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PD - 95623
IRFZ24VPbF
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
优化SMPS应用
l
LEAD -FREE
描述
l
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 60m
G
S
I
D
= 17A
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。低热
的TO- 220贡献电阻和低封装成本
在整个行业中的广泛接受。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
17
12
68
44
0.29
± 20
17
4.4
4.2
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
3.4
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
8/3/04
IRFZ24VPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
60
–––
–––
2.0
7.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.06
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.6
46
21
24
4.5
7.5
––– 590
––– 140
–––
23
––– 140
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
60
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
23
I
D
= 17A
7.7
nC
V
DS
= 48V
6.2
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 17A
ns
–––
R
G
= 18
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
而中心的模具接触
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
43
兆焦耳我
AS
= 17A ，L = 300μH
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
17
––– –––
展示
A
G
整体反转
68
––– –––
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17A ，V
GS
= 0V
––– 53
79
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17A
––– 90 130
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
起始物为
J
= 25℃时，L = 300μH
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
图17A ， di / dt的
≤
240A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
R
G
= 25, I
AS
= 17A ，V
GS
= 10V （见图12）
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
2
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IRFZ24VPbF
100
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
4.5V
1
4.5V
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 17A
2.5
2.0
10
1.5
1.0
0.5
1
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
4
6
8
10
12
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFZ24VPbF
1000
20
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
800
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
I
D
= 17A
V
DS
= 48V
V
DS
= 30V
V
DS
= 12V
C，电容（pF ）
西塞
600
COSS = C + Cgd的
ds
16
12
科斯
400
8
200
CRSS
4
0
1
10
100
0
测试电路
见图13
0
4
8
12
16
20
24
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
T
J
= 175
°
C
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
100sec
1msec
1
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 V
0.6
1.0
1.4
1.8
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
0.1
0.2
0.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFZ24VPbF
20
V
DS
V
GS
R
D
I
D
，漏电流（ A）
15
R
G
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
-
V
DD
10
5
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0
25
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
75
100
125
150
175
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
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ISL6209_07
IDT74FCT2573DTP
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IRKNF102-10EK
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