PD - 95524
l
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
优化SMPS应用
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
D
IRFZ24VSPbF
IRFZ24VLPbF
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 60m
G
S
I
D
= 17A
先进的HEXFET
国际整流器功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低的导通电阻
每硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是众所周知
为，为设计者提供了一个非常有效和可靠的设备
在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装，可调节
模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率容量和
尽可能低的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为它的低内部高电流的应用
连接性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面
安装应用程序。
通孔版（ IRFZ24VL ）可用于低轮廓的应用程序。
描述
D
2
PAK
IRFZ24VS
TO-262
IRFZ24VL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
17
12
68
44
0.29
± 20
17
4.4
4.2
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
3.4
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
7/16/04
IRFZ24VS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
60
–––
–––
2.0
7.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.06
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.6
46
21
24
4.5
7.5
––– 590
––– 140
–––
23
––– 140
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
60
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
23
I
D
= 17A
7.7
nC
V
DS
= 48V
6.2
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 17A
ns
–––
R
G
= 18
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
而中心的模具接触
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
43
兆焦耳我
AS
= 17A ，L = 300μH
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
17
––– –––
展示
A
G
整体反转
68
––– –––
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17A ，V
GS
= 0V
––– 53
79
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17A
––– 90 130
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 300μH
R
G
= 25, I
AS
= 17A ，V
GS
= 10V （见图12）
I
SD
≤
图17A ， di / dt的
≤
240A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
使用IRFZ24V数据和试验条件。
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
IRFZ24VS/LPbF
100
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
4.5V
1
4.5V
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 17A
2.5
2.0
10
1.5
1.0
0.5
1
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
4
6
8
10
12
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
