IRFZ24NS/NL
功率MOSFET
V
DSS -
55V ，R
DS （ ON）
= 0.07毫欧，我
D
= 17 A
D
G
S
符号
N沟道
在电气及特征
TJ = 25℃最高。除非另有说明，否则
符号
参数
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
栅极阈值电压
测试条件
V
DS
= 55V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
DS
= 44V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
GS
= +20V
DC
V
GS
= -20V
DC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
TJ = 150℃
价值
民
55
典型值
最大
单位
伏特
A
nA
nA
伏特
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V
DC ，
I
D
= 250A
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
370
140
65
4.9
19
34
27
-
25
250
100
-100
4.0
0.07
20
5.3
7.6
静态漏极至源极导通 - 阻抗R
DS （ ON）
V
GS
= 10V
DC
, I
D
= 10A
栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
传输电容
打开延迟时间
关闭延迟时间
上升时间
下降时间
连续源电流
脉冲源电流
正向电压（二极管）
单脉冲雪崩能量
宋衍涛雪崩能量
雪崩电流
Q
G
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
td
（关闭）
tr
tf
I
S
I
SM
V
SD
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
= 0V
DC
, I
S
= 10A ， TP = 300μS
V
DD
= 28V
DC
, I
D
= 25A ，R
G
= 12
V
DS
= 25V
DC
, V
GS
= 0V
DC
中，f = 1.0MHz的
I
D
= 25A
V
DS
= 44V
DC
,
V
GS
= 10V
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
A
A
V
mj
mj
A
-
-
-
-
-
-
-
17
68
1.3
71
4.5
10
-
-
-
最大额定值
参数
栅极至源极电压
漏极至源极
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功率Dissapation
热阻
（结到环境）
（ TJ = 25℃除非另有说明）
符号条件
V
GS
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
R
号（j -a）的
(T
A
= 25 C)
价值
+/- 20V
55
17
68
45
40
单位
伏特
伏特
AMP
AMP
W
C / W
最大工作温度范围（ TJ ） -55至+175
最大存储温度范围（ TSTG ） -55至+175
第1页2
PD - 9.1355B
IRFZ24NS/L
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRFZ24NS ）
通孔低调（ IRFZ24NL ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.07
G
I
D
= 17A
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRFZ24NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2白
T O服务-2 6 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
17
12
68
3.8
45
0.30
± 20
71
10
4.5
6.8
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
3.3
40
单位
° C / W
9/22/97
IRFZ24NS/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
55
–––
–––
2.0
4.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.052
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.9
34
19
27
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
=1mA
0.07
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
20
I
D
= 10A
5.3
nC
V
DS
= 44V
7.6
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 10A
ns
–––
R
G
= 24
–––
R
D
= 2.6Ω ，参照图10
铅之间，
nH
7.5 –––
而中心的模具接触
370 –––
V
GS
= 0V
140 –––
pF
V
DS
= 25V
65 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– –––
17
展示
A
G
整体反转
––– –––
68
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10A ，V
GS
= 0V
––– 56
83
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10A
––– 120 180
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.0mH
R
G
= 25, I
AS
= 10A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
280μs ;占空比
≤
2%.
使用IRFZ24N数据和测试条件
I
SD
≤
图10A中， di / dt的
≤
280A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
IRFZ24NS/L
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
顶部
100
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
顶部
10
10
4 .5V
4 .5V
2 0μ s PU LSE W ID TH
1
0.1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 2 5°C
10
A
100
1
0.1
1
20微秒P UL SE W ID
T
J
17 5°C
T
C
= 175°C
10
A
100
V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V·D S，漏极 - 源极V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE
（N RM一个李泽四）
I
D
= 17 A
I
D
，D雨 - 到 - S OU RCE C-UR仁T（A ）
2.5
T
J
= 2 5 ° C
T
J
= 1 7 5 °C
2.0
10
1.5
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= 2 5 V
2 0 μ S·P ü L SE W ID TH
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，尕德对S 0 urce V oltage （ V）
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRFZ24NS/L
700
600
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
500
C
我是SS
C
SS
400
300
V
的s
，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）
V
GS
C
为s
C
RSS
C
OSS
= 0 V,
F = 1M ^ h
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH或TE
= C
gd
= C
S
+ C
gd
20
I
D
= 1 0A
V
DS
= 4 4V
V
DS
= 2 8V
16
12
8
200
C
RS s
4
100
0
1
10
100
A
0
0
4
8
FO TES T C IR CU IT
SEE图ü 13
12
16
20
A
V
S
，D-雨到-S环境允许的电压（V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
S.D。
在C R é é V RSE RA ④此T（A ）
OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE
由R
S（O N）
T
J
= 1 75 °C
T
J
= 25 °C
10
I
D
，D RA C语言④此T（A ）
100
10s
10
100 s
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
的s
= 0 V
1.8
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐脉
10
1米s
10米s
A
100
2.0
V
S.D。
，S环境允许到漏极电压（ V）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
QQ：2880707522 复制
