IRFZ40
IRFZ40FI
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
TYPE
IRFZ40
IRFZ40FI
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
50 V
50 V
R
DS （ ON）
< 0.028
< 0.028
I
D
50 A
27 A
典型
DS （ ON）
= 0.022
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
高电流能力
175
o
C的工作温度
TO-220
3
1
2
1
2
3
应用
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制，音频放大器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
ISOWATT220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
IRFZ40
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额因子
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
IRFZ40FI
50
50
±
20
50
35
200
150
1
-65 175
175
27
19
200
45
0.3
2000
50
50
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1993年7月
1/9
IRFZ40 ， SiHFZ40
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
67
18
25
单身
D
特点
60
0.028
动态的dv / dt额定值
175 ° C的工作温度
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
符合RoHS指令2002/95 / EC
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220AB封装universially首选
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220AB低封装成本有助于其
整个行业的广泛认可。
TO-220AB
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220AB
IRFZ40PbF
SiHFZ40-E3
IRFZ40
SiHFZ40
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 20
50
36
200
1.0
100
150
4.5
- 55 + 175
300
10
1.1
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 44 μH ，R
g
= 25
,
I
AS
= 51 A（见图12 ） 。
C.我
SD
51 A， di / dt的
250 A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于包装， （死亡电流= 51 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91385
S11-0520 -REV 。 B， 21 -MAR- 11
www.vishay.com
1
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFZ40 ， SiHFZ40
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.0
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 31 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 31 A
60
-
2.0
-
-
-
-
15
-
0.060
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.028
-
V
V /°C的
V
nA
μA
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1900
920
170
-
-
-
14
110
45
92
4.5
7.5
-
-
-
67
18
25
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 51 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 51 A,
R
g
= 9.1
,
R
D
= 0.55
,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
120
0.53
50
A
200
2.5
180
0.80
V
ns
nC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 51 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 51 A， di / dt的= 100 A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
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2
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IRFZ40 ， SiHFZ40
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 1 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 175 °C
图。 2 - 归通电阻与温度的关系
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图。 3 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 5 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 4 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 3 - 最高安全工作区
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10 V
脉冲
宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
异吨
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
t
p
V
DS
V
DD
D.U.T.
I
AS
+
-
V
DD
V
DS
10 V
t
p
0.01
Ω
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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