kV的。这是

拟用于开关模式使用

电源和通用

开关应用。

IRFZ44N

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 10 V

马克斯。

55

49

110

175

22

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

s

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

-

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

20

49

35

160

110

175

单位

V

A

W

C

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压，所有引脚

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

-

在自由空气

典型值。

-

60

马克斯。

1.4

-

单位

K / W

1999年2月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

T

j

= 175C

T

j

= 175C

T

j

= 175C

分钟。

55

50

2.0

1.0

-

16

-

典型值。

-

3.0

-

0.05

-

0.04

-

15

-

IRFZ44N

马克斯。

-

4.0

-

4.4

10

500

1

20

-

22

42

单位

V

A

V

m

栅极 - 源极击穿电压I

G

=

±1

毫安;

漏极 - 源极导通状态

V

GS

= 10 V ;我

D

= 25 A

阻力

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

总栅极电荷

门五言费

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 25 A

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

分钟。

6

-

典型值。

-

1350

330

155

-

18

50

40

30

3.5

4.5

7.5

马克斯。

-

1800

400

215

62

15

26

75

50

40

-

单位

S

pF

nC

ns

nH

V

DD

= 44 V ;我

D

= 50 A; V

GS

= 10 V

V

DD

= 30 V ;我

D

= 25 A;

V

GS

= 10 V ;

G

= 10

阻性负载

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 25 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 40 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 40 A; - 二

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

-

典型值。

-

0.95

1.0

47

0.15

马克斯。

49

160

1.2

-

单位

A

V

ns

C

1999年2月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 45 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 10 V ;

GS

= 50

;

T

mb

= 25 C

分钟。

-

典型值。

-

IRFZ44N

马克斯。

110

单位

mJ

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1000

ID / A

RDS （ ON）= VDS / ID

100

TP =

1美国

10us

100美

DC

10

1毫秒

10ms

100ms

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

1

10

VDS / V

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

归一化电流降额

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

第Z / （K / W）

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

ID％

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0

t

p

T

t

P

D

t

p

D=

T

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0.001

1E-06

0.0001

0.01

T / S

1

100

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

10 V

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1999年2月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

IRFZ44N

100

16

10

9

8.5

30

VGS / V =

8.0

7.5

ID / A

80

GFS / S

25

20

60

7.0

15

6.5

40

6.0

20

10

5.5

5.0

4.5

10

4.0

5

0

2

4

VDS / V

6

8

0

20

40

ID / A

60

80

100

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

VGS / V =

6

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

BUK959-60

40

2.5

a

RDS（ON） normlised到25degC

35

2

30

6.5

7

25

8

20

9

10

1.5

1

15

10

0

10

20

30

40

ID / A

50

60

70

80

90

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

100

ID / A

80

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 25 A; V

GS

= 10 V

VGS （ TO ） / V

马克斯。

4

典型值。

BUK759-60

5

60

3

分钟。

40

2

20

TJ / C =

0

175

25

1

0

2

4

6

VGS / V

8

10

12

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

1999年2月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

IRFZ44N

1E-01

亚阈值传导

100

IF / A

80

1E-02

2%

典型值

98%

60

TJ / C =

40

175

25

1E-03

1E-04

20

1E-05

0

1E-06

0

0.2

0.4

0

1

2

3

4

5

0.6

0.8

VSDS / V

1

1.2

1.4

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

2.5

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

WDSS ％

120

110

100

90

80

2

数千pF的

1.5

西塞

1

70

60

50

40

30

20

科斯

CRSS

.5

10

0

20

40

60

80

100

120

TMB / C

140

160

180

0

0.01

0.1

1

VDS / V

10

100

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

12

VGS / V

10

VDS = 14V

8

VDS = 44V

6

图15 。正常化雪崩能量等级。

W

DSS

（％）= F（T

mb

） ;条件：我

D

= 49 A

+

L

VDS

VGS

0

RGS

T.U.T.

R 01

分流

VDD

-

-ID/100

4

2

0

10

20

QG / NC

30

40

50

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 50 A;参数V

DS

图16 。雪崩能量测试电路。

2

W

DSS

=

0.5

LI

D

BV

DSS

/ （ BV

DSS

V

DD

)

1999年2月

5

启1.000

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC N沟道MOSFET晶体管

IRFZ44N

特点

·漏

目前“我

D

= 49A @ T

C

=25℃

·漏

源电压 -

: V

DSS

= 55V （最小值）

“静态

漏源导通电阻

: R

DS （ ON）

= 0.032Ω （最大值）

·快速

开关

描述

·设计

低电压，高速开关应用中

电源，转换器和功率电机控制，这些

器件特别适用以及为桥电路中

二极管的速度和换向安全工作区域是关键

并提供对突发电压额外的安全边际

瞬变。

绝对最大额定值（T

a

=25℃)

符号

V

DSS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压，连续

漏电流连续

漏电流单时脉（T

p

≤10μs)

总功耗@T

C

=25℃

马克斯。工作结温

储存温度

价值

55

±20

49

160

94

175

-55~175

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

R

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

1.5

62

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC N沟道MOSFET晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

IRFZ44N

最大

单位

V

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

V

GS

= 0; I

D

= 0.25毫安

55

V

GS

（日

)

栅极阈值电压

V

DS

= V

GS

; I

D

= 0.25毫安

2

4

V

Ω

R

DS （

on

)

I

GSS

漏源导通电阻

V

GS

= 10V ;我

D

= 25A

V

GS

=

±20V;V

DS

= 0

V

DS

= 55V; V

GS

= 0

V

DS

= 55V; V

GS

= 0; T

j

= 150℃

I

S

= 25A ; V

GS

= 0

0.032

±100

25

250

1.3

门体漏电流

nA

μA

I

DSS

零栅极电压漏极电流

V

SD

在正向电压

V

·

ISC的网站： www.iscsemi.cn

IRFZ44N

N-C

HANNEL

功秏

OSFET

应用

巴克

转换器的高边开关

直流电动机的控制，UPS ...等， &等应用

V

DSS

55V

R

DS （ ON）

马克斯。

17.5m

I

D

50A

特点

超低

抗性

低栅电荷

动态的dv / dt额定值

电感

开关曲线

峰值电流与脉冲宽度曲线

引脚配置

TO-220

符号

D

前视图

门

来源

漏

G

S

1

2

3

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏源极电压

漏电流

连续锝= 25

, V

GS

@10V

连续锝= 100 ，V

GS

@10V

脉冲TC = 25 ，V

GS

@ 10V （注

1)

栅极 - 源极电压

总功耗

降额超过25因素

峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）

工作结存储温度范围

重复性雪崩能量（注1 ）

最大的铅焊接温度的目的

最大包主体，持续10秒

雪崩

电流（注1 ）

dv / dt的

T

J

, T

英镑

E

AR

T

L

T

PKG

I

AR

CONTINUE

符号

V

DSS

I

D

I

D

I

DM

V

GS

P

D

价值

55

50

35

160

±20

.94

0.63

5.0

-55至175

9.4

300

260

25

A

mJ

V

W

W/

V / ns的

单位

V

A

热阻

符号

R

JC

参数

结到外壳

结到环境

民

典型值

最大

1.5

62

单位

/W

JA

测试条件

水

冷却散热器，P

D

调整后的峰值结

的175下

1立方英尺室，自由的空气

第1页

IRFZ44N

N-C

HANNEL

功秏

OSFET

订购信息

产品型号

包

....................IRFZ44N................................................TO-220

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25 .

cIRFZ44N

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A)

击穿电压温度系数

（参考25

V

DSS

/ T

J

I

DSS

)

I

GSS

I

GSS

基本特征

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A)

静态漏 - 源极导通电阻

(V

GS

= 10 V，I

D

=

25A)

正向跨导（V

DS

=

25

V，I

D

=

25A)

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管正向导通电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

积分pn结二极管的MOSFET

（注1 ）

(I

S

=

25A,

V

GS

= 0 V)

（注4 ）

(I

F

=

25A,

V

GS

= 0 V,

d

i

/d

t

= 100A / μs）内

（注4 ）

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

...............160

...............1.3

63...............95.

170..............260

A

V

ns

nC

（注4 ）

动态特性

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DS

=

44

V，I

D

=

25

A,

V

GS

= 10V ）（注

2)

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

电阻开关特性

(V

DD

=

28

V，I

D

=

25

A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 12 ）（注

4)

t

D（上）

t

上升

t

D（关闭）

t

秋天

I

S

.12

60

.................44

.................45

...............50

..

ns

A

1470

360

88

.63

14

23

pF

.NC

nC

g

FS

19

（注4 ）

R

DS （ ON）

17.5

S

m

V

GS （ TH）

2.0

...4.0

V

25

250

100

-100

nA

0.058

.V/

A

V

DSS

55

...

V

符号

民

典型值

最大

单位

,

I

D

=

1mA)

漏极至源极漏电流

(V

DS

=

55

V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 25

(V

DS

= 44 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 150

栅 - 源正向漏

(V

GS

= 20 V)

栅 - 源反向漏

(V

GS

= -20 V)

源极 - 漏极二极管的特性

注意事项：

Q

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图1）

S

I

SD

≤

25A ， di / dt的

≤

230A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

R

本质上

独立运营的

temerpature

T

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

U

V

第2页

IRFZ44N

N-C

HANNEL

功秏

OSFET

占空比

图1.最大有效热阻，结至外壳

1.000

50%

Z

JC

,

热阻抗

20%

10%

0.100

5%

2%

1%

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子： D = T1 / T2

PEAK牛逼

J

=P

DM

X Z

JC

个R

JC

+T

C

0.010

单脉冲

0.001

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

1E+01

t

p

，矩形脉冲持续时间（ S）

图2.最大功率耗散

VS外壳温度

图3.最大连续漏极电流

VS外壳温度

70

P

D

，功耗（ W）

140

I

D

，漏电流（ A）

120

60

50

40

100

80

60

40

20

30

20

10

0

175

0

25

50

75

100

125

150

175

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（

o

C)

T

C

，外壳温度（

o

C)

图4.典型的输出特性

220

200

180

脉冲宽度= 250微秒

占空比= 0.5 ％ MAX

T

C

= 25

o

C

图5.典型漏极 - 源极导通电阻

VS栅极电压和漏极电流

50

45

V

GS

= 15V

I

D

，漏电流（ A）

160

140

120

V

GS

= 10V

V

GS

= 8V

R

DS （ ON）

，漏 - 源

40

导通电阻（M

I

D

= 14A

I

D

= 28A

I

D

= 55 A

35

V

GS

= 6V

V

GS

= 5V

100

80

60

30

25

脉冲宽度= 250微秒

占空比= 0.5 ％ MAX

o

T

C

= 25 C

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 4V

V

GS

= 3.5V

V

GS

= 3V

40

20

0

5

20

15

10

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

第3页

IRFZ44N

N-C

HANNEL

功秏

OSFET

图6.最大峰值电流能力

10000

跨

可能限制电流

这个区域

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I

=

I

25

150 –

T C

----------------------

125

I

DM

峰值电流（ A）

1000

100

10

V

GS

= 10V

1

1E-6

10E-6

100E-6

1E-3

10E-3

100E-3

1E+0

10E+0

t

p

，脉冲宽度（S ）

图7.典型的传输特性

图8.非钳位感应开关能力

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

40

35

30

25

20

15

10

5

0

I

AS

，雪崩电流（ A）

脉冲宽度= 250微秒

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DS

= 10 V

如果R 0 ：吨

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

×R)/(1.3BV

DSS

-V

DD

)+1]

如果R≠ 0 ：吨

AV

= （L ×I

AS

)/(1.3BV

DSS

-V

DD

)

R等于漏极电路的总串联电阻

100

起始物为

J

= 25

o

C

+175

o

C

+25

o

C

-55

o

C

10

起始物为

J

= 150

o

C

1

1E-6

10E-6

100E-6

1E-3

10E-3

100E-3

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

t

AV

，时间在雪崩（多个）

图9.典型的漏极 - 源极导通电阻

VS漏电流

图10.典型的漏极 - 源极导通电阻

VS结温

2.5

R

DS （ ON）

,

漏极 - 源极导通电阻（M ）

50

R

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

脉宽= 10微秒

占空比= 0.5 ％ MAX

T

C

=25°C

40

2.0

30

1.5

20

V

GS

=10V

1.0.

脉冲宽度= 250微秒

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

10

0

50

100

150

200

250

0.5

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150 175

I

D

，漏电流（ A）

T

J

，结温（

o

C)

第4页

IRFZ44N

N-C

HANNEL

功秏

OSFET

图11.典型击穿电压VS

结温

BV

DSS

，漏 - 源

击穿电压（归）

1.20

图12.典型的阈值电压随

结温

1.2

V

GS （ TH）

阈值电压

（归一化）

1.15

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

-75 -50 -25

0.0

25

50

75

V

GS

= 0V

I

D

= 250 A

100 125 150

175

V

GS

= V

DS

I

D

= 250 A

-75 -50

-25

0.0

25

T

J

，结温（

o

C)

T

J

，结

75 100 125 150

175

温度（

o

C)

50

科幻gure

13.最大正向偏置安全

工作区

1000

在这一领域可能是有限的R

DS （ ON）

图14.典型电容

VS漏极至源极电压

3000

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的

COSS硫化镉+ Cgd的

CRSS = Cgd的

I

D

，漏电流（ A）

10s

C，电容（pF ）

2500

西塞

100

2000

1500

1000

500

科斯

10

T

J

=最大额定，T

C

= 25

o

C

单脉冲

1.0m

10ms

1

DC

CRSS

0

10

100

0.01

0.1

1

10

100

1

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极电压（V ）

图15.典型栅极电荷

VS的栅极至源极电压

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

SD

，反向漏电流（ A）

12

10

V

DS

=45V

图16.典型的体二极管转移

特征

180

160

140

120

150

o

C

8

6

4

2

0

5

V

DS

=30V

V

DS

=15V

100

80

60

25

o

C

-55

o

C

40

20

0

V

GS

= 0V

I

D

= 59A

10

15

20

25

30

35

40

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

第5页

IRFZ44N

HEXFET

功率MOSFET

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

D

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 17.5m

G

S

I

D

= 49A

描述

先进的HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

的TO- 220贡献电阻和低封装成本

在整个行业中的广泛接受。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

49

35

160

94

0.63

± 20

25

9.4

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.5

–––

62

单位

° C / W

1/8

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IRFZ44N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

E

AS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

55

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- --- 0.058 V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

--- --- 17.5毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 25A

2.0

––– 4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

19

––– –––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 25A

––– ––– 25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

––– ––– 250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

––– ––– 100

V

GS

= 20V

nA

––– ––– -100

V

GS

= -20V

––– ––– 63

I

D

= 25A

––– ––– 14

NC V

DS

= 44V

––– ––– 23

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

12 –––

V

DD

= 28V

–––

60 –––

I

D

= 25A

ns

–––

44 –––

R

G

= 12

–––

45 –––

V

GS

= 10V ，参照图10

铅之间，

4.5 –––

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

7.5 –––

而中心的模具接触

––– 1470 –––

V

GS

= 0V

––– 360 –––

V

DS

= 25V

–––

88 –––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

--- 530 ？ 150 ？兆焦耳我

AS

= 25A ，L = 0.47mH

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

49

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 160

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 25A ，V

GS

= 0V

––– 63

95

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 25A

––– 170 260

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

25A ， di / dt的

≤

230A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.48mH

R

G

= 25, I

AS

= 25A 。（参见图12）

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是在破坏设备的典型值，代表

操作之外的额定范围。

这是限定至T的计算值

J

= 175°C .

2/8

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IRFZ44N

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

10

4.5V

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.5

I

D

= 49A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

2.0

100

1.5

1.0

10

0.5

1

4

5

6

7

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

11

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

3/8

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IRFZ44N

2500

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

2000

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

=

25A

V

DS

= 44V

V

DS

= 27V

V

DS

= 11V

16

C，电容（pF ）

1500

西塞

12

1000

8

500

科斯

CRSS

4

0

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

70

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

100

T

J

= 175

°

C

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

100sec

1msec

1

T

J

= 25

°

C

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

10msec

0.1

0.0

V

GS

= 0 V

0.6

1.2

1.8

2.4

0.1

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4/8

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IRFZ44N

50

V

DS

40

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

-

V

DD

30

V

GS

20

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

10

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.05

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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TIGER ELECTRONIC CO 。， LTD。

产品speci fi cation

N沟道功率MOSFET

描述

过程特别设计以减少输入电容和

栅极电荷。因此，适合作为高级的主开关

highefficiency ，高频隔离DC -DC转换器，电信和

计算机应用。它也适用于具有低门的任何应用程序

驱动要求。

IRFZ44N

绝对最大额定值（ TA = 25℃ ）

O

参数

漏源电压

漏电流 - 连续

漏电流 - 脉冲

栅源电压

功耗

马克斯。工作结温

l

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

P

D

T

j

T

英镑

价值

55

49

160

±

20

94

150

-55~150

单位

V

A

V

W

o

C

TO-220

储存温度

电气特性（ TA = 25

O

C)

参数

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

漏源二极管的正向电压

符号

测试条件

分钟。

55

—

2.0

—

典型值。

—

3.0

—

马克斯。

—

10

100

-100

4.0

0.0175

1.3

单位

V

uA

nA

V

W

V

BV

DSS

V

GS

= 0V时，我

D

=250

μ

A

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

V

SD

V

DS

=55V, V

GS

=0V

V

GS

=20V, V

DS

=0V

V

GS

= -20V, V

DS

=0V

V

DS

= V

GS

, I

D

=250

μ

A

R

DS （ ON）

V

GS

= 10 V，I

D

= 25 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 25 A