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PD - 94822

IRFZ44EPbF

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= 60V

R

DS （ ON）

= 0.023

G

S

I

D

= 48A

描述

国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这

效益，结合快速开关速度和加固装置的设计

这HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供

一个非常有效和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业

应用在功率耗散水平到约50瓦。低

热电阻及TO -220的低包成本有助于其宽

接受整个行业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

48

34

192

110

0.71

± 20

220

29

11

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.4

–––

62

单位

° C / W

www.irf.com

1

11/10/03

IRFZ44EPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

60

–––

2.0

15

–––

典型值。

–––

0.063

–––

12

60

70

4.5

7.5

1360

420

160

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.023

V

GS

= 10V ，我

D

= 29A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 30V ，我

D

= 29A

25

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

60

I

D

= 29A

13

nC

V

DS

= 48V

23

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 30V

–––

I

D

= 29A

ns

–––

R

G

= 15

–––

R

D

= 1.1Ω ，见图。 10

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

48

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 192

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 29A ，V

GS

= 0V

––– 69 104

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 29A

––– 177 266

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

J

= 25℃时，L = 520μH

R

G

= 25, I

AS

= 29A 。（参见图12）

I

SD

≤

29A ， di / dt的

≤

320A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

2

www.irf.com

IRFZ44EPbF

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

10

4.5V

10

4.5V

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.5

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 48A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

100

1.5

1.0

10

0.5

1

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

4

5

6

7

8

9

10

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRFZ44EPbF

2500

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

2000

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 29

16

V

DS

= 48V

V

DS

= 30V

C，电容（pF ）

西塞

1500

12

科斯

1000

8

500

CRSS

4

0

测试电路

见图13

0

10

20

30

40

50

60

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

1000

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

D

，漏电流（ A）

100

T = 175

°

C

J

100

10us

100us

10

T

J

= 25

°

C

1ms

10ms

1

0.5

V

GS

= 0 V

1.0

1.5

2.0

2.5

1

T

C

= 25 °C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

1

10

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

4

图8 。

最大安全工作区

www.irf.com

IRFZ44EPbF

50

V

DS

V

GS

R

D

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

40

R

G

D.U.T.

+

V

DD

-

30

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

20

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

10

0

25

50

T

C

，外壳温度（ C）

T

C

，外壳温度（ ° C）

75

100

125

150

°

175

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.1

0.05

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5