l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRFZ34NS ）
通孔低调（ IRFZ34NL ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
IRFZ34NSPbF
IRFZ34NLPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
PD - 95571
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.040
G
描述
I
D
= 29A
S
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRFZ34NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2白
TO-262
参数
马克斯。
29
20
100
3.8
68
0.45
± 20
130
16
5.6
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
www.irf.com
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
典型值。
马克斯。
2.2
40
单位
° C / W
1
07/19/04
IRFZ34NS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
55
2.0
6.5
典型值。
0.052
7.0
49
31
40
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.040
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
34
I
D
= 16A
6.8
NC V
DS
= 44V
14
V
GS
= 10V ，参照图6和13
V
DD
= 28V
I
D
= 16A
ns
R
G
= 18
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
nH
7.5
而中心的模具接触
700
V
GS
= 0V
240
pF
V
DS
= 25V
100
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
57
130
29
A
100
1.6
86
200
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
420A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 610μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRFZ34N数据和测试条件
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRFZ34NS ）
通孔低调（ IRFZ34NL ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
IRFZ34NSPbF
IRFZ34NLPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
PD - 95571
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.040
G
描述
I
D
= 29A
S
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
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C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRFZ34NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2白
TO-262
参数
马克斯。
29
20
100
3.8
68
0.45
± 20
130
16
5.6
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
www.irf.com
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
典型值。
马克斯。
2.2
40
单位
° C / W
1
07/19/04
IRFZ34NS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
55
2.0
6.5
典型值。
0.052
7.0
49
31
40
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.040
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
4.0
V
V
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= V
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, I
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= 250A
S
V
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= 25V ，我
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= 16A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
34
I
D
= 16A
6.8
NC V
DS
= 44V
14
V
GS
= 10V ，参照图6和13
V
DD
= 28V
I
D
= 16A
ns
R
G
= 18
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
nH
7.5
而中心的模具接触
700
V
GS
= 0V
240
pF
V
DS
= 25V
100
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
57
130
29
A
100
1.6
86
200
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
420A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 610μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRFZ34N数据和测试条件
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
QQ：2881677436 复制
